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MnBi2nTe3n+1中量子反常霍尔效应的测量

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MnBi2nTe3n+1中量子反常霍尔效应的测量

作者：苏子康中国科学院大学(中国科学院物理研究所)

学位级别：硕士

拓扑绝缘体是凝聚态物理近些年来倍受瞩目的研究方向之一,可以在该体系中实现如量子自旋霍尔效应等新奇的量子现象。并且这一体系在未来拓扑量子计算等领域有着广阔的应用前景。随着拓扑绝缘体领域的飞速发展,人们想到了将拓扑绝缘体与... 详细信息

拓扑绝缘体是凝聚态物理近些年来倍受瞩目的研究方向之一,可以在该体系中实现如量子自旋霍尔效应等新奇的量子现象。并且这一体系在未来拓扑量子计算等领域有着广阔的应用前景。随着拓扑绝缘体领域的飞速发展,人们想到了将拓扑绝缘体与磁性相结合,可以打破体系的时间反演对称性,实现量子反常霍尔效应等现象。量子反常霍尔效应能够实现零场下宏观尺寸(毫米级)的无耗散导电通道,可以解决由于电子器件发热所引起的芯片功能受限等一系列问题,有助于解决如今传统计算机摩尔定律的瓶颈。第一个在实验上实现的磁性拓扑绝缘体是Cr掺杂的(Bi,Sb)Te薄膜材料,实现了30 m K下的量子反常霍尔效应。但是由于掺杂导致材料中出现了掺杂不均匀与弱耦合作用等缺点,使得能够观测到量子反常霍尔效应的温度通常在100m K以下。因此人们需要一种本征磁性拓扑绝缘体,以回避由于磁性掺杂所引起的缺点。在本文的工作中,我们通过解离Mn BiTe与Mn BiTe的块材样品得到材料的纳米薄膜,通过微纳加工等手段将其制备成可以在低温下表征其电输运性质的器件。通过调节栅压使单层Mn BiTe薄膜的费米能级处于能隙中时,可以观测到高场下的量子反常霍尔效应,并通过非局域输运测量来确定其中无耗散手性边缘态的存在,并分析了其由低场下安德森绝缘体到高场量子反常霍尔绝缘体的量子相变行为。在测量中同时观测到了由于非磁性杂质引起的普适电导涨落。本文认为在单层Mn BiTe薄膜观测到了由于杂质导致的拓扑安德森量子反常霍尔效应,是一种产生量子反常霍尔效应的新机制。同时还给出了一些简单的Mn BiTe的输运结果证实其相较于Mn BiTe体系不适合作为研究量子反常霍尔效应的平台。这一系列研究结果加深了人们对于量子反常霍尔效应机理的认知,并且为后续进一步在Mn BiTe体系中实现高温低场下的量子反常霍尔效应起推动作用。

关键词：磁性拓扑绝缘体量子反常霍尔效应 MnBi4Te7 MnBi8Te13

二维Kagome晶格Zn2N3中量子反常霍尔效应的第一性原理研究

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二维Kagome晶格Zn2N3中量子反常霍尔效应的第一性原理研究

作者：李明星西南大学

学位级别：硕士

量子反常霍尔效应自实现以来便受到了研究者的广泛关注,其独特的无能量耗散手性边缘态被认为是推进低能耗自旋电子元器件发展的关键角色。掺杂工艺带来的磁性分布不均匀导致拓扑绝缘体BiTe、BiSe仅能在30 m K以下的温度实现量子反常霍... 详细信息

