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Liquid-phase oxidation of ethylamine to acetaldehyde oximes over tungsten-doped zeolites

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Science China Chemistry 2017年第7期60卷 942-949页

作者： Jianghong Ding Hao Xu Haihong Wu Peng Wu Shanghai Key Laboratory of Green Chemistry and Chemical Processes School of Chemistry and Molecular EngineeringEast China Normal UniversityShanghai 200062China

The liquid-phase oxidation of ethylamine with hydrogen peroxide was studied over tungsten-doped zeolites to develop a clean and simple route for producing acetaldehyde oxime. The investigations were firstly performed over W/MOR, where the coordinated state as well as the acidity of the W species were characterized. The reaction parameters, including H_2O_2 amount, solvent,temperature, tungsten content as well as catalyst amount, governed the activity and oxime selectivity. Under optimized reaction conditions, W/MOR showed an ethylamine conversion and corresponding oxime selectivity of 18.3% and 88.9%. W/MOR showed a superior performance in comparison to other tungsten-containing zeolites of W/Beta, W/MWW and W/Y. Although W/MOR exhibited lower amine conversion than titanosilicates of TS-1 and Ti-MWW, it gave higher selectivity to the main product of oxime. Moreover, W/MOR proved to be a robust catalyst, exhibiting a stable catalytic performance after being reused at least for 5 times.

关键词：液相氧化乙醛肟钨掺杂 β沸石乙胺催化剂用量 H2O2用量性能稳定

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溅射法制备氧化钒薄膜的研究

溅射法制备氧化钒薄膜的研究

作者：陈颖超暨南大学

学位级别：硕士

VO2是一种倍受关注的智能温控材料，随着温度的变化，在68℃时，其电学、光学性质随着晶态结构发生从低温半导体相—高温金属相的转变而发生突变，而且此相变过程可逆。VO2的光波透射和反射特性随外界温度改变进行自动调节，所以使得它... 详细信息

VO2是一种倍受关注的智能温控材料，随着温度的变化，在68℃时，其电学、光学性质随着晶态结构发生从低温半导体相—高温金属相的转变而发生突变，而且此相变过程可逆。VO2的光波透射和反射特性随外界温度改变进行自动调节，所以使得它成为智能节能窗的首选材料。研究表明，VO2的相变温度可以通过杂质掺杂进行调整。本文采用两步工艺，以普通玻璃为基底材料，先用射频磁控溅射工艺制备出高纯度的钒薄膜以及钨掺杂的钒薄膜，再在箱式炉空气气氛中退火氧化热处理，得到VO2含量较高的未掺杂的氧化钒薄膜及钨掺杂氧化钒薄膜。采用X射线衍射仪（XRD）、X射线光电子能谱仪（XPS）分析确定了薄膜的晶体结构及化合价态，原子力显微镜（AFM）观察了薄膜表面微观形貌特征，傅里叶变换红外光谱仪（FT-IR）、自制薄膜电阻测量装备分别研究了薄膜的光学性能和电学性能。结果表明溅射90min，400℃空气氛围中热处理2h制备的未掺杂以及钨掺杂氧化钒薄膜具有良好相变性能。未掺杂氧化钒薄膜具有50℃左右相变温度，热滞宽度约为15℃，在光波长2500nm处相变前后薄膜光透过率变化37%，电阻率发生约两个数量级的变化。掺钨后，薄膜的相变温度降低10℃左右，热滞宽度变窄，红外光透过率约减小5%，电阻突变幅度较掺杂前降低。分析表明玻璃基片中的Na+随着热处理温度的升高会扩散到样品薄膜中。

关键词：射频磁控溅射氧化钒薄膜钨掺杂热致相变

多孔VO2基薄膜的制备及其热致变色性能研究

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多孔VO2基薄膜的制备及其热致变色性能研究

作者：胡灵婷武汉理工大学

学位级别：硕士

VO是一种智能热致变色材料,在大约68℃会发生金属-半导体(MST)转变,金属-半导体转变会发生晶型结构的变化,从高温四方结构(R相,P4/mnm)变成低温单斜结构(M相,P2/c),且伴随着电学性能和光学性能的突变。由于这些特性使其具有广泛的应用前... 详细信息

