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随机选择比“理性选择”更有效

读书 2019年第4期 145-154页

作者：盛洪

当人们谈论生命或智慧生物起源时,总会惊叹于其实现的概率极低,于是有人就借此证明,如果没有一个有超级智慧的有意设计,怎么会出现这样的情形呢?这种假设的含义是,超级智慧可以进行理性设计,其成功率比大自然随机的选择要高得多。其实,... 详细信息

当人们谈论生命或智慧生物起源时,总会惊叹于其实现的概率极低,于是有人就借此证明,如果没有一个有超级智慧的有意设计,怎么会出现这样的情形呢?这种假设的含义是,超级智慧可以进行理性设计,其成功率比大自然随机的选择要高得多。其实,这是一种似是而非的观念。实际情形可能正好相反。我们首先要假定,这个超级智慧并不是一个超理性的神秘存

关键词：行为规则大自然规则数量理性选择随机性随机选择人类理性选择比基本粒子成功概率地球年龄理性设计元胞自动机模型结构演化沃尔夫拉姆自发秩序机体结构宇宙大爆炸方向变化

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钴与钛的去除速率选择比控制及电偶腐蚀

半导体技术 2019年第11期44卷 876-882页

作者：梁婷伟王胜利王辰伟刘凤霞河北工业大学电子信息工程学院天津300130 天津市电子材料与器件重点实验室天津300130

研究了抛光液pH值、酒石酸钾(PTH)、双氧水(H2O2)和硅溶胶对钴插塞和钛阻挡层的去除速率及选择比的影响,并讨论了前3种因素与钴和钛电偶腐蚀的变化关系。采用正交抛光实验探讨了各因素对钴和钛抛光速率的主导度,利用塔菲尔曲线研究了各... 详细信息

研究了抛光液pH值、酒石酸钾(PTH)、双氧水(H2O2)和硅溶胶对钴插塞和钛阻挡层的去除速率及选择比的影响,并讨论了前3种因素与钴和钛电偶腐蚀的变化关系。采用正交抛光实验探讨了各因素对钴和钛抛光速率的主导度,利用塔菲尔曲线研究了各因素对钴和钛腐蚀电位差的影响趋势。结果显示,升高pH值(由8到10)可大幅降低钴的去除速率至27.7 nm/min,而对于钛的去除速率无明显影响;PTH的引入可同时提高钴与钛的去除速率,并降低二者腐蚀电位差;H2O2的增加可有效降低钴的去除速率而同时增大钛的去除速率。因此,升高pH值有利于实现钴和钛的去除速率一致性;固定pH值而改变PTH和H2O2体积分数可实现钴与钛的去除速率及选择比可控。

关键词：钴钛去除速率选择比主导度腐蚀电位差

20-14nm集成电路铜膜化学机械抛光铜钴去除速率选择比的研究

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20-14nm集成电路铜膜化学机械抛光铜钴去除速率选择比的研究

作者：周佳凯河北工业大学

学位级别：硕士

集成电路技术节点不断降低,这对极大规模集成电路(GLSI)多层铜布线加工精度提出了更高的要求。化学机械抛光(CMP)将化学作用和机械作用相结合,是集成电路制造中获得晶圆全局和局部平坦化的最有效方法。抛光液作为CMP工艺中最重要的耗材... 详细信息

