检索结果-南通市图书馆

电子显微镜在金属-半导体纳米线界面原位合金化中的应用

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

分析仪器 2012年第5期 23-27页

作者：王岩国中国科学院物理研究所北京100190

利用原位电子显微方法研究了金属-ZnSe半导体纳米线界面合金化过程,结果表明:在脉冲电流的作用下,ZnSe纳米线可以产生明显的焦耳热效应,导致金属-ZnSe纳米线界面发生合金化反应。通过调整纳米线与金属电极的接触面积,可将焦耳热效应准... 详细信息

利用原位电子显微方法研究了金属-ZnSe半导体纳米线界面合金化过程,结果表明:在脉冲电流的作用下,ZnSe纳米线可以产生明显的焦耳热效应,导致金属-ZnSe纳米线界面发生合金化反应。通过调整纳米线与金属电极的接触面积,可将焦耳热效应准确控制在界面内,进而实现纳米尺度的合金化反应。

关键词：电子显微镜原位合金化金属-半导体界面

绝缘层LiF/Al电极对提高P-PPV发光器件发光性能的研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

发光学报 2005年第4期26卷 469-472页

作者：林海波徐晓轩吴宏滨王斌俞钢张存洲南开大学泰达应用物理学院天津300457 华南理工大学材料学院高分子光电材料及器件研究所广东广州510640

为了提高聚合物电致发光器件中Ba(Ca)/A l阴极的稳定性,在该阴极与聚合物发光材料poly(2-(4-ethylexyl)phenyl-1,4-phenylene vinylene)(P-PPV)层之间插入一层7 nm的L iF绝缘层,发光器件的发光性能在多项参数(发光器件的电压-电流特性... 详细信息

为了提高聚合物电致发光器件中Ba(Ca)/A l阴极的稳定性,在该阴极与聚合物发光材料poly(2-(4-ethylexyl)phenyl-1,4-phenylene vinylene)(P-PPV)层之间插入一层7 nm的L iF绝缘层,发光器件的发光性能在多项参数(发光器件的电压-电流特性、发光强度及外量子效率,以及电流效率等发光性能指标)上能够与工作性能优良但稳定性较差的Ba(Ca)/A l电极结构PLED s器件的发光特性具有可比性。这对于研制高效率、高稳定的聚合物电致发光器件并最终将其用于商业目的,具有重大现实意义。

关键词：聚合物发光二极管 P-PPV LiF 金属-半导体界面

Phonons in Quantum-Dot Quantum Well

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Communications in Theoretical Physics 2004年第4X期42卷 609-618页

作者： QINGuo-Yi DepartmentofPhysicsandJiangsuProvincialKeyLaboratoryofPhotonicandElectronicMaterialScience NanjingUniversityNanjing210093China

Phonon modes of AlAs/GaAs/AlAs and GaAs/AlAs/metal Pb quantum-dot quantum wells (QDQW's)with the whole scale up to 90 A are calculated by using valence force field model (VFFM) based on group *** optical frequency spectra are divided into two nonoverlapping bands, the AMs-like band and the GaAs-like band,originated from and having frequency interval inside the bulk AlAs optical band and bulk GaAs optical band, *** GaAs-LO (F)-like modes of QDQW's that have maximum bulk GaAs-LO (F) parentages in all modes covering the whole frequency region and all symmetries have always A1 symmetry. Its frequency is controllable by adjusting the structure parameters. In AlAs/GaAs/AlAs, it may be controlled to meet any designed frequency in GaAs-like *** results on GaAs/AMs/metal Pb QDQW's show the same effect of reducing in interface optical phonons by using the metal/semiconductor interface revealed ever by macroscopic model. The frequency spectra in both GaAs-like and AlAs-like optical phonon bands are independent of the thickness of Pb shell as long as the thickness of Pb shell is no less than 5 A. Defects at metal/AlAs interface have significant influence to AMs-like optical modes but have only minor influence to GaAs-like optical modes. All these results are important for the studying of the e-ph interaction in QD structures.