VO是一种智能热致变色材料,在大约68℃会发生金属-半导体(MST)转变,金属-半导体转变会发生晶型结构的变化,从高温四方结构(R相,P4/mnm)变成低温单斜结构(M相,P2/c),且伴随着电学性能和光学性能的突变。由于这些特性使其具有广泛的应用前景,其中最有潜力的一项是应用于智能玻璃涂层,它可以根据外部环境温度的变化,智能地调节透光率,减少了使用空调等设备控温的额外能耗。尽管VO薄膜具有一系列优异的性能,使之成为智能窗涂层的首选材料。但是要想其应用于建筑还面临着三大问题,可见光透过率低、辐射率高以及相变温度比室温高。本文围绕提高VO薄膜可见光透过率、降低相变温度,采用无机溶胶法通过旋涂氨气退火下成功制备了多孔VO及钨掺杂VO薄膜,通过了XRD、FE-SEM、三维轮廓仪、紫外可见近红外分光光度计、XPS和Raman等测试,探索制备具有优异热致变色性能薄膜的工艺参数。同时,分析了薄膜在高温透过率图谱上形成吸收峰的原因。主要结果如下:(1)采用VO-HO溶胶,旋涂于石英玻璃基板上,在氨气中退火成功制备了多孔VO薄膜,最佳工艺为550C保温30min时,T(20/90C)=54.0%/53.9%,ΔT=7.0%,可见光透过率达约70%。薄膜形貌呈颗粒多孔连续结构。(2)在VO-HO溶胶中加入草酸,成功制备了具有更高可见光透过率和良好热致变色性能的多孔VO薄膜,当溶胶中VO:HCO为1:2时,最佳工艺为500C保温60min,可见光透过率达到80%左右。薄膜在高低温的可见光积分透过率T分别为69.8%,70.2%;薄膜的太阳光调制效率ΔT达到9.5%。当VO:HCO为1:3时,最佳工艺为500C保温30min,高低温可见光积分透过率T分别为63%,62%;太阳光调制效率ΔT为8.0%。溶胶中加入草酸后所制VO薄膜呈现岛状颗粒结构,会使得该薄膜高低温透过率在1000nm-1500nm处会产生一个吸收峰。改变HO的含量,对薄膜形貌及性能有较大影响,随着HO含量增加,颗粒间孔隙增大,T和ΔT都逐渐增加。(3)采用VOCl溶胶成功合成了多孔纯相和W掺杂VO薄膜。当退火压力在2.0×10Pa下时制备的纯相VO薄膜保持着高的太阳光调制能力(ΔT=9.4%,ΔT=52.9%)和良好的可见光透过率(60%)。随着掺杂量增加,薄膜的相变温度从55C(0at.%W)降为28C(2at.%W),且在近红外区保持良好的红外调制能力。

关键词：多孔VO2薄膜热致变色性能溶胶-凝胶法钨掺杂相转变温度

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智能窗用热致变色VO2涂层的制备与性能

智能窗用热致变色VO2涂层的制备与性能

作者：刘鹏太原科技大学

学位级别：硕士

二氧化钒(VO)作为一种典型的热致变色材料,可广泛应用于智能窗领域,是未来建筑领域极具潜在价值的材料。但VO涂层在可见光区透射率较低且相变温度较高,不能直接应用于建筑玻璃表面,阻碍了其产业化。本论文为了提高VO涂层的可见光透射率... 详细信息

