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硅深槽ICP刻蚀中刻蚀条件对形貌的影响

微电子学 2009年第5期39卷 729-732页

作者：吕垚李宝霞万里兮中国科学院微电子研究所北京100029

以SF6/C2H4为刻蚀气体,使用Corial200IL感应耦合等离子体(ICP)刻蚀系统,进行Si等离子刻蚀技术研究。通过调节刻蚀气体SF6与侧壁钝化保护气体C2H4的流量比和绝对值等工艺参数,对深Si刻蚀的形貌以及侧壁钻蚀情况进行改善,使该设备能够满... 详细信息

以SF6/C2H4为刻蚀气体,使用Corial200IL感应耦合等离子体(ICP)刻蚀系统,进行Si等离子刻蚀技术研究。通过调节刻蚀气体SF6与侧壁钝化保护气体C2H4的流量比和绝对值等工艺参数,对深Si刻蚀的形貌以及侧壁钻蚀情况进行改善,使该设备能够满足深硅刻蚀的基本要求,解决MEMS工艺及TSV工艺中的深硅刻蚀问题。实验结果表明,Corial200IL系统用SF6作等离子体刻蚀气体,对Si的刻蚀具有各向同性;C2H4作钝化气体,能够对刻蚀侧壁进行有效的保护,但由于C2H4的含量直接影响刻蚀速率和选择比,需对其含量及配比严格控制。研究结果为:SF6含量为40sccm、C2H4含量为15sccm时能够有效控制侧壁钻蚀,且具有较大的选择比,初步满足深硅槽刻蚀的条件。

关键词： ICP 硅刻蚀深槽刻蚀刻蚀形貌刻蚀速率选择比

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纳米尺度多晶硅微结构刻蚀研究

微纳电子技术 2012年第6期49卷 413-416页

作者：李悦田大宇李静刘鹏戴晓涛北京大学微电子研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室北京100871

以HBr作为刻蚀气体,采用ICP金属刻蚀系统对气体流量、刻蚀压力、离子源功率、偏压功率等工艺参数与刻蚀速率、刻蚀选择比和侧壁垂直度的对应关系进行了大量工艺实验。借助理论分析和工艺条件的优化,开发出一套可满足制备侧壁垂直度的纳... 详细信息

以HBr作为刻蚀气体,采用ICP金属刻蚀系统对气体流量、刻蚀压力、离子源功率、偏压功率等工艺参数与刻蚀速率、刻蚀选择比和侧壁垂直度的对应关系进行了大量工艺实验。借助理论分析和工艺条件的优化,开发出一套可满足制备侧壁垂直度的纳米尺度多晶硅密排线结构的优化刻蚀工艺技术。实验结果表明:当采用900 W的离子源功率、11 W的偏压功率、25 cm3/min流量的HBr气体和3 mTorr(1 mTorr=0.133 3 Pa)刻蚀压力的工艺条件时,多晶硅与二氧化硅的刻蚀选择比大于100∶1;在保持离子源功率、偏压功率、气体流量不变的条件下,单纯提高反应腔工艺压力则会大幅提高上述选择比值,同时损失多晶硅和二氧化硅的刻蚀均匀性;HBr气体流量的变化在上述功率及反应腔工艺压力的工艺范围内,对多晶硅与二氧化硅的刻蚀选择比和多晶硅刻蚀的形貌特征均无显著影响。采用上述优化的刻蚀工艺条件,配合纳米电子束光刻技术成功得到多晶硅纳米尺度微结构,其最小线宽为40 nm。

关键词： ICP刻蚀系统刻蚀速率选择比刻蚀形貌电子束光刻纳米尺度多晶硅线条

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多晶硅薄膜晶体管工艺中的反应性离子刻蚀

液晶与显示 2002年第1期17卷 59-64页

作者：王大海李轶华孙艳吴渊陈国军付国柱荆海万春明北方液晶工程研究开发中心吉林长春130021 长春光学精密机械学院吉林长春130022 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所吉林长春130021

对多晶硅薄膜晶体管器件工艺中的反应性离子刻蚀技术进行研究 ,给出了Ta、p Si等多晶硅薄膜晶体管器件中常见薄膜的刻蚀速率 ,通过工艺参数的优化 ,使薄膜间的选择比在 2～ 2 0可选择 ;并通过气体掺杂 ,实现了SiNx 对 p Si的选择比从 - 1到

关键词：多晶硅薄膜晶体管反应性离子刻蚀刻蚀速率选择比工艺有源矩阵液晶显示器

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选择比努力还重要

中国邮政 2007年第6期 1-1页

第二次世界大战结束后，联合国在纽约宣告成立，但饱经战争浩劫的各成员国却没有能力筹集足够的资金买地建办公大楼。就在各国政要一筹莫展之时，洛克菲勒从自己斥巨资买下的一块土地中，划出一块以1美元的价格“出售”给了联合国。消... 详细信息

