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高纯钨单晶坯料预处理工艺探讨

材料科学与工程学报 2000年第Z1期20卷 99-101页

作者：李哲郭让民西北有色金属研究院西安51号信箱710016 西北有色金属研究院西安51号信箱710016

制备高质量的钨单晶的一个前提条件是坯料的纯度水平,而预处理则是决定坯料纯度的重要工序.本文探讨了三种预处理工艺,讨论了不同工艺方法对熔炼稳定性、间隙杂质纯化作用方面的影响,证明采用高纯APT经还原、高温烧结、电子束熔炼预处... 详细信息

制备高质量的钨单晶的一个前提条件是坯料的纯度水平,而预处理则是决定坯料纯度的重要工序.本文探讨了三种预处理工艺,讨论了不同工艺方法对熔炼稳定性、间隙杂质纯化作用方面的影响,证明采用高纯APT经还原、高温烧结、电子束熔炼预处理工艺,可有效降低间隙杂质元素含量,保证区域熔炼过程的稳定性,制备出材质优良,性能稳定的高纯钨单晶产品.

关键词：钨单晶坯料纯度预处理工艺

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高温长时服役钨单晶涂层的微观组织演化

高温长时服役钨单晶涂层的微观组织演化

作者：张红秀北京理工大学

学位级别：硕士

钼(Mo)单晶基体表面化学气相输运沉积{110}晶面择优取向的钨(W)单晶涂层是一种性能优越的热离子能量装换器发射极材料。此发射极需要长时间工作于1500°C以上的高温环境,钨单晶涂层表面质量与涂层基体间的结合性能对整个热离子转换器的... 详细信息

钼(Mo)单晶基体表面化学气相输运沉积{110}晶面择优取向的钨(W)单晶涂层是一种性能优越的热离子能量装换器发射极材料。此发射极需要长时间工作于1500°C以上的高温环境,钨单晶涂层表面质量与涂层基体间的结合性能对整个热离子转换器的功率输出及寿命都有决定性的影响。根据目前所掌握的文献资料,尽管国内外学者对于对于化学输运法制备钨单晶涂层进行了多方面的研究,但对其高温服役微观组织演化的研究甚少。本课题组在沉积体系压力为25.23Pa,基体温度为1200℃和1300℃时,采用化学输运气相沉积(CVTD)法制备的钨单晶涂层宏观上为明显的六面体,且具有交替排列的{110}和{112}表面。位错密度在10量级。电化学蚀刻后,{110}晶面表面为平行排列的台阶结构,{112}晶面表面为较为规则的立方体形,且层层相叠。采用电加热方式将发射极加热到约为1600℃条件下进行了约5000h的发电实验。本文采用金相显微镜、常规高分辨X射线衍射技术、电子探针(EPMA)、蚀坑技术和电子背散射衍射技术(EBSD)等多种实验手段,对高温长时服役的钨单晶涂层的微观组织和W-Mo互扩散层进行了研究。主要研究成果如下:(1).服役后的基体、互扩散层和钨涂层的硬度均有所下降,互扩散层的硬度低于钨单晶涂层。根据蚀坑技术得到钨单晶涂层的位错密度在10量级,比服役前下降了一个数量级。(2).钨单晶涂层{112}晶面出现大量的小晶粒,小晶粒有{100}择优取向,{110}晶面只出现少量亚晶。这主要与{112}面的位错密度大于{110}面的位错密度以及晶面形核功大小有关系。(3).钨单晶涂层{112}晶面的蚀刻形貌基本消失,{110}晶面保留有不明显的蚀刻形貌。这是由于钨单晶{110}晶面的表面自由能低,晶面稳定,元素蒸发慢导致。(4).钨涂层和钼基体的互扩散层厚度约为12μm,用Den Broeder法计算的互扩散系数为10 cm/s数量级。互扩散系数随W含量增加先升高后降低。(5).由于Mo向W中的扩散速率大于W向Mo中的扩散速率,在钼基体中会产生柯肯达尔孔洞。

关键词：钨单晶小晶粒柯肯达尔孔洞 EBSD

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钨单晶中的塑—脆转变特性

钨钼材料 1992年第1期 58-61页

作者：李勇

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钨单晶的热电性能

仪表材料 1974年第4期 60-62页

作者： Е.М.Савицкий 张建华

对于钨热电性能的研究已有大量文献作过报导。鉴于所研究的钨丝是用不同纯度的钨并采用各种不同方法制取的,故所得的钨的分度特性也不一样。而对所研究的钨丝的化学分析大量文献中均无报导。文献所提供的资料证明,用粉末冶金材料制取的... 详细信息

对于钨热电性能的研究已有大量文献作过报导。鉴于所研究的钨丝是用不同纯度的钨并采用各种不同方法制取的,故所得的钨的分度特性也不一样。而对所研究的钨丝的化学分析大量文献中均无报导。文献所提供的资料证明,用粉末冶金材料制取的钨丝做热电极使用起来有一系列困难,因为由于这种钨的纯度低、再加上生产