二氧化钒(VO)作为一种典型的热致变色材料,可广泛应用于智能窗领域,是未来建筑领域极具潜在价值的材料。但VO涂层在可见光区透射率较低且相变温度较高,不能直接应用于建筑玻璃表面,阻碍了其产业化。本论文为了提高VO涂层的可见光透射率,提出了通过多种沉积工艺构建SiO/VO双层膜,为了降低VO涂层的相变温度,提出了通过多种掺杂工艺构建W-VO膜层,并在此基础上,构建了SiO/W-VO多层膜。以下是具体的工作进展:(1)分别采用VO单独烧成工艺及VO与SiO共烧成工艺制备了SiO/VO热致变色涂层。借助拉曼散射光谱、扫描电子显微镜、原子力显微镜、紫外-可见-近红外光谱分析对涂层的物相组成、微观结构、热致变色和光学性能进行了表征。研究结果表明,SiO/VO涂层的微观结构、热致变色和光学性能强烈地依赖于沉积工艺;其微观结构随SiO胶体不同而略有不同,但热致变色和光学性能无显著差异。采用VO单独烧成工艺制备的SiO/VO涂层具有界面明晰的双层结构且膜层中VO晶化程度较高,因而在热致变色性能无明显损失情况下,涂层的可见光透射性能得到了显著提升。源于碱催化SiO溶胶及VO单独烧成工艺的双层膜样品显示了良好的综合性能,其近红外光调控率为39.6%,太阳能转换效率为8.4%,25℃下可见光积分透射率与太阳能积分透射率分别为68.4%、72.0%。(2)以硫酸氧钒为钒源,白钨酸为钨源,采用先掺杂工艺制备不同掺杂量的W-VO涂层。借助X射线光电子能谱、拉曼散射光谱、透射电子显微镜、扫描电子显微镜、原子力显微镜、紫外-可见-近红外光谱分析对涂层的化学组成、微观结构、热致变色和光学性能进行表征。研究发现,随着掺杂的进行,涂层中出现+3价钒离子且结构由纯单斜相向单斜相与四方相共存转变,钨离子在VO涂层中成功掺杂并起到降低相变温度的作用。本研究中,当掺杂摩尔比(W/V+W)为1 at.%WPTA时,制备的W-VO样品显示了良好的综合性能,其相变温度为42.7℃,近红外光调控能力?T为35.7%,太阳能转换效率?T为8.0%,25℃下的可见光积分透射率T与太阳能积分透射率T分别为52.0%、57.2%。(3)以自制的W-CA-V(IV)溶胶为热致变色W-VO膜层前驱体,以酸、碱催化正硅酸乙酯水解缩聚生成的SiO溶胶为低折射率膜层前驱体,采用W-VO单独烧成工艺构建SiO/W-VO热致变色涂层。研究发现,采用W-VO单独烧成工艺制备的涂层具有界面明晰的多层膜结构且SiO膜层的引入使得涂层的可见光透射性能得到了显著提升。本研究中,以钨掺杂柠檬酸氧钒铵溶胶与酸和碱催化SiO溶胶为前驱体,采用W-VO单独烧成工艺制备的SiO/W-VO多层膜显示了良好的热致变色与光学性能,其近红外光调控能力?T为30.1%,太阳能转换效率?T为6.1%,25℃下的可见光积分透射率T与太阳能积分透射率T分别为71.8%、73.1%。

关键词：热致变色 VO2 SiO2 钨掺杂溶胶凝胶智能窗

介孔VO2纳米晶的结构调控及其热致变色性能研究

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介孔VO2纳米晶的结构调控及其热致变色性能研究

作者：李彬武汉理工大学

学位级别：硕士

智能窗的应用是解决建筑节能问题的一种重要手段。其中单斜晶相(M相)VO因其在接近室温下发生相变及光学性能突变是智能窗薄膜的理想材料。但是纯的VO存在以下几大问题:可见光透过率(T)较低、太阳光调节效率((35)T)较低和相变温度(T)远... 详细信息

智能窗的应用是解决建筑节能问题的一种重要手段。其中单斜晶相(M相)VO因其在接近室温下发生相变及光学性能突变是智能窗薄膜的理想材料。但是纯的VO存在以下几大问题:可见光透过率(T)较低、太阳光调节效率((35)T)较低和相变温度(T)远远高于室温。这大大限制了其在智能窗上的应用。为了解决这些问题,本论文将介孔结构引入到VO晶体中,被空气填充的介孔结构作为薄膜中的第二组成能提高薄膜的可见光透过率,并进行W掺杂来降低相变温度,揭示其结构与性能的内在联系。本论文的主要研究结果如下:1、利用棉花模板法成功地制备了介孔VO纳米颗粒,在450℃真空退火时能完全得到纯的VO(M)晶体。在水热反应温度为120℃、140℃、160℃、180℃时都能合成纯的介孔VO(M)晶体,但是VO(M)晶体和介孔的尺寸不同。随着水热反应温度的升高,VO(M)晶体结晶性越来越好,晶粒尺寸不断增大,而晶体中的介孔尺寸先增大后减小。2介孔VO纳米颗粒的结构包括孔径和晶粒尺寸与其光学性能有密切关系,大的孔径能带来更高的可见光透过率,同时,大的晶粒尺寸能促进太阳光调节效率的提高。因此,随着水热反应温度的升高,VO薄膜的可见光透过率先升高后降低,而太阳光调节效率不断增大。180℃水热温度条件下得到的VO薄膜由于具有较大的晶粒尺寸和孔径使得其具有最好的光学性能,其中太阳光调节效率ΔT达到了12.9%、可见光透过率T有56.0%。3、在水热阶段加入钨酸铵能成功实现W掺杂,并且得到了W掺杂介孔VO粉体。随着W掺量(0.2 at%、0.4 at%、0.6 at%)的增加,VO相变温度从65.3℃降到了39.5℃,VO薄膜的可见光透过率先增大后降低,太阳光调节效率不断降低,在掺杂量为0.4 at%时达到最大值。并且掺杂的效率(实际W掺量与加入的量之比)较高,相变温度的降低幅度较大。0.4 at%W掺杂介孔VO薄膜的整体热致变色性能最平衡,具有优异的太阳光调节效率(ΔT=11.4%),合适的可见光透过率(T=61.6%)和较低的相变温度(T=43℃)。