量子反常霍尔效应自实现以来便受到了研究者的广泛关注,其独特的无能量耗散手性边缘态被认为是推进低能耗自旋电子元器件发展的关键角色。掺杂工艺带来的磁性分布不均匀导致拓扑绝缘体BiTe、BiSe仅能在30 m K以下的温度实现量子反常霍尔效应。时至今日,在实验上观测到量子反常霍尔效应的最高温度仍没超过2 K,这对后续的研究以及应用无疑带来了巨大的阻碍。在这样的背景下,找到更多高实现温度的量子反常霍尔效应材料是相当有意义的课题。以某元素单质构成类石墨烯结构的方式发现了许多拓扑非平庸材料,如著名的硅烯和锗烯等等,与C原子同周期的N原子则因为无法形成稳定的类石墨烯结构而被排除在此方式之外。那么能否给N原子提供一个合适的“支架”迫使它形成稳定的类石墨烯结构进而产生拓扑性质呢?为了探究这种方式的可行性,本文提出了一种二维Kagome晶格ZnN,将类石墨烯结构的N原子镶嵌在由Zn原子组成的稳定“支架”中,并采用密度泛函理论结合紧束缚模型计算了ZnN的电子结构、磁性性质以及拓扑性质。主要的研究内容与计算结果如下:首先,完全松弛的ZnN晶体结构具有P6m3对称性,其晶格常数为a=b=6.45(?),声子谱上并没有发现虚频,表明ZnN具有良好的动力学稳定性。其次,能带结构显示,在不考虑自旋轨道耦合时,自旋向下通道拥有3.75 e V的大带隙,而自旋向上通道则在费米能级附近呈现线性色散形式,且在费米能级处形成一个W点。通过对分轨能带以及电荷分布情况的研究,我们发现Zn原子用离子键把N原子紧紧相连,而N原子的P轨道则形成了供电子高速移动的π键,这与石墨烯形成线性色散的机制如出一辙。进一步考虑自旋轨道耦合的影响后,发现在外尔点处打开了约4.3 me V的微小带隙。与此同时,磁性相关的计算结果表明,此体系为铁磁基态且具有垂直于面内的磁矩。随后,基于海森堡模型的蒙特卡洛模拟估算出ZnN的居里温度约为168 K。在由自旋轨道耦合产生的带隙与面外磁矩的共同作用下,体系将会进入拓扑非平庸态。最后,为了验证体系的拓扑结构,通过与PBE能带相互拟合的方式,最局域瓦尼尔函数被构建出来以计算关键的陈数与量子反常霍尔电导,求得的陈数与量子反常霍尔电导分别为1和e/h。此外,独特的手性边缘态用构建表面格林函数的方式给出,结果表明陈数、电子反常霍尔电导、手性边缘态均能一一对应且逻辑自洽,因此ZnN的拓扑性质是真实可靠的,利用合适的“支架”原子迫使N原子构成稳定的类石墨烯结构并以此产生拓扑性质是可行的,ZnN的提出不仅扩充了量子反常霍尔体系的材料库,还为如何探寻新型拓扑材料提供了一条可选的思路。

关键词：二维材料居里温度陈数量子反常霍尔效应

石墨烯量子反常霍尔效应体系中的量子干涉效应

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石墨烯量子反常霍尔效应体系中的量子干涉效应

作者：唐娟北京理工大学

学位级别：硕士

新兴材料石墨烯具有优良的热学、电学和光学性质,其能带结构在低能区呈线性色散关系。石墨烯中的电子表现为零质量的狄拉克费米子,速度是光速的三百分之一,这是低能凝聚态领域中满足高能相对论量子力学的特例。这些性质使得石墨烯拥有... 详细信息

新兴材料石墨烯具有优良的热学、电学和光学性质,其能带结构在低能区呈线性色散关系。石墨烯中的电子表现为零质量的狄拉克费米子,速度是光速的三百分之一,这是低能凝聚态领域中满足高能相对论量子力学的特例。这些性质使得石墨烯拥有很多普通材料所不具备的量子效应,例如克莱因遂穿、半整数量子霍尔效应、量子自旋霍尔效应等。在量子霍尔效应中,电子只能沿着边界输运,拥有特定的运动方向,且背散射被抑制,阻值为零,类似于超导现象。但是目前实验上可以实现量子霍尔效应的材料都需要强磁场和极低温两个条件,因而无法将其投入实际应用中。研究者也因此致力于寻找不需要如此苛刻的条件便可实现量子霍尔效应的材料,其中一类因无需磁场而得名为量子反常霍尔效应材料,破坏时间反演并且存在强自旋轨道耦合的石墨烯便是其中的一种。在外在Rashba自旋轨道耦合和交换场的共同作用下,石墨烯发生拓扑转变,能隙被打开,体系进入量子反常霍尔效应区,并拥有稳定的量子反常霍尔效应边缘态。在此基础上,构造一种和外界弱耦合的量子散射腔,在弱磁场作用下,量子反常霍尔边缘态会在石墨烯散射腔两端的连接处发生反射,并在两个反射态间产生干涉效应,干涉具有明显的周期性,周期和透过散射腔的磁通成反比,模拟计算的结果表明干涉现象由A-B效应引起。如果A、B格子具有不同的势能,空间反演对称性不再保持,体能隙将逐渐缩小直至最后关闭,此时将出现体态和边缘态共存的现象。考虑适当的杂质散射,体态将被局域,只剩下边缘态,我们称之为安德森拓扑绝缘体现象。在安德森拓扑绝缘区,尽管依旧会出现干涉现象,但是干涉效应不再具有明显的周期性。除此之外,实际材料中总是不可避免会混入杂质,计算结果表明干涉效应对杂质散射非常敏感,因此,通过观测量子干涉效应可以定性地判断体系是否存在真正的边缘态。本文将从背景知识,模型和公式以及模拟计算结果等方面对石墨烯量子反常霍尔效应体系中的量子干涉效应进行阐述。