第二次世界大战结束后，联合国在纽约宣告成立，但饱经战争浩劫的各成员国却没有能力筹集足够的资金买地建办公大楼。就在各国政要一筹莫展之时，洛克菲勒从自己斥巨资买下的一块土地中，划出一块以1美元的价格“出售”给了联合国。消息传开，舆论哗然，许多人都等着看笑话。然而几年过后，联合国的作用迅速强化，联合国大厦周边土地的价值大幅飙升，

关键词：选择比第二次世界大战联合国办公大楼成员国土地纽约资金

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选择比努力重要

广东第二课堂(下半月中学生阅读) 2014年第9期 46-46页

有一个非常勤奋的青年,很想出人头地。但经过多年努力也没有长进,他很苦恼,就向智者请教。智者叫来三个弟子,嘱咐说:"你们带这位施主到五里山打柴去吧。"年轻人和三个弟子沿着门前湍急的江水,直奔五里山。等到他们返回时,智者正在原地... 详细信息

有一个非常勤奋的青年,很想出人头地。但经过多年努力也没有长进,他很苦恼,就向智者请教。智者叫来三个弟子,嘱咐说:"你们带这位施主到五里山打柴去吧。"年轻人和三个弟子沿着门前湍急的江水,直奔五里山。等到他们返回时,智者正在原地迎接他们——年轻人满头大汗、气喘吁吁地扛着两捆柴,蹒跚而来;两个弟子一前一后,前面的弟子用扁担左右各担4捆柴,后面的弟子轻松地跟着。正在

关键词：年轻人选择比

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碳化硅ICP刻蚀的掩膜材料

微纳电子技术 2017年第7期54卷 499-504页

作者：孙亚楠石云波王华任建军杨阳中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室太原030051 火箭军驻7171军事代表室西安710100

SiC材料由于具有非常强的化学稳定性与机械硬度,不能用酸或碱性溶液对其进行腐蚀,在MEMS制备工艺中,通常采用干法刻蚀来制备SiC结构。针对干法刻蚀中遇到的问题,比较了光刻胶、Al和Ni等多种掩膜材料对SiC刻蚀的影响以及SiC与掩膜材料的... 详细信息

SiC材料由于具有非常强的化学稳定性与机械硬度,不能用酸或碱性溶液对其进行腐蚀,在MEMS制备工艺中,通常采用干法刻蚀来制备SiC结构。针对干法刻蚀中遇到的问题,比较了光刻胶、Al和Ni等多种掩膜材料对SiC刻蚀的影响以及SiC与掩膜材料的选择比。实验证明,光刻胶作为掩膜,与SiC的选择比约为1.67,并且得到的台阶垂直度较差。Al与SiC的选择比约为7,但是致密性差,并且有微掩膜效应。金属Ni与SiC的选择比约为20,并且得到的台阶比较垂直且刻蚀形貌良好。最后,使用Ni作为掩膜材料对SiC压阻式加速度传感器的背腔和压敏电阻进行了电感耦合等离子体(ICP)刻蚀。

关键词：碳化硅(SiC) 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀掩膜图形化选择比刻蚀形貌

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基于梳齿式电容加速度计的深硅刻蚀

微纳电子技术 2017年第9期54卷 633-638页

作者：任子明白冰王任鑫张国军中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室太原030051 中北大学电子测试技术重点实验室太原030051

梳齿式电容加速度计对梳齿的形貌有很高的要求,如需要梳齿侧壁具有良好的垂直度和粗糙度等。利用深硅刻蚀机对梳齿结构进行加工需要对刻蚀参数进行分析和调整。以SF_6和C_4F_8为刻蚀气体,设定深硅刻蚀中极板功率、腔室压力、刻蚀/钝化... 详细信息

梳齿式电容加速度计对梳齿的形貌有很高的要求,如需要梳齿侧壁具有良好的垂直度和粗糙度等。利用深硅刻蚀机对梳齿结构进行加工需要对刻蚀参数进行分析和调整。以SF_6和C_4F_8为刻蚀气体,设定深硅刻蚀中极板功率、腔室压力、刻蚀/钝化周期、气体流量等工艺参数,着重研究了刻蚀速率、垂直度、粗糙度、光刻胶选择比、均匀性等直接影响刻蚀形貌的几项因素,得到了宽5.3μm、深50μm的沟槽结构,且垂直度为89.5°,侧壁凸起高度为83.69 nm,而预期目标为垂直度90°±2°,侧壁凸起高度小于120 nm,故结果符合要求。最终将调整好的工艺用于刻蚀SOI片上的梳齿结构,得到了良好的形貌。

关键词：深硅刻蚀梳齿结构刻蚀速率垂直度选择比均匀性