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真空科学与技术学报 2024年第7期44卷 570-576页

作者：李宇龙李伟王贤艺曹青合肥工业大学机械工程学院合肥230009

非蒸散型吸气剂薄膜近年以来在真空领域受到广泛的研究与应用,但有限的吸气速率和吸气容量阻碍了其进一步的发展。文章使用双槽电化学腐蚀法制备了多孔硅支架,再经过直流磁控溅射沉积了非蒸散型钛锆钒吸气剂薄膜,获得三维结构薄膜吸气... 详细信息

非蒸散型吸气剂薄膜近年以来在真空领域受到广泛的研究与应用,但有限的吸气速率和吸气容量阻碍了其进一步的发展。文章使用双槽电化学腐蚀法制备了多孔硅支架,再经过直流磁控溅射沉积了非蒸散型钛锆钒吸气剂薄膜,获得三维结构薄膜吸气剂。通过高分辨场发射扫描电子显微镜、热重分析、真空吸氢测试分别对薄膜的形貌和吸气性能进行了研究。吸氢性能测试结果表明,沉积在硅片与多孔硅支架上的400 nm厚度的薄膜,最大吸气速率分别为0.035 L·s^(-1)·cm^(2)和0.100 L·s^(-1)·cm^(-2),提升了185.71%;吸气容量分别为0.143 Pa·L·cm^(-2)和0.353 Pa·L·cm^(-2),提升了146.85%。将薄膜沉积在多孔硅支架上,提高了吸气剂的比表面积和孔隙率,增大了气体分子与吸气剂表面的接触面积,促进了吸气剂对气体分子的表面吸附和扩散作用,有效的增强了非蒸散型吸气剂薄膜的吸气性能。

关键词：非蒸散型吸气剂薄膜多孔硅支架钛锆钒吸气性能

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TiZrV吸气剂激活过程的XPS分析

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真空科学与技术学报 2009年第2期29卷 160-163页

作者：褚永俊熊玉华杜军尉秀英秦光荣北京有色金属研究总院先进电子材料研究所北京100088

本文用x射线光电子能谱仪（XPS）对TiZrV合金吸气剂的激活过程进行了监测，研究了吸气剂表面Ti、Zr、V、O、C元素的化学价态随温度的变化。实验结果表明：暴露过大气的TiZrV吸气剂表面的佻、Zr和V主要以氧化态的形态存在。当吸气剂置于... 详细信息

本文用x射线光电子能谱仪（XPS）对TiZrV合金吸气剂的激活过程进行了监测，研究了吸气剂表面Ti、Zr、V、O、C元素的化学价态随温度的变化。实验结果表明：暴露过大气的TiZrV吸气剂表面的佻、Zr和V主要以氧化态的形态存在。当吸气剂置于高真空激活时，钒的氧化物在较低的温度（250℃-300℃）开始被还原，钛的氧化物在稍高于钒的温度（300℃）也开始被还原，400℃时表面已经有大量的金属钛的存在，而压的氧化物在（100℃～400℃）激活过程中，则没有明显的变化。

关键词：钛锆钒非蒸散型吸气剂激活过程 X射线光电子能谱

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