检索结果-南通市图书馆

功能材料 2014年第13期45卷 13067-13070,13075页

作者：林涛史萍萍邵慧萍何新波北京科技大学新材料技术研究院北京100083

采用化学镀法制备铜包钨复合粉,通过前处理工艺、络合剂、还原剂、溶液的pH值以及温度等影响因素研究粉镀层的性能。研究结果表明化学镀铜在前处理工艺中必须要进行完全处理才能使得镀层稳定、均匀;使用络合剂酒石酸钾钠和EDTA-2Na相结... 详细信息

采用化学镀法制备铜包钨复合粉,通过前处理工艺、络合剂、还原剂、溶液的pH值以及温度等影响因素研究粉镀层的性能。研究结果表明化学镀铜在前处理工艺中必须要进行完全处理才能使得镀层稳定、均匀;使用络合剂酒石酸钾钠和EDTA-2Na相结合,可以既减少镀液中游离的铜离子提高溶液的稳定性,也可以在镀液稳定时间将铜离子完全沉淀,提高镀速,当络合剂EDTA-2Na和酒石酸钾钠质量比为1.2时,沉铜速率最快;还原剂甲醛和溶液的pH值也相互影响着镀液的稳定性,结果显示还原剂甲醛的最佳浓度为10~20 mL/L,pH值为12~13;反应最佳温度为45~55℃;制备的铜包覆钨复合粉表面的镀层均匀、连续、致密。

关键词：化学镀铜包钨粉钨铜合金

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

铜包钨复合粉体的电沉积制备技术的研究

铜包钨复合粉体的电沉积制备技术的研究

引用

作者：许久东湖南大学

学位级别：硕士

铜包钨粉是广泛应用于电接触材料、电极材料、军工材料、高密度合金以及电子封装和热沉材料等领域的先进包覆粉体复合材料。采用电镀的方法制备铜包钨粉克服了传统的化学镀方法出现的施镀效率低，镀液循环性差，产品不纯，环境污染等缺... 详细信息

铜包钨粉是广泛应用于电接触材料、电极材料、军工材料、高密度合金以及电子封装和热沉材料等领域的先进包覆粉体复合材料。采用电镀的方法制备铜包钨粉克服了传统的化学镀方法出现的施镀效率低，镀液循环性差，产品不纯，环境污染等缺陷。本文以粒径分布3-16m钨粉为基体，采用间歇电镀的方法制备铜包钨粉，研究了电镀制备铜包钨粉的工艺和大超电势下铜的成核机理。并研究了铜包钨粉对钨铜复合材料显微组织结构及性能的影响。采用扫描电镜（SEM）、能谱分析（EDX）、X射线衍射仪（XRD）等测试手段对复合粉体表面形貌、镀层表面的元素及相组成进行了分析。具体研究成果如下：1、获得了合适的电镀工艺，CuSO460g dm–3，浓H2SO440cm3dm–3，十二烷基硫酸钠0.1g dm3，控制8-12g·dm3钨粉装载量，用12-16A·dm2阴极电流密度，在20-30h1搅拌频率下对钨粉施镀，可以制得包覆完好的铜包钨粉复合粉体。镀层平均厚度约为2.5m，铜含量可达到54.3wt%，钨铜复合粉体的制备效率大大提高。2、铜离子在钨粉表面能量低的地方呈点状沉积，然后不断生长，最后扩展到整个钨粉表面形成包覆层，镀层均匀致密;EDX和XRD结果显示复合粉体中无杂质存在，表面的铜镀层以晶态形式存在，镀层较厚且包覆完整。3、施加合适的电流密度和搅拌频率能够有效地控制铜在粉体上电镀，合适的搅拌频率，可以避免电镀过程钨粉的团聚现象，将电镀钨粉打碎并重新分散，促使内层粉体与表层粉体不断地变化、转换，保证粉体受镀的均匀性。4、大超电势下铜的成核遵循瞬时成核机理，且沉积电势越负，铜的成核越向瞬时成核曲线方向偏移。大的电流密度下铜的成核密度大，有利于在大比表面积的钨粉表面形成均匀致密的铜镀层。5、研究了有机添加剂在电解液中的作用，适量聚乙二醇能有效增大阴极极化，增大电化学反应电阻，提高极化超电势，使铜电结晶的成核尺寸减小，从而获得均匀致密的铜镀层。6、铜包钨粉能够改善钨铜复合材料的组织均匀性，降低材料的孔隙度。铜基体形成连续三维导电网络结构，钨颗粒更趋弥散，增强了铜、钨间的界面结合力。钨铜复合材料的密度、硬度和导热导电性显著提高，热膨胀系数明显降低，钨铜复合材料的性能有显著提高。

关键词：铜包钨粉粉体电镀间歇电镀成核机理钨铜复合材料

来源：

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

钨粉表面化学镀铜沉积过程中的开路电位

引用

过程工程学报 2015年第6期15卷 1012-1017页

作者：刘强徐瑞东何世伟昆明理工大学冶金与能源工程学院云南昆明650093

采用电化学工作站测试了化学镀铜液中钨片及钨粉压片表面开路电位的变化规律,并对化学镀铜钨片及铜包钨复合粉进行了分析.结果表明,刚浸入化学镀铜液时,钨粉开路电位约为-600 mV,经微增、速降过程后短时达到稳定电位(约-870 mV),之后再... 详细信息

采用电化学工作站测试了化学镀铜液中钨片及钨粉压片表面开路电位的变化规律,并对化学镀铜钨片及铜包钨复合粉进行了分析.结果表明,刚浸入化学镀铜液时,钨粉开路电位约为-600 mV,经微增、速降过程后短时达到稳定电位(约-870 mV),之后再迅速升高,300 s时基本达到稳态沉积电位(约-690 m V),此时,铜单膜层包覆基本完成.EDTA×2Na与TART复合络合剂通过调节钨粉表面电荷分布促进铜包覆反应,微量(≤10 mg/L)添加剂2,2'-联吡啶能有效抑制镀层中Cu_2O生成,改善镀层质量.

关键词：化学镀铜铜包钨粉开路电位膜层包覆

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：