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[■12]双滑移取向铜单晶体的循环应变硬化及饱和

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金属学报 1998年第8期34卷 864-869页

作者：李小武王中光李守新中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室沈阳110015

本文在塑性分切应变幅（γpl）为1．3×10-4－7．2×10-3范围内研究了双滑移取向铜单晶体的循环形变行为当γpl＜2×10-3，晶体的初始硬化速率θ0.2较低，几乎与应变幅大小无关。当γpl＞2×10-3，θ0．2随γpl的增加而显著增大．　晶... 详细信息

本文在塑性分切应变幅（γpl）为1．3×10-4－7．2×10-3范围内研究了双滑移取向铜单晶体的循环形变行为当γpl＜2×10-3，晶体的初始硬化速率θ0.2较低，几乎与应变幅大小无关。当γpl＞2×10-3，θ0．2随γpl的增加而显著增大．　晶体的循环应力－应变（CSS）曲线在5×10-4＜γpl＜4×10-3范围内呈现一个明显的平台，平台区的范围与单滑移晶体相比明显缩短，但平台区对应的饱和应力相近．和晶体虽然同处于标准取向三角形的001／边上．但其循环形变行为存在明显的差异，可归结为各个滑移系相对于晶体轴的几何位置不同。

关键词：铜单晶体双滑移循环硬化循环形变循环饱和

一个单滑移取向铜单晶体疲劳位错结构的热稳定性研究

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物理学报 2012年第15期61卷 407-413页

作者：郭巍巍任焕齐成军王小蒙李小武东北大学理学院材料物理与化学研究所沈阳110004 东北大学材料各向异性与织构教育部重点实验室沈阳110004

利用扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)技术观察研究了[4 18 41]单滑移取向铜单晶体在不同塑性应变幅下的疲劳饱和位错结构及其在不同温度等时退火条件下的热稳定性.结果表明,在退火温度为300℃时,疲劳位错结构(如脉络结构、驻留滑移带PSB... 详细信息

利用扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)技术观察研究了[4 18 41]单滑移取向铜单晶体在不同塑性应变幅下的疲劳饱和位错结构及其在不同温度等时退火条件下的热稳定性.结果表明,在退火温度为300℃时,疲劳位错结构(如脉络结构、驻留滑移带PSB楼梯结构、PSB胞结构和迷宫结构等)均发生了明显回复.当退火温度高于500℃,上述这些疲劳位错结构基本消失,均发生了明显的再结晶现象,并大都伴随有退火孪晶的形成.分析认为,再结晶的发生和退火孪晶的出现不仅与退火温度和外加塑性应变幅有关,还与累积循环塑性应变量有着密切的关系.

关键词：铜单晶体疲劳位错结构再结晶退火孪晶

循环变形铜单晶体的滞后回线形状变化与驻留滑移带的萌生

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金属学报 1999年第6期35卷 594-599页

作者：李小武王中光李守新中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室沈阳110015

本文系统测量并总结了不同类型双滑移取向铜单晶体在循环变形中滞后回线形状参数VH随循环周次N的变化关系．结果表明，与单滑移晶体不同，晶体取向对双滑移晶体的滞后回线形状变化趋势有显著的影响．VH与驻留滑移带（PSB）的形成有无明... 详细信息

本文系统测量并总结了不同类型双滑移取向铜单晶体在循环变形中滞后回线形状参数VH随循环周次N的变化关系．结果表明，与单滑移晶体不同，晶体取向对双滑移晶体的滞后回线形状变化趋势有显著的影响．VH与驻留滑移带（PSB）的形成有无明显对应关系与该取向单晶体的循环应力－应变（CSS）曲线有无平台区或准平台区出现密切相关．VH随N的变化关系反映了晶体在循环变形中微观组织结构的不同变化．通过VH确定了不同类型双滑移取向铜单晶体的PSB萌生应力，并对其进行了比较和探讨．

关键词：铜单晶体循环形变滞后回线驻留滑移带

计算机模拟循环形变铜单晶体的自组织位错结构

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东北大学学报（自然科学版） 2001年第2期22卷 229-231页

作者：杨继红马常祥李兰杰李守新东北大学理学院辽宁沈阳110004 中国科学院沈阳金属研究所辽宁沈阳110015

以随机分布在主滑移面上的 30 0 0个平行正负直刃型位错作为初始组态 ,采用离散位错动力学方法 ,模拟循环形变铜单晶体的自组织位错结构 ,得到动态平衡分布的脉络和位错墙结构。

关键词：铜单晶体自组织位错结构计算机模拟循环形变脉络位错墙偶极子

铜单晶体循环应力应变曲线的平台行为的取向效应

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材料研究学报 1999年第3期13卷 225-229页

作者：李小武王中光李广义李守新中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室沈阳市110015

系统讨论和总结了单滑移、双滑移和多滑移取向铜单晶体在循环形变中呈现的不同平台行为分析结果表明，晶体取向强烈影响对滑移和多滑移铜晶体的循环形变行为，平台区的出现与否及平台应力的高低，不仅与位错反应模式和强度有关，还与不... 详细信息

系统讨论和总结了单滑移、双滑移和多滑移取向铜单晶体在循环形变中呈现的不同平台行为分析结果表明，晶体取向强烈影响对滑移和多滑移铜晶体的循环形变行为，平台区的出现与否及平台应力的高低，不仅与位错反应模式和强度有关，还与不同取向晶体中的各个滑移手相对于晶体轴向的几何位置不同，从而造成不同的滑移形变特征密切相关一般说来，当形变主要以多滑移形变方式进行时，平台区消失.