关键词：石墨烯量子反常霍尔效应量子干涉安德森绝缘体拓扑边缘态 A-B效应非平衡格林函数

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应力对石墨烯中量子反常霍尔效应的影响

应力对石墨烯中量子反常霍尔效应的影响

作者：任帅河北师范大学

学位级别：硕士

自从贝里相位被发现以来，这个概念就渗透到了物理学各个领域，人们逐步发现了电子波函数的贝里相位对材料性能有着深远的影响，并成功解释了一系列现象，例如极化、轨道的磁性、各种各样的霍尔效应（量子、反常、自旋霍尔效应），还有... 详细信息

自从贝里相位被发现以来，这个概念就渗透到了物理学各个领域，人们逐步发现了电子波函数的贝里相位对材料性能有着深远的影响，并成功解释了一系列现象，例如极化、轨道的磁性、各种各样的霍尔效应（量子、反常、自旋霍尔效应），还有量子电荷泵。贝里曲率则是贝里相位在一个区域中的积分，它对于我们研究材料的基本特性是非常重要的。本文采用紧束缚近似和贝里曲率的计算研究了应力对石墨烯中量子反常霍尔效应的影响。我们通过计算石墨烯在单轴应力（armchair和zigzag方向）和剪应力作用下的电子特性，又一次证明了应力引入的能带结构的概念。有趣的是，适当大小的应力（特指zigzag方向的应力或剪应力）会在石墨烯中打开一个能量带隙，并且这个带隙可以由应力参数来调控。当这两种应力达到一定程度时，狄拉克点不仅会发生移动，最终还会汇合在一起。我们还调查研究了在应力作用的石墨烯中是否会存在量子反常霍尔效应。人们已经提出了通过Rashba spin-orbit coupling和交换场引入一个量子化的霍尔电导的有效方法。当Rashba SOC和交换场同时存在时，在石墨烯中会产生贝里曲率和非零陈数。但是当加入应力（armchair和zigzag方向的应力或剪应力）后，我们通过计算得到贝里曲率的分布，发现了应力会改变贝里曲率，不再存在非零陈数。随着应力的增大，应力对贝利曲率的改变越显著。所以我们得出这样一个结论，应力会破坏石墨烯中的量子反常霍尔效应。

关键词：石墨烯贝里曲率应力带隙量子反常霍尔效应

n-p共掺杂二维材料的高温量子反常霍尔效应研究

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n-p共掺杂二维材料的高温量子反常霍尔效应研究

作者：杨花玲山西师范大学

学位级别：硕士

物理领域最基本,量子霍尔效应是凝聚态最重要的量子效应之一。在量子霍尔效应中,强外磁场会产生朗道能级使得传导的电子在体内做迴旋导致体内绝缘,边界上的电子不能形成迴旋,使得电子在样品边上只能朝着一个方向传输形成了一个导电通道... 详细信息

