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  • 1 篇 理学
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主题

  • 1 篇 弯结
  • 1 篇 30°部分位错
  • 1 篇 分子动力学
  • 1 篇 低温缓冲层
  • 1 篇 位错运动
  • 1 篇 重构缺陷

机构

  • 1 篇 哈尔滨工业大学

作者

  • 1 篇 李成祥
  • 1 篇 孟庆元
  • 1 篇 杨立军
  • 1 篇 钟康游
  • 1 篇 果立成

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=重构缺陷"
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位错芯重构缺陷对于Si中位错运动的影响
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引用
Journal of Semiconductors 2006年 第11期27卷 1940-1944页
作者： 杨立军 孟庆元 李成祥 钟康游 果立成 哈尔滨工业大学航天科学与力学系 哈尔滨150001 哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所 哈尔滨150001
为了研究晶格常数不匹配的异质结SiGe/Si生长过程中低温缓冲层内缺陷对位错运动的影响,使用位错偶极子模型在Si晶体内建立了一对30°部分位错,和导致30°部分位错运动的弯结结构,以及位错芯重构缺陷(RD)与弯结组合而生成的弯结-RD结构.... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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