检索结果-南通市图书馆

作者：王玉林电子科技大学

学位级别：硕士

本文首先对显示技术的发展和多晶硅薄膜的制备方法以及应用前景进行了综述,同时对Ni金属诱导非晶硅横向晶化制备多晶硅的研究现状以及诱导机理与应用等进行了系统概述。多晶硅薄膜晶体管(p-Si TFT)液晶显示器可以实现高分辨率、高集成... 详细信息

本文首先对显示技术的发展和多晶硅薄膜的制备方法以及应用前景进行了综述,同时对Ni金属诱导非晶硅横向晶化制备多晶硅的研究现状以及诱导机理与应用等进行了系统概述。多晶硅薄膜晶体管(p-Si TFT)液晶显示器可以实现高分辨率、高集成度、同时有效降低显示器的功耗,因而成为目前平板显示领域主要研究方向;而以横向晶化多晶硅为有源层的TFT由于在导电方向有更少的晶界、更低的金属杂质污染、更高的载流子迁移率而成为目前有源矩阵液晶显示领域、投影显示、OLED显示等领域研究的热点。本论文系统的研究了基于光脉冲辐射的Ni金属横向诱导晶化低温p-Si材料的制备及TFT器件设计和制作工艺。本研究中,采用PECVD淀积法在玻璃基底上淀积SiNx/a-Si/SiNx复合薄膜,在最上层SiNx上刻蚀窗口并以之为掩模用真空热蒸发方法蒸发镍,使窗口中Ni和a-Si接触,采用金属横向诱导(MILC)和快速退火(RTA)相结合的方法制备了高质量的横向多晶硅带,采用SEM、TEM、波谱分析等分析手段,研究了薄膜的成分和结构以及电气特性。 a-Si薄膜在Ni诱导下,横向晶化温度降低到400℃以下。在环境温度490℃,光脉冲通断时间12s/1.8min的条件下横向生长速率达到40um/h。对退火温度、非晶硅薄膜厚度,RTA光脉冲宽度等参数对Ni金属诱导横向晶化的影响及晶化机理进行了深入的研究。经高分辨率透射电镜对镍条覆盖区的横向表面的高分辩像研究,发现成垂直Ni分界线方向的柱状晶粒,以柱状晶粒层为TFT的沟道,得到大的迁移率。对晶化机理的研究表明,a-Si在Ni诱导下低温晶化是由于Ni扩散进a-Si:H,使Si-Si键从共价键变成类似于金属键形成了Ni的硅化物,降低了Si-Si键的键强,当薄膜在退火过程中,Ni-Si键断裂重组,而形成Si晶核,同时Ni原子从晶态硅中析出,继续向前面的a-Si:H中扩散,并形成Si-Ni混合层而继续诱导a-Si:H晶化。开创性地研究了在卤钨灯管照射下形成的快速退火和Ni金属诱导横向生长相结合的薄膜晶化,观察到晶粒沿着垂直Ni条方向的择优快速生长,此创新成果,对玻璃基板上大面积低温TFT工艺有重要意义。

关键词：多晶硅快速退火金属诱导横向晶化薄膜晶体管

金属诱导非晶硅横向晶化形成的多晶硅的生长研究

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固体电子学研究与进展 2001年第3期21卷 345-349页

作者：秦明 Yuen C Y Poon Vincent M C 黄庆安东南大学微电子中心南京210096 香港科技大学电子与电机工程系

详细研究了金属诱导非晶硅横向晶化时间、温度对晶化生长的影响。结果显示 ,晶化生长速度受温度影响较大 ,其最大生长速度在 6 2 5℃附近。在较高的温度下 ,非晶自发成核和晶化 ,从而限制了金属诱导晶体生长速度。镍诱导源的长度和厚度... 详细信息

详细研究了金属诱导非晶硅横向晶化时间、温度对晶化生长的影响。结果显示 ,晶化生长速度受温度影响较大 ,其最大生长速度在 6 2 5℃附近。在较高的温度下 ,非晶自发成核和晶化 ,从而限制了金属诱导晶体生长速度。镍诱导源的长度和厚度也对晶体生长有影响。

关键词：金属诱导横向晶化晶化速度镍诱导源晶化波多晶硅生长

Ni金属诱导晶化非晶硅(a-Si∶H)薄膜

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液晶与显示 2005年第5期20卷 397-400页

作者：黄金英赵玉环张志伟荆海凌志华中国科学院长春光学精密机械与物理研究所北方液晶研究开发中心吉林长春130031 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室吉林长春130033