关键词：介孔结构纳米二氧化钒复合薄膜水热法钨掺杂热致变色性能

Electroless deposition of W-doped Ag films onto p-Si(100)from diluted HF solution

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中国有色金属学会会刊：英文版 2009年第6期19卷 1474-1478页

作者：叶为春马传利王春明周峰 State Key Laboratory of Solid Lubrication Lanzhou Institute of Chemical PhysicsChinese Academy of Sciences Department of Chemistry Lanzhou University

Tungsten-doped silver films were prepared by immersing hydrogen-terminated silicon wafers into the solution of 2.5 mmol/L[Ag2WO4]+0.1 mol/L HF at 50℃.Their growth and composition were characterized with atomic force microscopy and X-ray photoelectron spectroscopy,respectively.The effect of tungstate ions on the deposition of silver was investigated by X-ray diffraction(XRD)and scanning electron microscopy(SEM)by comparing W-doped Ag film with Ag film.It is found that the molar fraction of tungsten in the deposits is about 2.3%and the O to W molar ratio was about 4.0 and W-doped Ag films have good anti-corrosion in air at 350℃.The doping of tungsten cannot change the deposition of silver.

关键词：化学沉积钨掺杂硅(100) 银膜 X射线光电子能谱溶液 HF 稀释

热色变二氧化钒薄膜的可控制备与相变温度调控研究

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热色变二氧化钒薄膜的可控制备与相变温度调控研究

作者：赵新宇武汉理工大学

学位级别：硕士

金红石M相二氧化钒(VO2)在68℃可发生半导体-金属相转变(MIT),随着相变的发生,其光学性质会发生明显的可逆变化,因而具有调节太阳光透过率的VO2薄膜是制备高效节能智能窗的理想材料之一。但由于合成困难、可见光透过率低和相变温度较高... 详细信息

金红石M相二氧化钒(VO2)在68℃可发生半导体-金属相转变(MIT),随着相变的发生,其光学性质会发生明显的可逆变化,因而具有调节太阳光透过率的VO2薄膜是制备高效节能智能窗的理想材料之一。但由于合成困难、可见光透过率低和相变温度较高等问题,目前VO2薄膜在高效节能智能窗上的应用仍未实现。本文以无机溶胶凝胶法制备V2O5溶胶,采用提拉法在石英玻璃基片上镀制掺钨氧化钒薄膜,经高真空退火后得到VO2薄膜。通过变温红外透过、XRD、SEM等表征手段研究了氧分压、退火温度、掺钨量、二次高真空退火等参数变化对薄膜结构、表面形貌、光学性能和相变温度等性能的影响,主要结果如下:(1)氧分压对氧化钒薄膜的晶型和光学性能有重要的影响;在真空度为280Pa下,形成VO2(B)相;在真空度为260 Pa下,生成VO2(M)相晶体;在真空度为240 Pa下,生成VO2(M)和V2O3晶相的复合晶体;在真空度为220 Pa下,生成V2O3晶体。(2)针对W参杂量为1%的薄膜试样,发现:随着保温温度的升高,V2O5分解加快,550℃条件下制备的试样VO2的XRD衍射峰最强。保温温度对薄膜的各项性能的影响不同;510℃制备的薄膜具有最高的太阳光调制能力,达到了4.9%;530℃条件下制备的薄膜有着最好的光学性能,其25℃条件下的可见光平均透过滤为15.04%,2000 nm处红外调制效率为61.1%;在550℃制备的薄膜相变温度为45.9℃,其相变温度最低。(3)采用无机溶胶凝胶法制备的掺钨二氧化钒薄膜,钨原子有效的实现了替位掺杂,从而实现了降低相变温度的目的。随着钨掺量的增加,二氧化钒薄膜相变温度(TC)逐渐降低。当钨掺量0≦x≦1时,二氧化钒薄膜相变温度以-13.9℃/at.%W的效率降温;当掺钨量为1≦x≦1.5时,二氧化钒薄膜相变温度以-23℃/at.%W的效率降温。(4)本实验采用的二次真空退火法,在较低温度条件下(300℃左右),通过引入氧空位,引起晶格的微小畸变,在基本不降低太阳光调制效率的情况下,降低了二氧化钒薄膜的相变温度。未掺杂试样,相变温度从64.7℃下降到59.8℃,2000nm处调制能力下降1.9%,其太阳光调制效率为3.78%,与二次真空退火处理前相比,基本没发生变化;掺杂量为1%的试样,其相变温度从47.5℃下降到42.8℃,2000 nm处调制能力下降4.8%,其太阳光调制效率为3.38%,基本没发生变化。因此,在基本不降低太阳光调制效率的情况下,利用该方法可以进一步降低掺杂二氧化钒薄膜的相变温度,使得薄膜相变温度接近室温,达到节能智能窗的使用条件。

