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  • 3 篇 期刊文献

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学科分类号

  • 3 篇 工学
    • 3 篇 材料科学与工程（可...
    • 3 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 3 篇 金属-氧化物-半导...
  • 1 篇 沟槽形状
  • 1 篇 肖特基二极管
  • 1 篇 al2o3/n-gan
  • 1 篇 电离辐射损伤
  • 1 篇 原子层沉积
  • 1 篇 沟槽式肖特基二极...
  • 1 篇 电容特性
  • 1 篇 热载流子损伤

机构

  • 1 篇 南京大学
  • 1 篇 轻工过程先进控制...
  • 1 篇 杭州启沛科技有限...
  • 1 篇 中科院新疆物理研...

作者

  • 1 篇 艾尔肯
  • 1 篇 任迪远
  • 1 篇 赵毅
  • 1 篇 张国强
  • 1 篇 焦晋平
  • 1 篇 严荣良
  • 1 篇 郑有炓
  • 1 篇 蔡银飞
  • 1 篇 闫大为
  • 1 篇 余学峰
  • 1 篇 李丽莎
  • 1 篇 黄红娟
  • 1 篇 任舰
  • 1 篇 郭旗
  • 1 篇 陆妩
  • 1 篇 范隆
  • 1 篇 顾晓峰
  • 1 篇 施毅
  • 1 篇 翟东媛

语言

  • 3 篇 中文
检索条件"主题词=金属-氧化物-半导体结构"
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原子层沉积Al2O3／n-GaN MOS结构的电容特性：
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物理学报 2013年 第19期62卷 414-419页
作者： 闫大为 李丽莎 焦晋平 黄红娟 任舰 顾晓峰 轻工过程先进控制教育部重点实验室 江南大学电子工程系无锡214122
利用原子层沉积技术制备了具有圆形透明电极的Ni/Au/Al2O3/n-GaN金属-氧化物-半导体结构,研究了紫外光照对样品电容特性及深能级界面态的影响,分析了非理想样品积累区电容随偏压增加而下降的物理起源.在无光照情形下,由于极长的电子发... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
沟槽形状对硅基沟槽式肖特基二极管电学特性的影响
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物理学报 2014年 第12期63卷 304-310页
作者： 翟东媛 赵毅 蔡银飞 施毅 郑有炓 南京大学电子科学与工程学院 南京210093 杭州启沛科技有限公司 杭州311121
随着对电子产品节能环保要求的提高,对广泛应用于电子产品的肖特基二极管电学性能的要求也越来越高.含金属-氧化物-半导体结构的沟槽式肖特基二极管(trench barrier Schottky diodes,TMBS)由于其优异的性能而备受青睐.沟槽结构对提高肖... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
MOS电容的热载流子损伤及其与电离辐射损伤的关系
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固体电子学研究与进展 2001年 第1期21卷 103-108页
作者： 任迪远 余学峰 艾尔肯 张国强 陆妩 郭旗 范隆 严荣良 中科院新疆物理研究所 乌鲁木齐830011
通过对国产加固 N型 MOS电容进行衬底热电子高场注入 ( SHE)及 γ总剂量辐照实验 ,特别是进行总剂量辐射损伤后的热载流子损伤叠加实验 ,从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及其界面态的能量分布变化等角度研究比较了 MOS结构热载流子... 详细信息
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