检索结果-南通市图书馆

稀有金属 2021年第8期45卷 1018-1024页

作者：周莹莹张果虎周旗钢史训达林霖路一辰北京有色金属研究总院北京100088 有研半导体材料有限公司北京100088

不同掺杂剂种类的重掺硅片有其特性,为了研究不同掺杂剂硅片的固有特性对化学机械抛光结果的影响,选取应用广泛的重掺硼、重掺砷、重掺锑3种硅片进行抛光加工,并在抛光后进行清洗。实验中保持抛光时间相同,抛光液及抛光垫状态一致,使得... 详细信息

不同掺杂剂种类的重掺硅片有其特性,为了研究不同掺杂剂硅片的固有特性对化学机械抛光结果的影响,选取应用广泛的重掺硼、重掺砷、重掺锑3种硅片进行抛光加工,并在抛光后进行清洗。实验中保持抛光时间相同,抛光液及抛光垫状态一致,使得抛光结果的差异性与抛光时间、抛光压力、转速等抛光工艺参数无关。通过研究重掺硼、重掺砷、重掺锑3种硅片在抛光过程中的去除速率、Haze值和抛光后的表面微粗糙度,反映掺杂剂种类的不同对抛光结果的影响。实验结果显示重掺硼硅片的抛光去除速率明显低于重掺砷和重掺锑硅片,重掺砷硅片的抛光去除速率高于重掺锑和重掺硼硅片;抛光后重掺硼硅片的Haze值最大,重掺砷和重掺锑硅片的Haze值较小,间接反映抛光后重掺硼硅片的表面微粗糙度整体高于重掺砷和重掺锑硅片;白光干涉测试显示,重掺硼硅片的表面微粗糙度中心低边缘高;重掺砷硅片的边缘表面微粗糙度明显高于中心;重掺锑硅片的表面微粗糙度中心至边缘保持一致。

关键词：掺杂剂重掺硅片化学机械抛光技术

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

掺杂剂对200 mm重掺杂硅片APCVD工艺前表面颗粒的影响

引用

稀有金属 2019年第6期43卷 668-672页

作者：韩萍曲翔周旗钢肖清华刘斌何宇北京有色金属研究总院北京100088 有研半导体材料有限公司北京100088

在重掺硅衬底片背封过程中,硅片表面颗粒的尺寸和数量将会极大的影响到沉积薄膜的质量,并影响硅片几何特征的形成。主要针对不同掺杂剂的200 mm重掺衬底硅片在进行常压化学气相沉积(atmospheric-pressure chemical vapor deposition, AP... 详细信息

在重掺硅衬底片背封过程中,硅片表面颗粒的尺寸和数量将会极大的影响到沉积薄膜的质量,并影响硅片几何特征的形成。主要针对不同掺杂剂的200 mm重掺衬底硅片在进行常压化学气相沉积(atmospheric-pressure chemical vapor deposition, APCVD)生长SiO2薄膜前的颗粒沾污开展研究。将经过相同清洗及干燥工艺处理的硅片放置于有风机过滤机组(fan filter unit, FFU)存在的百级环境中,利用表面激光扫描方法对硅片表面粒径在0.3~0.5μm范围的颗粒进行测试,分析重掺衬底硅片表面颗粒随存放时间的增长情况。结果表明:在有FFU存在的百级环境中,随存放时间的延长:(1)同种掺杂剂硅片表面颗粒呈增长趋势,且粒径小的颗粒增长幅度较大;(2)不同掺杂剂硅片中,相比于重掺As, Sb的硅片,重掺B硅片表面颗粒的增长速度最快,而其他两种掺杂剂硅片表面颗粒增长速度相对较缓且差别不大。

关键词：颗粒存放时间重掺硅片常压化学气相沉积

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

多晶硅沉积厚度对氧沉淀和洁净区形成的影响

引用

稀有金属 2016年第12期40卷 1256-1259页

作者：黄栋栋曲翔刘大力周旗钢刘斌刘红艳北京有色金属研究总院有研半导体材料有限公司北京100088

硅片背面沉积多晶硅是半导体生产中常用的吸杂手段,多晶硅中存在着大量的晶界,可以吸除金属杂质,它还可以影响硅片内氧沉淀的分布,增强内吸杂的作用。通过控制低压化学气相沉积(LPCVD)系统的沉积时间,在硅片背面沉积不同厚度的多晶硅薄... 详细信息