关键词：二氧化钒薄膜溶胶-凝胶法钨掺杂二次退火

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基于智能窗的二氧化钒薄膜制备与性能研究

基于智能窗的二氧化钒薄膜制备与性能研究

作者：郭建华中科技大学

学位级别：硕士

近三十年来,随着全球能源短缺的趋势越来越明显,在重点领域的节能已经成为研究热点。在建筑窗户上贴上一层特殊的薄膜,如果它能根据室内温度对窗外的红外光进行入反射调控,以达到控制室内温度的目的,那么此类窗户称之为智能窗。在建筑... 详细信息

近三十年来,随着全球能源短缺的趋势越来越明显,在重点领域的节能已经成为研究热点。在建筑窗户上贴上一层特殊的薄膜,如果它能根据室内温度对窗外的红外光进行入反射调控,以达到控制室内温度的目的,那么此类窗户称之为智能窗。在建筑上安装智能窗可以有效减少建筑耗能。1.本文对二氧化钒的特性做了的详细阐述,同时也分析了二氧化钒目前的国内外研究现状,从而叙引出了本文的研究目的和研究方向。除此以外,本文还归纳了几种常见的制备二氧化钒薄膜的方法,并且调研了这些制备方法最近的研究成果。2.对基于直流磁控溅射法的二氧化钒薄膜制备工艺进行了多组实验。具体研究了溅射直流电源功率、溅射过程中的氧氩比以及溅射气压等工艺参数对薄膜性能的影响。并且总结出本系列实验中的最佳工艺参数:在200W的钒靶直流电源功率下溅射30min,溅射过程中保持氧氩比为0.04,且工作气压为2.00Pa。将此时制备出的薄膜在500°C下的N2气氛中退火2小时,经过退火后获得的薄膜性能最佳。3.采用双靶磁控溅射法制备出了钨掺杂的二氧化钒薄膜,通过控制靶材功率的大小,比较该参数对制备薄膜性能产生的影响。结果表明:将钒靶功率设置为200W,钨靶功率设置为10W,溅射时长为30min,溅射过程中保持氧氩比为0.04,且工作气压为2.00Pa。制备的掺钨二氧化钒薄膜的相变温度可以降低到35°C左右,适合用做智能窗材料。

关键词：二氧化钒薄膜温控智能窗磁控溅射法钨掺杂

射频磁控溅射法制备ZnO:W-TCO薄膜及其性能研究

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射频磁控溅射法制备ZnO:W-TCO薄膜及其性能研究

作者：马德福景德镇陶瓷学院

学位级别：硕士

透明导电薄膜一被广泛运用在日常的光电产品——太阳能电池透明电极、液晶显示、触摸控制显示器、抗辐射线高透光保护镜及汽车前窗玻璃加热电路等领域,是光电产品的关键材料之一,是我国急需解决的具有共性重大基础的研究问题之一。目前... 详细信息

