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宁波材料所全透明氧化物阻变器件研究取得进展

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人工晶体学报 2014年第4期43卷 892-892页

基于电致阻变效应的电阻式随机存储器（RRAM）有望综合动态随机存储器（DRAM）、静态随机存储器（SRAM）和闪存（FLASH）三大主流存储器各自的存储特性,集非易失性、非破坏性读出、高存取速度、工艺和器件结构简单、可嵌入功能强等优点... 详细信息

基于电致阻变效应的电阻式随机存储器（RRAM）有望综合动态随机存储器（DRAM）、静态随机存储器（SRAM）和闪存（FLASH）三大主流存储器各自的存储特性,集非易失性、非破坏性读出、高存取速度、工艺和器件结构简单、可嵌入功能强等优点于一身,弥补现在DRAM、SRAM易失性和FLASH擦写速度慢的缺点,是下一代存储器的候选者之一。

关键词：器件结构透明氧化物动态随机存储器静态随机存储器材料宁波非破坏性读出存取速度

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p型透明导电氧化物薄膜的研究进展

真空科学与技术学报 2005年第6期25卷 444-448页

作者：刘高斌冯庆李丽廖克俊王万录重庆大学应用物理系重庆400044

p型透明导电膜是近来发现的一种新型的材料,在透明有源器件、传感器、透明电极和电路等方面具有广泛的潜在应用。近来在这方面的研究取得了一些突出的进展。本文主要综述了关于p型透明导电膜在材料、沉积工艺以及相关器件方面的研究进展。

关键词：半导体薄膜 p型透明导电膜综述透明氧化物透明有源器件

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透明氧化物半导体薄膜的制备技术及理论基础

材料保护 2021年第2期54卷 I0055-I0055页

作者：万文琼朱华景德镇陶瓷大学机械电子工程学院江西景德镇333000

为了进一步提高透明氧化物半导体薄膜制备水平,提高半导体薄膜的利用率,现以磁控溅射法应用为例,介绍了磁控溅射的具体应用,从衬底清洗、衬底反溅、溅射镀膜三个方面入手,分析了透明氧化物半导体薄膜制备的实验过程。结果表明,磁控溅射... 详细信息

为了进一步提高透明氧化物半导体薄膜制备水平,提高半导体薄膜的利用率,现以磁控溅射法应用为例,介绍了磁控溅射的具体应用,从衬底清洗、衬底反溅、溅射镀膜三个方面入手,分析了透明氧化物半导体薄膜制备的实验过程。结果表明,磁控溅射法具有非常高的可靠性和可行性,不仅增加了气体的离化率和溅射率,还保证了薄膜表面的平整性和光滑性,为进一步提高沉积镀膜的规模和透明氧化物半导体薄膜制备水平打下坚实的基础。

关键词：透明氧化物半导体薄膜制备技术理论基础

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透明氧化物中形成电流的原因在于电子云架桥

电子设计应用 2007年第11期 42-42页

作者：野泽哲生《日经电子》杂志社

具有导电性的透明氧化物是氧化物中较为特殊的一类。这是因为，透明和有电流流动这两种性质多少有些矛盾。

关键词：透明氧化物电流电子云架桥原因导电性

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中科院全透明氧化物阻变器件研究取得进展

军民两用技术与产品 2014年第6期 27-27页

作者：宁波

基于电致阻变效应的电阻式随机存储器（RRAM）集非易失性、非破坏性读出、高存取速度、工艺和器件结构简单、可嵌入功能强等优点于一身，有望弥补综合动态随机存储器（DRAM）、静态随机存储器（SRAM）和闪存（FLASH）等三大主流存储器... 详细信息

基于电致阻变效应的电阻式随机存储器（RRAM）集非易失性、非破坏性读出、高存取速度、工艺和器件结构简单、可嵌入功能强等优点于一身，有望弥补综合动态随机存储器（DRAM）、静态随机存储器（SRAM）和闪存（FLASH）等三大主流存储器的易失性和擦写速度慢等缺点，是下一代存储器的候选者之一。

关键词：器件结构透明氧化物动态随机存储器中科院静态随机存储器非破坏性读出存取速度非易失性

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使用透明氧化物的紫外发光二极管

激光与光电子学进展 2002年第6期39卷 46-46页

作者：车会生

日本科学技术振兴事业团在世界率先研制成功使用透明氧化物的紫外发光二极管。很久以前，透明氧化物导电体ITO（氧化铟锡）就已实用化，作为透明电极材料在液晶显示等领域广泛应用。可是，透明氧化物作为光电子材料尚未成熟。透明氧化... 详细信息

日本科学技术振兴事业团在世界率先研制成功使用透明氧化物的紫外发光二极管。很久以前，透明氧化物导电体ITO（氧化铟锡）就已实用化，作为透明电极材料在液晶显示等领域广泛应用。可是，透明氧化物作为光电子材料尚未成熟。透明氧化物只有n型导电性，没有p型导电性。该研究小组最近在世界率先发现几个p型透明氧化物导电体，并以此为基础挑战发光二极管。

关键词：透明氧化物紫外发光二极管氧化铟锡

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介质/金属/介质透明导电薄膜研究进展

真空科学与技术学报 2017年第11期37卷 1067-1074页

作者：张康褚向前刘丽华万磊何金俊李欢欢方应翠合肥工业大学真空与过程装备系合肥230009 合肥工业大学材料科学与工程学院合肥230009 合肥工业大学电气自动化学院合肥230009

介质/金属/介质(dielectric/metal/dielectric,D/M/D)多层膜既透明又导电且具有柔性,最有可能替代ITO膜,作为透明导电电极,应用于柔性显示、太阳能电池等光电器件。本文介绍D/M/D膜系的起源,分析了透明导电机理,然后,从多层膜制备参数,... 详细信息