硅片背面沉积多晶硅是半导体生产中常用的吸杂手段,多晶硅中存在着大量的晶界,可以吸除金属杂质,它还可以影响硅片内氧沉淀的分布,增强内吸杂的作用。通过控制低压化学气相沉积(LPCVD)系统的沉积时间,在硅片背面沉积不同厚度的多晶硅薄膜,借助择优腐蚀和金相显微(OM)观察等手段研究了沉积厚度对重掺硼硅片内氧沉淀形成与分布的影响。结果表明:沉积的多晶硅薄膜越厚,硅片的形变量越大,小尺寸的氧沉淀数量增多并在表面附近聚集,大尺寸的氧沉淀则倾向于在体内和背面形成,洁净区的厚度则减小直至无洁净区建立。多晶硅薄膜通过对硅片施加应力引起硅片形变,从而影响氧沉淀硅片体内形成的位置,起到促进内吸杂的作用。最佳多晶硅沉积厚度为800 nm。

关键词：重掺硅片多晶硅吸杂择优腐蚀氧沉淀

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

200mm重掺杂衬底硅片APCVD前颗粒研究

200mm重掺杂衬底硅片APCVD前颗粒研究

引用

作者：韩萍北京有色金属研究总院

学位级别：硕士

200 mm重掺硅片是功率半导体用主流衬底材料。APCVD(常压化学气相沉积)沉积薄膜是200 mm重掺硅片制作的核心工序之一,颗粒作为一种常见污染物沾污于硅片表面,将会极大的影响到沉积薄膜的质量,进而会影响到硅片后续加工以及功率半导体器... 详细信息

200 mm重掺硅片是功率半导体用主流衬底材料。APCVD(常压化学气相沉积)沉积薄膜是200 mm重掺硅片制作的核心工序之一,颗粒作为一种常见污染物沾污于硅片表面,将会极大的影响到沉积薄膜的质量,进而会影响到硅片后续加工以及功率半导体器件的性能。因此,对200 mm重掺衬底硅片APCVD前的颗粒研究具有十分重要的意义。本文采用SC-1、SC-2和HF相结合的多槽式清洗方法对APCVD前硅片做清洁处理;采用SiH4+O2的反应气通过APCVD方法在硅片表面沉积SiO2薄膜;表面激光扫描方法用于对200 mm硅片表面颗粒数量及分布进行全片检测和成图;飞行型二次离子质谱技术(TOF-SIMS)用于检测硅片APCVD后沉积薄膜表面的白色点状物成分。实验中涉及不同类型硅片通过改变APCVD前清洗过程中DHF后纯水槽的清洗方式、DHF化学液槽的清洗时间、旋转甩干槽的甩干时间,以及完成APCVD前清洗后在洁净度等级为100级的环境中的存放时间,和不同掺杂剂实验片完成APCVD沉积SiO2薄膜后表面的白色点状物的情况,来研究APCVD前重掺硅片表面的颗粒情况,以此来制定更为合适的方案为重掺硅片APCVD沉积SiO2薄膜提供一个更为洁净的表面状态。研究表明:1.在洁净度等级为100级的洁净环境下,硅片表面颗粒,随存放时间的延长,其表面颗粒情况越差,且粒径小的颗粒增长幅度及数量均较大;不同掺杂剂的硅片进行存放,随存放时间的延长,掺B硅片表面的颗粒较其它掺杂剂硅片增长幅度及数量最大,而掺As和掺Sb硅片颗粒增长情况的相差不大。***前对硅片清洗后进行干燥,干燥时间适当增加有利于降低硅片表面对颗粒的吸附,时间过长将不利于硅片表面的洁净,本实验认为干燥时间在200 s时较为有利于硅片表面的洁净。3.在保证基础清洗流程不变的前提之下,溢流清洗较于喷淋清洗更有利于硅片表面颗粒的去除,因此在实际生产中可以考虑将喷淋清洗槽改变为溢流清洗槽。***前清洗过程中,适当增加DHF槽中的清洗时间,可以有效的降低硅片表面的颗粒情况,达到一定时间后颗粒数量几乎保持不变。5.进行APCVD的硅片沉积SiO2薄膜表面的白色点状物的存在与APCVD前清洗后硅片表面的颗粒有关;不同掺杂剂硅片沉积SiO2薄膜后表现为掺B硅片沉积薄膜表面有更多的白色点状物,可以推测清洗干燥后掺B硅片表面颗粒情况相对较差,其它两种掺杂剂硅片差别不大。

关键词：重掺硅片表面颗粒存放时间常压化学气相沉积

来源：

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：