物理领域最基本,量子霍尔效应是凝聚态最重要的量子效应之一。在量子霍尔效应中,强外磁场会产生朗道能级使得传导的电子在体内做迴旋导致体内绝缘,边界上的电子不能形成迴旋,使得电子在样品边上只能朝着一个方向传输形成了一个导电通道的边界电流,由于该电流受体系拓扑性的保护,而不会受到缺陷的影响,因此可以应用于设计无耗散或低耗散的电子学器件。但是,这种量子霍尔效应需要极强的外磁场,这是实际器件设计的障碍之一。那么,有没有不需要外加强磁场的量子霍尔效应呢?这种不量子霍尔效应需要施加强的外磁场的就是量子反常霍尔效应。2013年我国科学家首次在实验上成功地观测到了这种现象,但是其观测的温度特别低,只有30m K,这就限制了它在低能耗电子学领域的潜在应用。因此,提高量子反常霍尔效应的观测温度,特别是在制备简单的材料中实现高温量子反常霍尔效应就成为了目前急待解决的问题。自从石墨烯,硅烯被发现以来,一直被认为是自旋电子学材料领域理想的材料。这些物质的晶格结构与1988年美国物理学家Haldane所描述的六角蜂窝结构是完全一样的。其能带结构具有线性的狄拉克色散关系,弱的自旋轨道耦合作用。理论和实验研究表明加强这些二维材料的SOC即自旋轨道耦合有着至关重要的影响。因为许多奇异的物理现象与之息息相关,比如自旋霍尔效应。目前研究表明,在石墨烯,硅烯上吸附过渡金属能够显著的增强它的外禀的自旋轨道耦合作用,进而打开拓扑非平庸的带隙来实现量子反常霍尔效应。但是通过单吸附过渡金属来实现量子反常霍尔效应的方式存在一些问题,如吸附稳定性等。在这篇论文中,我们主要是基于过渡金属原子能够明显增强石墨烯,硅烯的自旋轨道耦合作用,利用n-p共掺杂思想和第一性原理的计算方法,研究了以下两方面的内容:1.首先,我们系统的研究了八种5d过渡金属原子单掺和共掺硼(B)吸附在石墨烯上的稳定情况,接着计算了上述几种原子共掺硼(B)后体系的电子结构,能带图显示硼(B)/铪(Hf)共掺杂石墨烯体系能够产生拓扑非平庸的第一种类型的带隙,大小为20.5me V。此外,在分析能带图的时候我们发现硼(B)/铼(Re)和硼(B)/铂(Pt)共掺杂石墨烯这两个体系有非常明显的自旋劈裂现象,我们对其中的四条能带进行了详细分析,发现自旋劈裂能绝对值?(35)so?达到158meV,比报道的由于内禀的自旋轨道耦合导致的自旋劈裂能大好几个数量级,这个结果有利于设计新型的自旋电子学材料。我们的这个研究为将高温量子反常霍尔效应应用于实际提供了新的解决途径。2.我们研究了5d过渡金属吸附在硅烯体系的稳定性的情况和电子结构。我们首先发现Os掺杂硅烯体系能够打开第一种类型的拓扑非平庸的带隙,大小为13.5meV,因此,可能实现量子反常霍尔效应的。同时我们给Os掺杂硅烯体系上施加了-3%到2%的应力后发现这个体系仍然是可能实现量子反常霍尔效应的,且可调控。我们的这个研究为高温量子反常霍尔效应应用于实际提供了新的方案。

关键词：量子反常霍尔效应 n-p共掺杂石墨烯硅稀Rashba自旋轨道耦合第一性计算原理 5d过渡金属

（类）石墨烯二维材料量子反常霍尔效应的第一性原理研究

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（类）石墨烯二维材料量子反常霍尔效应的第一性原理研究

作者：宁耀辉山西师范大学

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量子反常霍尔效应是一种电子无阻输运的模式,它在样品的边界处存在手性的边界态。但是量子反常霍尔效应从预言到发现用了二十多年的时间,这是因为实现量子反常霍尔效应需要一种非常特殊的材料体系和方法,在科学家不断的交流中,拓扑绝缘... 详细信息