关键词：量子点量子阱声子金属-半导体界面半导体量子点结构砷化镓/砷化铝材料

Ti/Si和Ti/O/Si界面相互作用的研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Journal of Semiconductors 1988年第5期 484-489页

作者：李宝骐季明荣吴建新许振嘉中国科学技术大学结构中心中国科学院半导体研究所合肥北京

本文利用XPS、UPS和AES等分析技术,对不同清洁处理的Ti/Si（111）界面进行了研究.在超高真空(～4 × 10;mbar)中,高纯Ti（99.99％）淀积在Si（111）表面上.Ti/S界面产生相互作用.Ti2p和Si2p芯能级产生化学位移,利用电子组态变化的观点... 详细信息

本文利用XPS、UPS和AES等分析技术,对不同清洁处理的Ti/Si（111）界面进行了研究.在超高真空(～4 × 10;mbar)中,高纯Ti（99.99％）淀积在Si（111）表面上.Ti/S界面产生相互作用.Ti2p和Si2p芯能级产生化学位移,利用电子组态变化的观点解释了所观测到的化学位移.具有氧玷污的Ti 蒸发源,淀积在Si（111）表面上,没有观察到界面相互作用.如果在Si（111）表面存在极薄的氧化层,则在界面处首先形成 Ti的氧化物.文中讨论了氧玷污对界面互作用的影响.

关键词：金属-半导体界面 XPS UPS AES

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

Pt/Si界面化学键性质的研究

Journal of Semiconductors 1988年第5期 524-533页

作者：季明荣吴建新李宝骐许振嘉中国科学技术大学中国科学院半导体研究所合肥北京

在超高真空系统中,超薄层 Pt淀积膜原位蒸发在原子清洁的 Si(111)表面上形成 Pt/Si界面.利用光电子谱技术(XPS和UPS)研究了Pt/Si 界面的化学性质.测量了Si2p和Pt 4f芯能级和价带电子态,并着重研究这些芯能级及电子态在低覆盖度时的变化.... 详细信息

在超高真空系统中,超薄层 Pt淀积膜原位蒸发在原子清洁的 Si(111)表面上形成 Pt/Si界面.利用光电子谱技术(XPS和UPS)研究了Pt/Si 界面的化学性质.测量了Si2p和Pt 4f芯能级和价带电子态,并着重研究这些芯能级及电子态在低覆盖度时的变化.由 Si(2p)峰的强度随 Pt 覆盖度的变化可以清楚证明:在 300 K下淀积亚单原子层至数个单原子层 Pt的 Pt/Si(111)界面发生强烈混合作用,其原子组伤是缓变的.由于Si原子周围的 Pt原子数不断增加,所以 Pt 4f芯能级化学位移随 Pt原子覆盖度的增加而逐步减小,而Si 2p芯能级化学位移则逐步增大.同时,Pt 4f峰的线形也产生明显变化,对称性增加;Si 2p峰的线形则对称性降低.淀积亚单原子层至数单原子层Pt的UPS谱,主要显示两个峰:-4.2eV(A峰),-6.0eV(B峰).A峰随着覆盖度的增加移向费米能边,而B峰则保持不变.这说明Ptd-Sip键合不受周围Pt原子增加的影响.利用Pt/Si界面Pt原子向Si原子的间隙扩散模型讨论了所观察到的结果.

关键词：金属-半导体界面

用同步辐射光电子谱研究氧对GaAs-Al和GaAs-Au界面形成的影响

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

中山大学学报(自然科学版)(中英文) 1987年第2期 63-68页

作者：吕志明潘士宏中山大学物理学系南开大学物理学系

用同步辐射光电子谱研究了吸附于清洁的GaAs(110)解理面上的约0.7个单原子层的氧对Al—GaAs以及Au—GaAs界面形成的影响.初始淀积的铝(1ML)倾向于夺取As—O键中的氧,随后淀积的铝(>1ML)又从Ga—O键中夺取氧,形成Al—O键;Al的进一步增加... 详细信息

用同步辐射光电子谱研究了吸附于清洁的GaAs(110)解理面上的约0.7个单原子层的氧对Al—GaAs以及Au—GaAs界面形成的影响.初始淀积的铝(1ML)倾向于夺取As—O键中的氧,随后淀积的铝(>1ML)又从Ga—O键中夺取氧,形成Al—O键;Al的进一步增加使Al与次层GaAa的置换反应变得明显,其结果生成AlAs,同时被置换出来的Ga穿界面而出现在表面.微量的Au(<1ML)与O—GaAs之间只有微弱的相互作用.随后淀积的Au破坏As—O键并促使形成较稳定的Ga的氧化物,Ga的氧化物层阻止Ga进入Au,但不能阻止As分聚于Au层的表面.

关键词：软X射线光电子谱金属-半导体界面