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  • 2 篇 理学
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    • 2 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 2 篇 量子阱宽
  • 1 篇 haas振荡
  • 1 篇 二维电子气
  • 1 篇 高电子迁移率晶体...
  • 1 篇 效率下降
  • 1 篇 数值模拟
  • 1 篇 ingan/gan发光二极...
  • 1 篇 shubnikov-de

机构

  • 1 篇 中国科学院半导体...
  • 1 篇 华南师范大学
  • 1 篇 中国科学院上海技...

作者

  • 1 篇 高宏玲
  • 1 篇 朱战平
  • 1 篇 王宝强
  • 1 篇 商丽燕
  • 1 篇 陈常水
  • 1 篇 刘颂豪
  • 1 篇 曾一平
  • 1 篇 李东临
  • 1 篇 周文政
  • 1 篇 李国斌

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=量子阱宽"
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不同量子阱宽度的InP基In_(0.53)GaAs/In_(0.52)AlAs高电子迁移率晶体管材料二维电子气的性能研究
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物理学报 2007年 第8期56卷 4955-4959页
作者： 高宏玲 李东临 周文政 商丽燕 王宝强 朱战平 曾一平 中国科学院半导体研究所 北京100083 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 上海200083
用Shubnikov-de Haas(SdH)振荡效应,研究了在1.4K下不同量子阱宽度(10-35nm)的InP基高电子迁移率晶体管材料的二维电子气特性.通过对纵向电阻SdH振荡的快速傅里叶变换分析,得到不同阱宽时量子阱中二维电子气各子带电子浓度和量子迁移率... 详细信息
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In_xGa_(1-x)N量子阱蓝光LED光电特性与量子阱束缚态能级的关系
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发光学报 2013年 第7期34卷 911-917页
作者： 李国斌 陈常水 刘颂豪 华南师范大学广东省微纳光子功能材料与器件重点实验室激光生命科学教育部重点实验室 广东广州510631
运用软件模拟和理论计算的方法分析了量子阱宽度的变化对量子阱束缚态能级与光电性能产生的影响,建立了束缚态分裂能级理论模型。分析结果表明:当量子阱宽较窄时,极化效应导致的能带弯曲是光谱红移的主要原因,而电子泄漏是导致效率下降... 详细信息
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