量子反常霍尔效应是一种电子无阻输运的模式,它在样品的边界处存在手性的边界态。但是量子反常霍尔效应从预言到发现用了二十多年的时间,这是因为实现量子反常霍尔效应需要一种非常特殊的材料体系和方法,在科学家不断的交流中,拓扑绝缘体走进大家的视野。拓扑绝缘体是一类新奇的量子物质态,其体态的电子结构表现为绝缘特性,而其表面存在受拓扑保护的具有无耗散弹道输运特征的表面态。这一无耗散的弹道输运特征在未来量子计算机和自旋电子学方面具有潜在的应用价值。如果这项发现能投入应用,超级计算机将有可能成为i Pad大小的掌上笔记本,智能手机内存也许会超过最先进产品的上千倍,除了超长待机时间,还将拥有当代人无法想象的快速。本论文主要研究了如何在两种典型的低维体系在不加外磁场的情况下实现量子反常霍尔效应。第一章首先介绍了拓扑绝缘体的研究背景,然后介绍了整数量子霍尔效应、量子自旋霍尔效应和量子反常霍尔效应的基本概念和研究进展,以及拓扑不变量的概念第二章介绍第一性原理计算的理论基础,包括密度泛函理论的概念和原理,还介绍了在计算过程中常用的一些交换关联泛函和计算程序软件包等。第三章基于第一性原理计算的方法我们研究了三种类型Graphene/Cr Br(Gr/Cr Br)异质结构的拓扑性质,研究发现在Gr/Cr Br和Cr Br/Gr/Cr Br体系中可施加压力来诱导量子反常霍尔效应。进一步的低能k·p模型分析表明,非平庸的拓扑特性主要由于Rashba自旋-轨道耦合(SOC),而不是石墨烯本征的SOC。这为实现高温多通道的量子反常霍尔效应(QAHE)提供了一种可能。第四章基于紧束缚模型分析,在蜂窝状六角格子中由p和p能带翻转引起的拓扑态。在类石墨烯六角格子中的两个子格(AB子格)中,分别引入p和p轨道,通过调节自旋轨道耦合(SOC)的强度可以实现拓扑相变。基于第一性原理,提出两个真实体系,即碘原子半饱和硅烯(SiI)和Si(111)表面生长1/3的Bi原子,来实现p和p能带翻转引起的拓扑态。从而证明该机制的正确性和普适性。第五章对前面进行的工作做了总结,并对今后的工作方向做出了展望。

关键词：类石墨烯二维材料拓扑绝缘体量子反常霍尔效应范德瓦尔斯异质结密度泛函理论贝里曲率陈数

非磁掺杂及磁近邻效应诱导的高温量子反常霍尔效应研究

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非磁掺杂及磁近邻效应诱导的高温量子反常霍尔效应研究

作者：高瑞灵山西师范大学

学位级别：硕士

二维电子体系存在许多新颖的量子现象,其中,最典型的例子之一是量子反常霍尔效应。这一概念最初是由美国物理学家霍尔丹在理论上提出来的,即在零外磁场条件下,也可以实现量子霍尔效应。经过二十多年的努力,特别是石墨烯和拓扑绝缘体发... 详细信息

二维电子体系存在许多新颖的量子现象,其中,最典型的例子之一是量子反常霍尔效应。这一概念最初是由美国物理学家霍尔丹在理论上提出来的,即在零外磁场条件下,也可以实现量子霍尔效应。经过二十多年的努力,特别是石墨烯和拓扑绝缘体发现之后,2010年我国科学家在理论上提出磁掺杂拓扑绝缘体中可以实现量子反常霍尔效应。直到2013年我国科研工作者首次在Cr掺杂(Bi,Sb)Te体系中观测到量子反常霍尔效应,但其观测温度仅有30 m K,这个远低于室温的观测温度极大地限制了它在低能耗自旋电子学器件中的可能应用。因此,寻找一种能够提高其观测温度的方法对于该领域的研究至关重要。2013年之后大量研究表明,导致观测量子反常霍尔效应温度极低的原因主要有两个,一方面由于过渡金属元素掺杂易聚集导致非均相掺杂,另一方面由于磁性元素掺杂后的体系易发生类金属化,致使材料中出现耗散通道。因此,如何针对上述原因提出具体可行的解决方案就成为提高量子反常霍尔效应观测温度的关键。本论文中,我们主要在三维拓扑绝缘体SbTe体系中,针对磁掺杂的非均匀性和金属化问题,提出两种不同的解决方案,最终达到在该材料中引入铁磁性并实现高温量子反常霍尔效应的目的。具体的,我们利用第一性原理的计算方法,详细的研究了以下两方面内容:1.提出利用非磁掺杂拓扑绝缘体的方法来实现高温量子反常霍尔效应的理论方案。我们系统地研究了非磁性非金属性元素C或N分别掺杂BiSe、BiTe和SbTe的电子结构,磁学性质以及拓扑学性质。结果表明,掺杂后拓扑绝缘体体系中诱导出了磁矩,但是只有N掺杂SbTe体系呈现长程铁磁序。接下来的电子结构计算显示N掺SbTe体系的体带隙随着掺杂浓度的增大而增大,最高可达39 me V。进而我们又对其薄膜体系进行了研究,发现能带结构中打开了一个拓扑非平庸的带隙,且能隙随着掺杂浓度的增大而增大,可达17 me V。另外,我们还发现能带中沿着高对称点存在一个非零的贝利曲率,进一步证实了N掺SbTe体系可以实现高温量子反常霍尔效应,并且预估的居里温度为29 K,这比当前报道的磁掺杂拓扑绝缘体体系中量子反常霍尔效应的观测温度(300 m K)高出两个数量级。此外,由于非磁性元素的掺杂并不会引起金属化耗散通道出现等问题,所以非磁掺杂拓扑绝缘体方案为高温量子反常霍尔效应的实现提供了新的途径。2.在理论上,证实MnBiTe/SbTe异质结中可以实现高温量子反常霍尔效应。我们系统地研究了由MnBiTe(MBT)与5QLs SbTe(ST)拓扑绝缘体组成的6种不同范德瓦耳斯异质结体系的磁性及电子结构,发现只有MBT/ST、MBT/ST/MBT和ST/MBT/ST三个体系呈现铁磁态,其余体系均呈现反铁磁态。最重要的是,当向呈现反铁磁态的两个MnBiTe基本单元中嵌入一个5QLs的SbTe,而形成MBT/ST/MBT时,体系发生由反铁磁向铁磁相转变,且呈现长程铁磁序,评估的居里温度约为42 K。通过对其能带结构和拓扑性质的计算,发现能带结构中存在一个26 me V的非平庸带隙,陈数为1。这些结果证实了MBT/ST/MBT异质结可以实现高温量子反常霍尔效应。相比于磁性元素掺杂手段,我们提出的MBT/ST异质结在实验上更便于操作,可控性高。更重要的是,由于本征缺陷的存在,在实验上制备的MnBiTe是n型,而SbTe为p型的,所以考虑到n-p间电荷补偿的绝缘现象,这更利于实验上实现高温量子反常霍尔效应。

