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高等学校化学学报 2015年第12期36卷 2511-2515页

作者：徐蝶申晓华李焕焕杜元春胡家文湖南大学化学生物传感与计量学国家重点实验室化学化工学院长沙410082

以聚苯乙烯微球的单层和双层胶体晶体为模板,通过模板电沉积银,移除模板后得到单层和双层银通孔阵列,并用作基于增强光透射(EOT)的等离子传感器.结果表明,与单层银通孔阵列相比,双层通孔阵列的传感灵敏度和品质因子都有很大提升,最高分... 详细信息

以聚苯乙烯微球的单层和双层胶体晶体为模板,通过模板电沉积银,移除模板后得到单层和双层银通孔阵列,并用作基于增强光透射(EOT)的等离子传感器.结果表明,与单层银通孔阵列相比,双层通孔阵列的传感灵敏度和品质因子都有很大提升,最高分别达到559.71 nm/RIU(RIU:Refractive index unit)和14.28 RIU^(-1).

关键词：表面等离子体通孔阵列模板电沉积自组装折射率传感

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通过电源完整性分析和电迁移修复提高供电网络可靠性

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计算机辅助设计与图形学学报 2022年第4期34卷 499-506页

作者：王晶蔡懿慈周强清华大学计算机科学与技术系北京100084

电迁移是集成电路供电网络的关键失效因素,由于芯片集成度和电流密度的增加,供电网络设计留给电迁移优化的余量越来越小.供电网络的传统设计缺乏电迁移和电压降的综合分析,会造成设计的过度约束.为避免上述问题,提出一种基于通孔灵敏度... 详细信息

电迁移是集成电路供电网络的关键失效因素,由于芯片集成度和电流密度的增加,供电网络设计留给电迁移优化的余量越来越小.供电网络的传统设计缺乏电迁移和电压降的综合分析,会造成设计的过度约束.为避免上述问题,提出一种基于通孔灵敏度分析的供电网络优化方法.首先,通过伴随矩阵的方法验证通孔的灵敏度对电迁移和电压降的影响;然后,结合供电网络的结构,针对关键通孔制定梯度优化策略,避免电迁移过度优化;最后,采用配置通孔阵列结构的方法提高通孔的可靠性.所提分析方法基于32核服务器实现,并通过IBM benchmark进行验证.实验结果表明,与全通孔优化的策略比较,所提方法以极小的面积代价实现电迁移优化,并且协同优化后,电路不存在电压降违规.

关键词：电迁移优化可靠性通孔阵列供电网络

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从电源完整性分析到电迁移修复: 一种提高供电网络可靠性的方法

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计算机辅助设计与图形学学报 2022年

作者：王晶蔡懿慈周强清华大学计算机科学与技术系

电迁移是集成电路供电网络的关键失效因素，由于芯片集成度和电流密度的增加，导致供电网络设计留给电迁移优化的余量越来越小. 供电网络的传统设计缺乏电迁移和电压降的综合分析，会造成设计的过度约束. 为避免上述问题，提出一种... 详细信息

电迁移是集成电路供电网络的关键失效因素，由于芯片集成度和电流密度的增加，导致供电网络设计留给电迁移优化的余量越来越小. 供电网络的传统设计缺乏电迁移和电压降的综合分析，会造成设计的过度约束. 为避免上述问题，提出一种基于通孔灵敏度分析的供电网络优化方法. 首先，通过伴随矩阵的方法验证通孔的灵敏度对电迁移和电压降的影响; 然后，结合供电网络的结构，对关键通孔制定梯度优化策略，避免电迁移过度优化; 最后，采用配置通孔阵列结构的方法提高通孔的可靠性. 所提分析方法基于32核服务器实现，并通过IBM benchmark进行验证. 实验结果表明，与全通孔优化的策略比较，所提方法以极小的面积代价实现电迁移优化，并且协同优化后，电路不存在电压降违规.

关键词：电迁移优化可靠性通孔阵列供电网络

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基于低温共烧陶瓷技术的Ku波段低噪声放大器

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固体电子学研究与进展 2009年第2期29卷 198-201页

作者：纪建华李殷乔周建明费元春北京理工大学信息与电子学院北京100081

设计了一种基于低温共烧陶瓷（Low temperature co-fired ceramic）技术的Ku波段低噪声放大器。将低噪声放大器的MMIC芯片集成于LTCC基板中，利用三维全波电磁场软件设计和优化了LNA的无源模型，包括金丝、通孔阵列和多层地平面。金丝... 详细信息

设计了一种基于低温共烧陶瓷（Low temperature co-fired ceramic）技术的Ku波段低噪声放大器。将低噪声放大器的MMIC芯片集成于LTCC基板中，利用三维全波电磁场软件设计和优化了LNA的无源模型，包括金丝、通孔阵列和多层地平面。金丝用来连接MMIC芯片和微带，通孔用来连接不同地平面。分析了两根平行金丝的”型等效模型并提取了该模型的参数，研究了通孔阵列的间距以得到良好的接地效果。为了得到LNA完整的仿真，将整个无源模型的电磁场数据导出到ADS软件中，并和MMIC芯片的S参数一起协同仿真，最终得到优化结果。测试结果表明该LNA在12～17GHz的频段内，具有40dB的增益，土1．215dB的带内平坦度，2．9dB的噪声系数。

关键词：低噪声放大器低温共烧陶瓷建模金丝通孔阵列

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K波段单片硅MEMS谐振器

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传感技术学报 2006年第5B期19卷 1889-1891页

作者：郁元卫张勇朱健贾世星陈辰南京电子器件研究所南京210016

介绍了基片集成波导技术和ICP深刻蚀微机械通孔阵列的硅基MEMS谐振器,通孔阵列和地平面形成不辐射介质波导,采用CPW电流探针与谐振腔进行信号耦合,在单层硅片上实现了平面电路与三维硅填充谐振腔的信号传输,得到低成本高性能可与平面电... 详细信息

介绍了基片集成波导技术和ICP深刻蚀微机械通孔阵列的硅基MEMS谐振器,通孔阵列和地平面形成不辐射介质波导,采用CPW电流探针与谐振腔进行信号耦合,在单层硅片上实现了平面电路与三维硅填充谐振腔的信号传输,得到低成本高性能可与平面电路集成的MEMS谐振器.谐振器工作于主模TE101模式,在片测试的Q值大于180,谐振频率21GHz,与仿真结果吻合,芯片尺寸为4.7mm×4.6mm×0.5mm.

关键词： MEMS谐振器通孔阵列基片集成波导 K波段

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