集成电路技术节点不断降低,这对极大规模集成电路(GLSI)多层铜布线加工精度提出了更高的要求。化学机械抛光(CMP)将化学作用和机械作用相结合,是集成电路制造中获得晶圆全局和局部平坦化的最有效方法。抛光液作为CMP工艺中最重要的耗材之一,其性能的好坏直接决定晶圆的抛光效果和良品率。自集成电路进入20-14 nm工艺节点,铜膜抛光已由传统的粗抛、精抛两步工艺改为了一步,这就要求铜膜抛光过程中在互连材料铜获得高去除速率的同时阻挡层材料钴的去除速率近乎为零,即满足铜膜抛光后停止在钴阻挡层上。本文针对这一问题从研究抛光液的不同组分对铜钴去除速率选择比的影响出发,进行了系统实验研究和理论分析,在获得铜钴高去除速率选择比的同时,研究成果对铜膜抛光液的优化以及最终实现国产化具有一定的指导意义。具体成果如下:1.针对HO在铜表面形成的钝化膜疏松、传统腐蚀抑制剂较难溶解及环保性不佳等问题,采用了一种新型的易溶型腐蚀抑制剂TT-LYK。在甘氨酸体系下,TT-LYK具有很好的钝化保护作用,且在与常用的1,2,4-triazole 1:1混合协同作用下对铜膜的抑制效果更强(速率降至1988埃/min)、表面粗糙度更低(Sq=1.20nm)。2.针对抛光液主要成分对钴去除速率及对铜钴去除速率选择比控制机理尚不明确等问题,研究了抛光液中不同组分(磨料浓度、HO浓度、腐蚀抑制剂)以及抛光液p H值对难调控的钴去除速率的影响及作用机理。结果表明:较低的磨料浓度(0.50 wt%)、较高的HO浓度(30 ml/L)、较高的抛光液p H值(10.50)以及引入适量的腐蚀抑制剂(500 ppm TT-LYK)均能有效抑制钴的去除速率。在该条件下,铜钴去除速率选择比可达212:1,满足工业应用大于100的要求。在此基础上通过采用有机碱TEAH与无机碱KOH的混合使用,在满足铜钴去除速率选择比要求的同时,提高了抛光液的稳定性(至少稳定3天)。3.针对目前对抛光液提出的绿色环保的要求,在前面研究的基础上,提出引入一种新型绿色添加剂壳聚糖CTS。不同浓度的CTS在抛光液中可起到杀菌、提高分散性、络合金属离子、腐蚀抑制、降低表面粗糙度等作用,适量CTS的引入能将铜钴去除速率选择比从24:1提高到67:1,并对上述作用机理进行了分析。同时将更低技术节点下采用钌作为阻挡层材料时铜钌的去除速率选择比从123:1提高至451:1,说明CTS可作为钌的有效腐蚀抑制剂。此研究为CTS在CMP产业中的应用提供了理论指导。

关键词： 20-14nm铜膜CMP 铜钴去除速率选择比腐蚀抑制剂 CTS

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选择比坚持重要

第二课堂(B) 2017年第7期 26-27页

作者：刘卫京

一天,村子里来了一个马戏团,想请三个孩子给他们帮忙,条件是这样的:干一个小时,让孩子们白看马戏,但是没有座位;干三个小时,让孩子们坐在后排看;干五个小时,让他们坐在前排中间看。为了能好好地看一场马戏,孩子们干了五个小时,开心地坐... 详细信息

一天,村子里来了一个马戏团,想请三个孩子给他们帮忙,条件是这样的:干一个小时,让孩子们白看马戏,但是没有座位;干三个小时,让孩子们坐在后排看;干五个小时,让他们坐在前排中间看。为了能好好地看一场马戏,孩子们干了五个小时,开心地坐到了前排中央,可是,他们忍不住困乏,在节目刚开始的时候就睡着了。这是一则材料,老师要求根据这则材料写作文。儿子告诉我:"这

关键词：选择比

界面电偶极子对GaN/AlGaN/GaN光电探测器紫外/太阳光选择比的影响

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物理学报 2005年第8期54卷 3810-3814页

作者：张春福郝跃游海龙张金凤周小伟西安电子科技大学微电子学研究所宽禁带材料与器件教育部重点实验室西安710071

在GaN/AlGaN/GaN倒置异质结光电二极管(IHP)中,存在于AlGaN/GaN异质结界面处强烈的极化效应对器件的紫外/太阳光(UV/Solar)选择比产生了重要的影响.将极化效应总的影响分为两部分:电偶极子和极化项,在建立的GaN/AlGaN/GaN结构IHP模型的... 详细信息

在GaN/AlGaN/GaN倒置异质结光电二极管(IHP)中,存在于AlGaN/GaN异质结界面处强烈的极化效应对器件的紫外/太阳光(UV/Solar)选择比产生了重要的影响.将极化效应总的影响分为两部分:电偶极子和极化项,在建立的GaN/AlGaN/GaN结构IHP模型的基础上,对电偶极子对器件UV/Solar选择比的影响进行了分析.分析结果表明,只有在考虑电偶极子的影响时,光电探测器的UV/Solar选择比在103数量级左右,与实验结果符合较好.因此,在IHP中必须考虑电偶极子的影响.