关键词：钨单晶多晶晶体热电性能结晶取向热电势

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钨单晶的大批量生产技术

稀有金属 1993年第3期 200-200页

作者：曾志龙

日本新技术事业团委托给东京钨公司开发的“钨单晶体的制造技术”已获成功。单晶体在3380℃下热膨胀低,可望用于激光反射镜等方面,目前已确立了可获得平坦平面的大型结晶的大批量生产技术,在世界上首次达到实用规模。钨在高温下具有优... 详细信息

日本新技术事业团委托给东京钨公司开发的“钨单晶体的制造技术”已获成功。单晶体在3380℃下热膨胀低,可望用于激光反射镜等方面,目前已确立了可获得平坦平面的大型结晶的大批量生产技术,在世界上首次达到实用规模。钨在高温下具有优良的强度及耐久性,但多晶钨因晶界的存在而变脆,难以制得平坦的平面。因此也尝试过采用高频或电子束熔融、冷却的方法使其单晶化,但在成本以及单晶体的大小上有限度,因而作为

关键词：钨单晶单晶体应变能

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大尺寸钨单晶的研究

稀有金属材料与工程 1988年第6期 28-32页

作者：周可华西北有色金属研究院

本文报导了培育φ20×80mm大尺寸钨单晶的研究情况。在原料的选择净化提纯,坯料与单晶的直径比,真空度,功率匹配,定向结晶速度,熔区宽度,晶托的培育,引晶技术等方面都作了较为详细的论述,并提供了可靠的数据。

关键词：钨单晶照片锥束环状电子枪高真空大尺寸

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高纯钨单晶坯料预处理工艺研究

稀有金属 2001年第2期25卷 144-146页

作者：李哲郭让民西北有色金属研究院西安710016

探讨了三种预处理工艺 ,讨论了不同工艺方法对熔炼稳定性、排除间隙杂质的作用的影响。采用高纯仲钨酸铵 (APT)经还原、高温烧结、电子束熔炼预处理工艺 ,可有效降低间隙杂质元素含量 ,保证电子束悬浮区域熔炼过程的稳定性 ,制备出材质... 详细信息

探讨了三种预处理工艺 ,讨论了不同工艺方法对熔炼稳定性、排除间隙杂质的作用的影响。采用高纯仲钨酸铵 (APT)经还原、高温烧结、电子束熔炼预处理工艺 ,可有效降低间隙杂质元素含量 ,保证电子束悬浮区域熔炼过程的稳定性 ,制备出材质优良。

关键词：钨单晶坯料纯度预处理工艺电子发射源材料

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钨单晶上AIN单晶生长研究

钨单晶上AIN单晶生长研究

第十七届全国晶体生长与材料学术会议(CCCG-17)

作者：张丽电子集团46所

AlN是直接带隙的超宽禁带半导体材料,具有非常大的禁带宽度(6.2eV)、极高的击穿场强和热导率、优良的热稳定性和耐腐蚀性、良好的光学及力学性能,是制作A1GaN深紫外光电子器件的最佳衬底材料。钨单晶与AlN的热导率相近,热膨胀系数几乎相... 详细信息

AlN是直接带隙的超宽禁带半导体材料,具有非常大的禁带宽度(6.2eV)、极高的击穿场强和热导率、优良的热稳定性和耐腐蚀性、良好的光学及力学性能,是制作A1GaN深紫外光电子器件的最佳衬底材料。钨单晶与AlN的热导率相近,热膨胀系数几乎相同,a轴晶格失配为1.7%,具有高熔点、耐腐蚀性等特点,在PVT法生长A1N的环境下可稳定存在并循环使用。本文以[001]钨单晶为籽晶,利用物理气相传输法生长A1N体单晶。通过表面加工技术和热处理技术,获得适宜AlN单晶生长的钨单晶表面状态。通过工艺优化,控制成核点数量,实现A1N在单晶钨表面的单点成核。在温度为2210℃和氮气压力为500 mbar下,在钨单晶衬底上获得尺寸为3mm*5mm*1.5mm的六边形晶粒。AlN拉曼光谱显示出单晶质量优良,半高宽为7.5arcsec,且出现峰值在889 cm-1的A1(LO)模,表明在[001]钨单晶衬底上生长的A1N单晶沿c面发育。在此晶粒基础上,通过调整工艺条件和反复生长,最终获得基本完整的直径为20mm的黄褐色AlN体单晶。

关键词：氮化铝单晶物理气相传输法钨单晶

来源： cnki会议评论

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研制大直径钨单晶新工艺

云南冶金 1990年第5期 65-65页

作者：席欣

日本东京钨有限公司开展一项由政府投资3.4亿日元,为期三年的研究项目,旨在开发大直径钨单晶生产新工艺。这种钨单晶将用于制造直径100mm 或更大的丝材、板材和管材。以往的加工方法,如拉制或悬浮熔炼仅限于制造直径10mm 的材料。该研... 详细信息

日本东京钨有限公司开展一项由政府投资3.4亿日元,为期三年的研究项目,旨在开发大直径钨单晶生产新工艺。这种钨单晶将用于制造直径100mm 或更大的丝材、板材和管材。以往的加工方法,如拉制或悬浮熔炼仅限于制造直径10mm 的材料。该研究项目

关键词：钨单晶大直径