关键词：量子反常霍尔效应非磁掺杂范德瓦耳斯异质结拓扑绝缘体第一性原理计算

从量子反常霍尔效应重大成果看基础研究资助工作

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科学观察 2013年第4期8卷 45-52页

作者：郑永和国家自然科学基金委员会北京100085

本文以量子反常霍尔效应重大成果为例,总结了科学基金资助在稳定支持基础研究工作、培育创新人才、资助科研仪器设备研制等方面的作用及科学家勤于探索、勇于创新、善于协同、重视创新文化建设等方面的经验,分析了我国基础研究经费投入... 详细信息

本文以量子反常霍尔效应重大成果为例,总结了科学基金资助在稳定支持基础研究工作、培育创新人才、资助科研仪器设备研制等方面的作用及科学家勤于探索、勇于创新、善于协同、重视创新文化建设等方面的经验,分析了我国基础研究经费投入、科研环境建设、人才培养、资助管理等方面问题,提出了持续增加基础研究投入、加强创新人才培养、重视科研仪器设备研制、营造科学家潜心研究的良好环境等政策建议,希望对科学基金资助的基础研究工作取得重大成果有一定的借鉴作用。

关键词：量子反常霍尔效应基础研究重大成果科学基金资助工作

发现量子反常霍尔效应为人类科学知识宝库贡献璀璨明珠

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技术与市场 2020年第4期27卷 2-3页

2019年1月8日召开的国家科学技术奖励大会上,中国科学院院士、清华大学副校长薛其坤领衔,由清华大学和中科院物理所实验团队完成的“量子反常霍尔效应的实验发现”摘得2018年度国家自然科学奖一等奖。量子反常霍尔效应的首次实验发现,... 详细信息

2019年1月8日召开的国家科学技术奖励大会上,中国科学院院士、清华大学副校长薛其坤领衔,由清华大学和中科院物理所实验团队完成的“量子反常霍尔效应的实验发现”摘得2018年度国家自然科学奖一等奖。量子反常霍尔效应的首次实验发现,是世界物理学界近几年最重要的实验进展之一。诺贝尔奖获得者杨振宁评价其为“第一次从中国实验室里发表的诺贝尔奖级的物理学论文”。

关键词：中科院物理所知识宝库中国科学院院士副校长量子反常霍尔效应物理学界诺贝尔奖实验进展