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电瓷避雷器 2009年第3期 31-33,38页

作者：余芳金青郭洁赵珊西安交通大学电气工程学院高压教研室西安710049 西安电力高等专科学校西安710032 延安供电局陕西延安716000

随着超高压气体绝缘变电站(GIS)的广泛使用,由隔离开关(DS)和断路器(CB)操作引起的快速暂态过电压(VFTO)的危害越加明显。以西北地区750 kV官亭GIS变电站为计算原型,利用电磁暂态程序(EMTP)对不同运行方式下GIS设备上的VFTO进行数值仿... 详细信息

随着超高压气体绝缘变电站(GIS)的广泛使用,由隔离开关(DS)和断路器(CB)操作引起的快速暂态过电压(VFTO)的危害越加明显。以西北地区750 kV官亭GIS变电站为计算原型,利用电磁暂态程序(EMTP)对不同运行方式下GIS设备上的VFTO进行数值仿真计算和分析。重点在于对不同运行方式下金属氧化物避雷器(MOA)的限制过电压效果进行分析。计算结果表明:DS无分合闸电阻时,MOA防护效果更明显;MOA主要的抑制效果体现在MOA附近的设备上,对于远离MOA的设备上的VFTO的抑制效果较小;由于VFTO持续的时间极短,通过MOA的能量很小。

关键词：气体绝缘变电站快速暂态过电压隔离开关断路器电磁暂态程序金属氧化物避雷器

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纳米薄膜沉积及金属氧化过程中力学行为的分子动力学模拟

纳米薄膜沉积及金属氧化过程中力学行为的分子动力学模拟

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作者：王新海华东理工大学

学位级别：硕士

分子动力学模拟是计算机仿真模拟中正在迅速发展的一种模拟方法。与以往分子模拟方法相比,其根据牛顿经典力学原理计算原子在每一时刻的运动情况,能够定量地分析实验现象中物理内部原子的真实运动情况,它对真实固体的宏观性质上的计算... 详细信息

分子动力学模拟是计算机仿真模拟中正在迅速发展的一种模拟方法。与以往分子模拟方法相比,其根据牛顿经典力学原理计算原子在每一时刻的运动情况,能够定量地分析实验现象中物理内部原子的真实运动情况,它对真实固体的宏观性质上的计算具有更高的准确性和有效性,方便对各种宏观过程的演变机制进行深入了解。同时由于其能将凝聚态物质的宏观与微观特性相结合,能够对理论计算和实验研究起到辅助解释作用,已被广泛地用来研究晶态,非晶态,液态以及其它复杂体系的结构和特性,具有良好的发展空间和研究前景。本文采用三维分子动力学模拟方法,利用开源C++代码软件Lammps模拟载能Al原子在Cu基底上的沉积过程以及单晶铝金属氧化过程,对Al薄膜成膜过程及能量对薄膜沉积过程的影响、晶向与温度对单晶铝金属氧化过程力学行为的影响等问题进行了深入的研究和讨论。主要工作和研究结果如下：(1)通过对软件开源C++代码的学习研究和调试,成功编写并嵌入了deposit的升级模块,提出了多晶基体的建模方法,实现了保持恒定原子数的嵌入,保证模拟的可行性和有效性;(2)通过对载能Al原子在Cu[001]面原子沉积过程的计算模拟表明：薄膜的生长结构与基底材料的选择有着密切的关系。沉积原子在沉积过程的初期,薄膜结构会优先匹配基体原子的晶体结构生长,随着薄膜厚度的增加,薄膜的结构会逐步转向自身原子的某一晶面方向生长;(3)通过沉积能量对薄膜沉积过程的影响的研究表明：沉积能量的大小与薄膜生长结构的晶体化程度密切相关。当入射能量较低时,薄膜结构晶化程度良好。随着入射原子能量的增大,金属薄膜结构非晶体化,并同时会有基体原子进入薄膜内部,形成对沉积薄膜的混杂。采用高温退化的方法可以有效地消除沉积薄膜晶体结构的缺陷;(4)采用近期发展的reax反应力场,实现了对铝金属氧化过程的分子动力学模拟。对不同晶向与氧化过程氧化动力学及力学行为的关系研究表明：铝金属氧化物薄膜的生长机制是不依赖于晶向的,即[100]、[110]、[111]晶向初始氧化过程几乎是一致的。但由于不同晶向的面密度不同,最终的氧化膜厚度不同,且随着面密度增大而增大,分别为1.3nm、1.36nm、1.53nm。不同晶向的氧化膜生长应力,也是随着面密度的升高而增大。(5)随着温度的升高,同一晶向条件下,铝金属的氧化速度也是逐渐升高的。最终所达到的极限氧化膜厚度也随温度的升高而增大,分别为1.36nm、1.4nm、1.5nm。氧化速度越快,氧化膜内的峰值应力越大。初始压应力的存在促进了铝金属的氧化。

关键词：分子动力学薄膜沉积金属氧化氧化动力学力学性能

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金属氧化铝半导体晶体管只读存贮器

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电子计算机参考资料 1970年第6期 34-39页

作者：辻出彻

最近,由于信息量不断增加,对计算机的大容量化、高密度、高速化、低成本的要求越来越高。为此,除了使用写入和读出重复性几乎相同的暂存器外,还研制成了只读存贮器,其用途是把固定信息多次重复读出,目前这种存贮器颇受重视。只读存贮器... 详细信息

最近,由于信息量不断增加,对计算机的大容量化、高密度、高速化、低成本的要求越来越高。为此,除了使用写入和读出重复性几乎相同的暂存器外,还研制成了只读存贮器,其用途是把固定信息多次重复读出,目前这种存贮器颇受重视。只读存贮器的特点是,写入时间此读出的取数时间长,写入用的外围电路简单,所以其造价低,而且由于只读出,故可缩短运算时间。只读存贮器不仅可做为数字表

关键词：半导体晶体管金属氧化地址沟道阵列栅极基板

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金属氧化膜的外逸电子发射

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腐蚀与防护 1981年第2期 13-16页

作者：马圣驷中国科学院冶金研究所

Ⅰ前言外逸电子(Exoelectron)系指从经受某种处理后的材料(金属、半导体、介质)表面发射的低能电子。最早发现并提出这一效应的是德国物理学家***,故又称为克拉玛效应。当材料经受辐照、变形、磨蚀、氧化、相变、吸附等处理后,从材料表... 详细信息

Ⅰ前言外逸电子(Exoelectron)系指从经受某种处理后的材料(金属、半导体、介质)表面发射的低能电子。最早发现并提出这一效应的是德国物理学家***,故又称为克拉玛效应。当材料经受辐照、变形、磨蚀、氧化、相变、吸附等处理后,从材料表面在激发或无激发的情况下就开始发射电子。这些电子能量普遍较低,一般只有零点几到几个电子伏。为提高探测灵敏度往往应

关键词：电子发射金属氧化厚度氧化层表面层阳极氧化膜

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