对在氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H)上溅射金属Ni的样品进行金属诱导晶化(MIC)/金属诱导横向晶化(MILC),制备多晶硅薄膜(p-Si)的工艺及薄膜特性进行了研究。XRD测量结果表明非晶硅在500℃退火1 h后就已经全部晶化。金属诱导晶化的优选晶向为(2... 详细信息

对在氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H)上溅射金属Ni的样品进行金属诱导晶化(MIC)/金属诱导横向晶化(MILC),制备多晶硅薄膜(p-Si)的工艺及薄膜特性进行了研究。XRD测量结果表明非晶硅在500℃退火1 h后就已经全部晶化。金属诱导晶化的优选晶向为(220),而且晶粒随退火时间的延长而长大。非晶硅薄膜样品500℃下退火6 h后的扫描电镜照片显示,原金属镍覆盖区非晶硅全部晶化,晶粒均匀,平均晶粒大小约为0.3μm,而且已经发生横向晶化。EDS测试Ni在晶化的非晶硅薄膜中的原子百分含量分析表明,金属Ni在MILC过程中的作用只是催化晶化,除了少量残留在MILC多晶硅中外,其余的Ni原子都迁移至晶化的前沿。500℃下退火20 h后样品的Raman测试结果也表明,金属离子向周边薄膜扩散,横向晶化了非晶硅薄膜。

关键词：氢化非晶硅多晶硅金属诱导晶化金属诱导横向晶化

镍硅化物诱导横向晶化制备高性能多晶硅薄膜晶体管

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液晶与显示 2012年第3期27卷 303-307页

作者：彭尚龙胡多凯贺德衍兰州大学物理科学与技术学院甘肃兰州730000

提出一种新的采用镍硅化物作为种子诱导横向晶化制备低温多晶硅薄膜晶体管的方法。分别采用微区Raman、原子力显微镜和俄歇电子能谱对制备的多晶硅薄膜进行结构和性能表征,并以此多晶硅薄膜为有源层制备了薄膜晶体管,测试其I-V转移特性... 详细信息

提出一种新的采用镍硅化物作为种子诱导横向晶化制备低温多晶硅薄膜晶体管的方法。分别采用微区Raman、原子力显微镜和俄歇电子能谱对制备的多晶硅薄膜进行结构和性能表征,并以此多晶硅薄膜为有源层制备了薄膜晶体管,测试其I-V转移特性。测试结果显示,制备的多晶硅薄膜具有较低的金属污染和较大的晶粒尺寸,且制备的多晶硅薄膜晶体管具有良好的电学特性,可以有效地减小漏电流,同时可提高场效应载流子迁移率。这主要是由于多晶硅沟道区中镍含量的有效降低使得俘获态密度减少。

关键词：镍硅化物金属诱导横向晶化多晶硅薄膜晶体管

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用镍硅氧化物源横向诱导晶化的多晶硅薄膜

物理学报 2010年第4期59卷 2775-2782页

作者：刘召军孟志国赵淑云郭海成吴春亚熊绍珍南开大学信息学院光电子薄膜器件与技术研究所天津300071 香港科技大学电子及计算机工程系

采用磁控溅射法,以镍硅合金为靶,制备了一种适用于金属诱导横向晶化的氧化物镍源——自缓释镍源.该镍源在内部构成和晶化现象上都不同于纯金属镍源.采用该镍源制备低温多晶硅材料,晶化速率不明显依赖于镍源薄膜的厚度,且晶化多晶硅膜内... 详细信息

采用磁控溅射法,以镍硅合金为靶,制备了一种适用于金属诱导横向晶化的氧化物镍源——自缓释镍源.该镍源在内部构成和晶化现象上都不同于纯金属镍源.采用该镍源制备低温多晶硅材料,晶化速率不明显依赖于镍源薄膜的厚度,且晶化多晶硅膜内的残余镍量亦可有效降低,可为薄膜晶体管提供宽的工艺窗口.本文对用纯金属镍源所得多晶硅薄膜的晶化率、表面粗糙度、电学特性等与溅射条件的关系进行了研究,并对相应结果进行了讨论.