透明导电薄膜一被广泛运用在日常的光电产品——太阳能电池透明电极、液晶显示、触摸控制显示器、抗辐射线高透光保护镜及汽车前窗玻璃加热电路等领域,是光电产品的关键材料之一,是我国急需解决的具有共性重大基础的研究问题之一。目前,导电性与红外谱域透过率的制约关系,“陨石坑”状绒面的本征制备难以及与p-SiC:H窗口层之间的接触势垒高是ZnO-TCO薄膜应用在太阳能电池前电极上亟待解决的三个关键基础问题。针对ZnO-TCO薄膜应用在太阳能电池前电极上存在:导电与红外透过率存在相互制约和本征制备绒面难的两个基础问题,本文尝试通过射频磁控溅射法,利用高价态W掺杂,提出“ZnO:W薄膜层+过渡层+绒面本征制备”分阶段生长的模式直接制备出具有低阻宽谱域高透过率的绒面ZnO:W-TCO薄膜,并对各阶段生长因素的内在影响机理进行研究探索。1.通过ZnO:W薄膜层生长的正交实验,及与未掺杂ZnO薄膜层的对比分析,研究表明:1)正交实验得到的最优参数水平组合生长出的ZnO:W薄膜层具有优异的透明导电性能,电阻率为3.97× 1 0-5Ω·cm,400～2500nm波长范围的平均透过率超过86.7%;2)生长ZnO:W薄膜层的主次因素依次为:靶衬间距、生长温度、溅射功率、溅射气压和总气体流量;3)对应的最优水平分别为:51mm、RT、200W、1pa和30sccm;4)ZnO:W薄膜层的XRD和XPS分析可得知,W在ZnO:W薄膜层内呈+6价,可有效替代Zn2+,实现高效率掺杂。2.基于最优正交实验结果探索单因素对ZnO:W薄膜层的影响机制,研究表明:1)靶衬间距增大,W掺杂效应减弱是ZnO:W薄膜层电学性能明显下降的主要原因;2)ZnO:W薄膜层适合室温生长;3)溅射功率大于200W时,易产生高能氧负离子,注入在ZnO:W薄膜层内产生浅受主能级,造成补偿,降低载流子浓度,同时,晶粒尺寸会因沉积速率过大而减小;4)等离子体密度和溅射粒子平均自由程的大小对W掺杂效率和ZnO:W薄膜层表面形貌有重要的影响;5)适量的02,虽可提高ZnO:W薄膜层的结晶质量和光学透过率,但活性O容易与W生成W03,会大大减弱W的掺杂效应,致使ZnO:W薄膜电阻率直线上升,因此,在O2氛围下,不利于生长光电性能优异的ZnO:W薄膜层。3.探索生长“过渡层”的研究表明:1)溅射功率、靶衬间距和生长温度分别对沉积粒子的动能和热动能有显著的影响,而沉积粒子的动能和热动能又对“过渡层”晶粒尺寸大小,薄膜致密度和W掺杂效应(会影响晶粒的生长取向)具有重要的影响。对过渡层进行H刻蚀,结果表明:小晶粒尺寸、晶粒取向多向性的“过渡层”有利于刻蚀出绒度较高的绒面结构;2)经探索,生长“过渡层”的最佳工艺参数水平为:靶间距63mm,溅射功率300W和生长温度为150℃。4.制备绒面结构的研究表明:1)正交实验得到的最优参数水平组合生长出的绒面ZnO:W-TCO薄膜表面形貌具有明显的“陨石坑”状,且“陨石坑”的尺寸比较均匀,得到的最优绒面ZnO:W-TCO薄膜方阻为0.58Ω/□,电阻率为9.38×10-4Ω·cm,400～2500nm波长范围内透过率为81.98%,波长550nm处的绒度为13.16%;2)生长刻蚀绒面的主次因素依次为:靶衬间距、溅射功率、氢氩比例和溅射气压;3)相应的最佳水平依次为:51mm、300W、0%和O.1pa;4)从各生长刻蚀因素对薄膜绒面的影响变化规律来看,都是以利于提高溅射粒子的平均自由程获得高能量的趋势来获得良好绒面结构的;5)稳定性能测试实验表明,绒面薄膜电学性能稳定,300℃内依然能保持绒面效果。

关键词：射频磁控溅射法透明导电氧化物(TCO)薄膜钨掺杂分阶段生长过渡层绒面陷光 XPS