介质/金属/介质(dielectric/metal/dielectric,D/M/D)多层膜既透明又导电且具有柔性,最有可能替代ITO膜,作为透明导电电极,应用于柔性显示、太阳能电池等光电器件。本文介绍D/M/D膜系的起源,分析了透明导电机理,然后,从多层膜制备参数,热处理工艺及纳米银层表面等离激元共振对多层膜光电性能的影响三个方面综述了D/M/D膜系中得到广泛研究的二氧化钛/银/二氧化钛多层膜的最新研究进展,并展望了D/M/D透明导电薄膜的研究方向。

关键词：介质/金属/介质多层膜透明导电薄膜透明氧化物光电性能

低功耗氧化铪基柔性透明阻变存储器制备及其性能研究

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福州大学学报（自然科学版） 2018年第1期46卷 70-74页

作者：廖成浩赖云锋周海芳福州大学物理与信息工程学院福建福州350116

利用微电子加工工艺在柔性PET衬底上制备透明氧化铪基阻变存储器.采用氧化铪/氧化锌双介质层将存储器转变电流降低至μA量级,从而实现柔性透明存储器的低功耗(μW量级).研究表明,双介质层阻变存储器不仅具有稳定、可重复的阻变存储特性... 详细信息

利用微电子加工工艺在柔性PET衬底上制备透明氧化铪基阻变存储器.采用氧化铪/氧化锌双介质层将存储器转变电流降低至μA量级,从而实现柔性透明存储器的低功耗(μW量级).研究表明,双介质层阻变存储器不仅具有稳定、可重复的阻变存储特性,还具有一定抗弯折性能和较高的热稳定性.进一步研究表明,由于氧化铪/氧化锌界面势垒的存在,抑制了介质中电荷的输运,从而达到器件低电流工作的效果.

关键词：阻变存储器柔性衬底透明氧化物低功耗

过渡金属掺杂CuCrO2陶瓷及薄膜的制备与性能研究

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过渡金属掺杂CuCrO2陶瓷及薄膜的制备与性能研究

作者：高才上海师范大学

学位级别：硕士

稀磁半导体是指磁性过渡金属或稀土金属离子部分取代化合物半导体(通常为AB型)阳离子，从而形成三元或四元的化合物。由于微量的磁性原子的引入，改变了原有的半导体的微观机制，因此使稀磁半导体在磁学、电学、光学等方面具有极其独特... 详细信息

稀磁半导体是指磁性过渡金属或稀土金属离子部分取代化合物半导体(通常为AB型)阳离子，从而形成三元或四元的化合物。由于微量的磁性原子的引入，改变了原有的半导体的微观机制，因此使稀磁半导体在磁学、电学、光学等方面具有极其独特的性质，因此在自旋电子器件与透明电子器件领域显示出广阔的潜在应用。然而，多数稀磁半导体的p型掺杂难以实现，会阻碍高居里温度稀磁性的获得。本论文以p型铜铁矿结构的CuCrO为基质，通过3d过渡金属Fe、Mn离子的掺杂，实现了较高温度的稀磁性;通过改变掺杂离子的种类、浓度及替代位置，研究了样品的微观结构、表面形貌、磁学、光学和电学性质，并对磁性起源及具体的磁交换机制进行了探讨。首先，利用固态反应法分别制备了Cu(CrFe)O(x=0、1%、5%、10%、15%)、(Cu1-xFe x)CrO2(x=0、1%、2%、3%、4%、5%、10%、15%)和Cu(Cr1-xMnx)O(x=0、5%、10%、15%)三个系列的陶瓷样品。 (1)Cu(CrFe)O系列样品均具有CuCrO铜铁矿单相结构，晶格常数随着Fe掺杂浓度的增大而增大，说明Fe离子以的价态取代了Cr，X射线光电子能谱(XPS)和穆斯堡尔谱的分析都进一步证实了这一结论。Fe与Cr离子的共存引起了以空穴为媒介的Fe–Cr超交换相互作用，从而产生了铁磁性。饱和磁化强度受离子对数目、离子间距及空穴浓度的影响，随Fe含量的增加而逐渐减小。Fe掺杂使居里温度显著提高，是文献值的两倍多，可达到246K以上，接近于室温。 (2)(Cu1-xFex)CrO2系列样品掺杂浓度在0-4%范围具有CuCrO铜铁矿单相结构，当掺杂浓度在5-15%范围时出现杂质峰，表明高浓度替位掺杂难以实现。 (3)Cu(Cr1-xMnx)O系列样品均具有CuCrO铜铁矿单相结构。在陶瓷研究的基础上，进一步利用脉冲激光沉积(PLD)法在蓝宝石基片上分别制备了Fe和Mn掺杂的CuCrO单相薄膜，通过改变氧压、衬底温度、激光频率、溅射时间等参数，实现了沿c轴方向的准外延生长。 (1)Cu(CrFe)O(x=0、5%、10%、15%)系列薄膜具有铜铁矿单相结构，且沿着c轴方向准外延生长。XPS谱分析表明，Cu、Cr离子分别以1+和的价态存在，可推断Fe离子以的形式占据Cr位。薄膜电阻率随着温度的增加呈减小趋势，且霍尔系数均为正，说明薄膜为P型半导体。在可见光区域的透射率最高可达75%，光学带隙随着Fe含量的增加而减小。此外，薄膜具有铁磁性，饱和磁化强度随着Fe含量的增加而逐渐增强。 (2)Cu(Cr1-xMnx)O(x=0、5%、10%、15%)系列薄膜具有铜铁矿单相结构，且沿着c轴方向准外延生长。

关键词： ABO2 透明氧化物稀磁半导体光学性质电学性质磁学性质