关键词：自缓释金属诱导横向晶化多晶硅薄膜低温制备与退火

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低温多晶硅薄膜的制备评述

材料科学与工程学报 2008年第2期26卷 298-301页

作者：杨定宇蒋孟衡杨军成都信息工程学院光电技术系四川成都610225

低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS-TFT)驱动技术是实现大尺寸全彩平板显示的必由之路。然而,传统的低温多晶硅薄膜制作工艺存在着工序复杂、薄膜均匀性差、可能有金属污染且造价昂贵等问题。因此,有必要研发新一代的低温多晶硅薄膜制备工艺以... 详细信息

低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS-TFT)驱动技术是实现大尺寸全彩平板显示的必由之路。然而,传统的低温多晶硅薄膜制作工艺存在着工序复杂、薄膜均匀性差、可能有金属污染且造价昂贵等问题。因此,有必要研发新一代的低温多晶硅薄膜制备工艺以期进一步提高薄膜质量,降低驱动成本。本文首先介绍了金属诱导横向晶化法(MILC)和准分子激光晶化法(ELA)制备低温多晶硅薄膜的原理,分析了两者各自的优缺点。接着,重点阐述了电感耦合等离子体化学气相沉积法(ICP-CVD)的工作原理和特点,并介绍了目前ICP-CVD在低温多晶硅薄膜制备上所取得的进展。

关键词：低温多晶硅薄膜金属诱导横向晶化准分子激光晶化电感耦合等离子体化学气相沉积

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自缓释镍源的横向诱导晶化多晶硅薄膜晶体管

Journal of Semiconductors 2008年第10期29卷 2009-2013页

作者：刘召军孟志国赵淑云王文郭海成吴春亚熊绍珍南开大学光电子器件与技术研究所天津300071 香港科技大学电子及计算机工程系

以镍硅合金靶作为溅射源,采用磁控溅射方法制备了一种自缓释镍源.控制合适的自缓释镍源的准备条件,以单一方向横向晶化条件对非晶硅薄膜进行再晶化,可以获得低残余镍含量、大晶粒、高薄膜质量的多晶硅.以此多晶硅为有源层进行了薄膜晶... 详细信息

以镍硅合金靶作为溅射源,采用磁控溅射方法制备了一种自缓释镍源.控制合适的自缓释镍源的准备条件,以单一方向横向晶化条件对非晶硅薄膜进行再晶化,可以获得低残余镍含量、大晶粒、高薄膜质量的多晶硅.以此多晶硅为有源层进行了薄膜晶体管研究.制备的p型TFT器件具有良好的特性,可有效地减小漏电流,同时具有很好的均匀性和稳定性.

关键词：金属诱导横向晶化多晶硅薄膜低温制备退火处理

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低温多晶硅薄膜制备技术应用进展

电子元件与材料 2007年第8期26卷 8-11页

作者：杨定宇蒋孟衡涂小强成都信息工程学院光电技术系四川成都610225

系统介绍了金属诱导横向晶化法、准分子激光晶化法、触媒化学气相沉积法(Cat-CVD)以及电感耦合等离子体化学气相沉积法(ICP-CVD)制备低温多晶硅薄膜的原理及进展。对不同制备工艺的优势和不足进行了比较,重点讨论了Cat-CVD和ICP-CVD在... 详细信息

系统介绍了金属诱导横向晶化法、准分子激光晶化法、触媒化学气相沉积法(Cat-CVD)以及电感耦合等离子体化学气相沉积法(ICP-CVD)制备低温多晶硅薄膜的原理及进展。对不同制备工艺的优势和不足进行了比较,重点讨论了Cat-CVD和ICP-CVD在实用化中需克服的技术问题。对上述制备方法的应用前景作了评述和展望。

关键词：半导体技术低温多晶硅薄膜综述金属诱导横向晶化准分子激光晶化触媒化学气相沉积电感耦合等离子体化学气相沉积

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低温多晶硅薄膜的制备工艺研究

真空 2008年第1期45卷 41-44页

作者：杨定宇蒋孟衡杨军成都信息工程学院光电技术系四川成都610225

低温多晶硅薄膜是制备高性能薄膜晶体管的首选材料,由其制成的薄膜晶体管由于在平板显示器件驱动中所展现的优越性能而受到广泛关注。本文系统介绍了低温多晶硅薄膜的三种制备方法—金属诱导横向晶化法、准分子激光晶化法和电感耦合等... 详细信息

低温多晶硅薄膜是制备高性能薄膜晶体管的首选材料,由其制成的薄膜晶体管由于在平板显示器件驱动中所展现的优越性能而受到广泛关注。本文系统介绍了低温多晶硅薄膜的三种制备方法—金属诱导横向晶化法、准分子激光晶化法和电感耦合等离子体化学气相沉积法的原理和研究进展,比较了它们之间各自的优缺点,最后对该领域的发展前景进行了展望。

关键词：低温多晶硅薄膜金属诱导横向晶化准分子激光晶化电感耦合等离子体化学气相沉积