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主题

  • 1 篇 禁带宽度
  • 1 篇 纳米材料
  • 1 篇 量子束缚
  • 1 篇 ⅲ-v族化合物
  • 1 篇 锑化铟
  • 1 篇 纳米器件

机构

  • 1 篇 华北光电技术研究...

作者

  • 1 篇 郝秋来

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=量子束缚"
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InSb纳米结构材料与器件进展与展望
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激光与红外 2014年 第10期44卷 1069-1074页
作者： 郝秋来 华北光电技术研究所 北京100015
锑化铟（indium antimonide,熔点～525℃）是一种窄禁带半导体。由于其高的电子迁移率、小的有效质量及在极性III-V族材料中有最大的g因子,因而在高速器件、磁阻器件等方面具有潜在的电子学应用价值,而且已被广泛用于磁敏器件、红外探... 详细信息
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