关键词： AlGaN/GaN 电偶极子光电探测器选择比太阳光紫外极化效应光电二极管异质结界面分析结果数量级器件 UV

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选择比努力更重要

中国房地产金融 2015年第11期 60-61页

作者：蔡燕兰

肖骏认为,在房地产领域,无论是面对开发商,还是投资标的,选择永远比努力更重要。在乾立基金董事长肖骏看来,时值房地产领域风云突变的当下,房地产私募基金却依然有着诸多的投资与介入机会。2014年乾立基金以专业的精神进入圈内,一直以... 详细信息

肖骏认为,在房地产领域,无论是面对开发商,还是投资标的,选择永远比努力更重要。在乾立基金董事长肖骏看来,时值房地产领域风云突变的当下,房地产私募基金却依然有着诸多的投资与介入机会。2014年乾立基金以专业的精神进入圈内,一直以来乾立基金都坚持产融结合,创造价值。经过不到两年的发展,乾立基金已形成以房地产投融资、证券投资、股权投资为核心业务的多元化资产管理集团,基金投资管理规模已达30亿元人民币。

关键词：地产开发商房地产领域投资房产地产不动产财政管理私募基金选择比

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选择比努力更重要

高考 2012年第10期 52-55页

作者：金海燕周文芳

首先跟大家分享一个小故事：非洲撒哈拉大沙漠中有一个叫比塞尔的村庄，它地处一块绿洲旁边，被誉为沙漠中的一颗明珠，如今每年都有数以万计的旅游者来到这儿观光游览。可当初若不是肯·莱文从这里走了出去，并把它介绍给世人，恐怕这... 详细信息

首先跟大家分享一个小故事：非洲撒哈拉大沙漠中有一个叫比塞尔的村庄，它地处一块绿洲旁边，被誉为沙漠中的一颗明珠，如今每年都有数以万计的旅游者来到这儿观光游览。可当初若不是肯·莱文从这里走了出去，并把它介绍给世人，恐怕这里至今还不为人所知。因为在此之前，这儿的人没有一个走出过大漠。不是他们不愿离开这块贫瘠的土地，而是尝试过很多次都没有走出去。所以，人们就认为，这儿根本就走不出去，也就没有人再去尝试了。

关键词：选择比撒哈拉旅游者沙漠绿洲

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硅深刻蚀中掩蔽层材料刻蚀选择比的研究

半导体光电 2009年第2期30卷 211-214页

作者：蔡长龙马睿刘卫国刘欢周顺西安工业大学光电微系统研究所西安710032

基于硅的高深宽比微细结构是先进微器件的关键结构之一,在其加工工艺中,具有高选择比的掩蔽层材料是该结构实现的重要保证。研究了在感应耦合等离子体刻蚀过程中射频功率和气体流量对不同材料刻蚀性能的影响,获得了在SF6等离子体中Si,Si... 详细信息

基于硅的高深宽比微细结构是先进微器件的关键结构之一,在其加工工艺中,具有高选择比的掩蔽层材料是该结构实现的重要保证。研究了在感应耦合等离子体刻蚀过程中射频功率和气体流量对不同材料刻蚀性能的影响,获得了在SF6等离子体中Si,SiO2,MgO以及Al等材料的刻蚀速率,同时获得了在该等离子体中Si相对SiO2,MgO以及Al的选择比。通过比较研究,得到了硅深刻蚀中最佳的掩蔽层材料及刻蚀工艺参数。

关键词：等离子体刻蚀掩蔽层材料刻蚀速率选择比

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选择比努力更重要

高考 2013年第10期 16-19页

作者：金海燕周文芳浙江大学杭州21世纪人才评介中心

首先跟大家分享一个小故事：非洲撒哈拉大沙漠中有一个叫比塞尔的村庄，它地处一块绿洲旁边，被誉为沙漠中的一颗明珠，如今每年都有数以万计的旅游者来到这儿观光游览。可当初若不是肯·莱文从这里走了出去，并把它介绍给世人，恐怕这里至今还不为人所知。

关键词：选择比撒哈拉旅游者沙漠绿洲