关键词：铜单晶体晶体取向循环应力应变平台区

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晶体取向对铜单晶体循环硬化行为的影响

材料研究学报 2000年第B1期14卷 36-40页

作者：李小武王中光李守新中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂口家重点实验室中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室

研究了不同取向铜单晶体的循环硬化行为结果表明，晶体取向对双滑移和多滑移取向铜单晶体的循环硬化行为有强烈的影响不同取向钢单晶体的初始循环硬化率００．２与晶体中的位错反应模式、强度以及交滑移机会密切相关临界双滑移晶体... 详细信息

研究了不同取向铜单晶体的循环硬化行为结果表明，晶体取向对双滑移和多滑移取向铜单晶体的循环硬化行为有强烈的影响不同取向钢单晶体的初始循环硬化率００．２与晶体中的位错反应模式、强度以及交滑移机会密切相关临界双滑移晶体在循环硬化初始阶段呈现出独特的应变突发行为。

关键词：铜单晶体循环硬化晶体取向位错初始循环硬化率应变突发位错

共面双滑移取向铜单晶体的循环应力-应变响应及表面形变特征

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自然科学进展（国家重点实验室通讯） 1999年第7期9卷 629-636页

作者：李小武王中光李守新中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室沈阳110015

在塑性分切应变幅(γ_(pl))约为10^(-4)～10^(-2)范围内,研究了共面双滑移取向[233]和单滑移取向[4 18 41](Shimid因子Ω=0.5)铜单晶体的循环形变行为。当γ_(pl)×10^(-3),θ_(0.2)随γ_(pl)的增加而显著增大。当γ_(pl)≥3.5×10^(-3)... 详细信息

在塑性分切应变幅(γ_(pl))约为10^(-4)～10^(-2)范围内,研究了共面双滑移取向[233]和单滑移取向[4 18 41](Shimid因子Ω=0.5)铜单晶体的循环形变行为。当γ_(pl)晶体的初始硬化速率θ_(0.2)较低,几乎与应变幅大小无关。当γ_(pl)>×10^(-3),θ_(0.2)随γ_(pl)的增加而显著增大。当γ_(pl)≥3.5×10^(-3)时,[233]晶体的循环硬化曲线出现二次硬化阶段,且二次硬化的临界应变幅介于单滑移单晶体和多晶体之间,表明[233]双滑移晶体的硬化行为比单滑移晶体更接近多晶体。[233]晶体的循环应力-应变(CSS)曲线在塑性应变幅γ_(pl)=3×10^(-4)～2×10^(-3)范围内出现1个准平台区。[233]晶体试样表面形成的两类宏观形变带(DBⅠ和DBⅡ)呈严格的正交关系,并随着外加应变幅的增加而不断发展。

关键词：铜单晶体共面双滑移循环应力应变曲线变带

循环变形铜单晶体中宏观形变带形成机制研究的新进展

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世界科技研究与发展 2000年第1期22卷 30-35页

作者：王中光李守新李小武中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室

:系统研究了循环变形铜单晶体中的宏观形变带的产生规律和特征以及相应的位错结构 ,并对其形成机制进行了综合探讨。结果表明 ,形变带的形成可能与循环加载中产生的晶体不可逆旋转和宏观应力状态密切相关。对于不同取向铜单晶体。

关键词：铜单晶体循环形变形变带晶体旋转位错结构

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临界双滑移取向铜单晶体的循环形变行为

自然科学进展（国家重点实验室通讯） 1999年第8期9卷 746-753页

作者：李小武王中光李守新中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室沈阳110015

在塑性分切应变幅(γ_(pl))为1.2×10^(-4)～6.5×10^(-3)范围内,系统研究了临界双滑移取向[017]铜单晶体的循环形变行为,并将其与[034]临界双滑移及[001]和[011]多滑移取向单晶体的结果进行了比较。当γ_(pl)2×10^(-3),θ_(0.2)随γ_(... 详细信息

在塑性分切应变幅(γ_(pl))为1.2×10^(-4)～6.5×10^(-3)范围内,系统研究了临界双滑移取向[017]铜单晶体的循环形变行为,并将其与[034]临界双滑移及[001]和[011]多滑移取向单晶体的结果进行了比较。当γ_(pl)晶体的初始硬化速率θ_(0.2)几乎与应变幅大小无关。当γ_(pl)>2×10^(-3),θ_(0.2)随γ_(pl)的增加而显著增大。[017]晶体的循环应力-应变(CSS)曲线不呈现平台区,但在塑性应变幅范围(5.0×10^(-4)～1.5×10^(-3))内近似出现一准平台。[017]晶体的滞后回线形状参数V_H在γ_(pl)=9.4×10^(-4)下可用来确定驻留滑移带(PSB)的萌生应力,其萌生应力约为39MPa。而在其他一些应变幅下,V_H与PSB的形成无明显对应关系。对于取向位于标准取向三角形001/011边上的铜单晶体,由011→001方向,其初始硬化速率逐渐升高,CSS平台行为发生明显的变化,从类似单滑移晶体的结果过渡到类似多晶体的结果,即:由较宽的平台区的出现([011]晶体),到平台区的缩短([034]和[012]晶体),再到准平台区的出现([017]晶体),直至平台区的完全消失([001]晶体)。

关键词：铜单晶体临界双滑移循环形变应力-应变曲线