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主题

  • 1 篇 纳米硅
  • 1 篇 光致发光谱
  • 1 篇 内电场
  • 1 篇 量子限制发光中心
  • 1 篇 发光强度
  • 1 篇 载流子复合率

机构

  • 1 篇 南京大学

作者

  • 1 篇 郑有炓
  • 1 篇 王思慧
  • 1 篇 秦国毅
  • 1 篇 张荣
  • 1 篇 施毅
  • 1 篇 黄凯

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=量子限制发光中心"
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内电场对纳米硅光致发光谱的影响
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物理学报 2004年 第4期53卷 1236-1242页
作者： 黄凯 王思慧 施毅 秦国毅 张荣 郑有炓 南京大学物理系 固体微结构国家重点实验室南京210093
从量子限制发光中心模型出发 ,计算了纳米硅的光致发光 (PL)特征与发光中心间的关系 .研究发现 ,纳米硅与发光中心间的内电场对载流子复合率及峰位振荡有着十分重要的影响 .在 2— 5nm的尺寸范围内 ,纳米硅发光中心上的载流子复合概率... 详细信息
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