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NROM存储器总剂量辐射损伤效应和退火特性

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核技术 2015年第1期38卷 17-22页

作者：张兴尧郭旗陆妩于新新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011

对一款商用NROM(Nitride-Read-Only-Memory)存储器进行了钴源辐射和退火试验,研究了NROM的总剂量效应和退火特性。使用了超大规模集成电路测试系统测试了NROM的DC、AC、功能参数,分析了辐射敏感参数在辐射和退火过程中的变化规律,研究... 详细信息

对一款商用NROM(Nitride-Read-Only-Memory)存储器进行了钴源辐射和退火试验,研究了NROM的总剂量效应和退火特性。使用了超大规模集成电路测试系统测试了NROM的DC、AC、功能参数,分析了辐射敏感参数在辐射和退火过程中的变化规律,研究了器件功能失效和参数退化的原因。测试结果表明:界面态陷阱电荷引起了电路模块中的电荷泵和灵敏放大器MOS管阈值漂移,进而性能恶化、器件功能失效。退火期间由于界面态陷阱电荷没有发生大量退火,致使电路模块性能没有完全恢复,电流参数没有明显下降。

关键词： NROM存储器 SONOS存储器总剂量辐射退火特性电荷泵灵敏放大器

SI-GaAs单晶中深能级陷阱退火特性研究

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半导体技术 2002年第7期27卷 10-12,17页

作者：谢自力南京电子器件研究所江苏南京210016

研究了LEC-SI-GaAs单晶热处理前后深能级陷阱的变化,比较了原生晶体在不同条件的热退火后SI-GaAs单晶中深能级陷阱的特性,分析了产生变化的原因,并讨论了LEC-SI-GaAs中两个主要深能级陷阱EL2和EL6的可能构型。

关键词：深能级陷阱退火特性半绝缘砷化镓热处理光致电流瞬态谱

n-Si低剂量B+、P+离子注入产生的缺陷及其退火特性

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Journal of Semiconductors 1986年第4期 363-373页

作者：陈建新李名复李言谨中国科学技术大学研究生院中国科学技术大学研究生院教员北京工业大学无线电系

对n-Si低剂量(10;cm;)B;和P;离子注入产生的电子和空穴陷阱及其热退火行为.用DLTS方法作了迄今最完整的研究.首次报道了空穴陷阱.注B;引入五种空穴陷阱:高浓度的H;（0.62）和H;（0.43）两种可能与B有关的受主陷阱,还有H;（0.37）,H;（0... 详细信息

对n-Si低剂量(10;cm;)B;和P;离子注入产生的电子和空穴陷阱及其热退火行为.用DLTS方法作了迄今最完整的研究.首次报道了空穴陷阱.注B;引入五种空穴陷阱:高浓度的H;（0.62）和H;（0.43）两种可能与B有关的受主陷阱,还有H;（0.37）,H;（0.63）和H;（0.15）,H;可能是与C有关的受主缺陷,注 P;引入四种空穴陷阱:高浓度的H;（0.51）,也引入H;（0.37）,H;（0.63）和类似H;的H;.同时报道了注B;引入七种和注P;引入三种电子陷阱.注B;引入可能与B有关的受主E;（0.35）,在280℃退火时有高浓度,在320℃退火后激烈退化.另外三种E;（0.41）,E;（0.25）,E;（0.15）在注B;和注P;情况都测到,并基本符合过去离子、中子或电子辐照普遍报道的缺陷能级.研究了上述所有缺陷的退火行为,在800℃退火后,所有缺陷都退至 10;cm;平均浓度以下.

关键词：空穴陷阱能级热退火退火特性 DLTS 离子注入离子掺杂低剂量

GaAs/AlxGa1-xAs调制掺杂材料的高温退火特性

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Journal of Semiconductors 1986年第5期 509-515页

作者：忻尚衡上海交通大学应用物理系

本文对调制掺杂GaAs/Al;Ga;As异质结材料进行无包封过砷压下高温退火。与未经退火材料相比较,高温退火会引起调制掺杂材料的电学性质明显退化.基于Hall和I-V特性测量结果,对造成二维电子气（2-DEG）迁移率下降的原因进行了分析和讨论.

关键词：调制掺杂高温退火 GaAs/Al_xGa x)As 退火特性 Al

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无金和掺金Si-SiO2界面的氧退火特性

物理学报 1985年第6期 715-724页

作者：李思渊张同军王毓珍李寿嵩殷之平兰州大学物理系

本文从实验上研究了氧退火后无金和掺金两类Si-SiO2界面表面电荷、界面态以及禁带中态密度分布的热处理变化。考察了金的界面效应的退火行为。还给出了不同温度下干氧氧化所形成的Si-SiO2界面（包括无金和掺金的）和相同温度下氧退火界... 详细信息

本文从实验上研究了氧退火后无金和掺金两类Si-SiO2界面表面电荷、界面态以及禁带中态密度分布的热处理变化。考察了金的界面效应的退火行为。还给出了不同温度下干氧氧化所形成的Si-SiO2界面（包括无金和掺金的）和相同温度下氧退火界面在电性能上的对比结果。

关键词：界面态禁带能带结构氧化层电荷 Si-SiO2 表面电荷 SiO 退火特性态密度

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离子注入白光退火特性

微细加工技术 1987年第Z2期 58-63页

作者：张通和李国辉阎凤章罗晏王琦贺令渝北京师范大学低能核物理研究所国营706厂

本文研究了离子注入后碘钨灯的退火效果;测量了离子注入和瞬态退火样品的电阻率、迁移率、电激活率和注入层电阻率的均匀性;用背散射和扩展电阻仪得到As浓度和载流子浓度分布;获得了制备浅结的工艺条件。用超高压电镜分析了注入层的剩... 详细信息

本文研究了离子注入后碘钨灯的退火效果;测量了离子注入和瞬态退火样品的电阻率、迁移率、电激活率和注入层电阻率的均匀性;用背散射和扩展电阻仪得到As浓度和载流子浓度分布;获得了制备浅结的工艺条件。用超高压电镜分析了注入层的剩余缺陷。同热退火比较表明白光退火技术更适于超大规模集成电路的微细加工工艺的要求。

关键词：扩展电阻白光载流子浓度退火技术载流子密度离子掺杂离子注入霍耳效应退火特性退火时间激活率方块电阻 P-N结浅结

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中子辐照n型砷化镓退火特性的光致发光研究

北京大学学报(自然科学版) 1985年第3期 44-51页

作者：张丽珠林昭炯王军张伯蕊尹庆民冶金部有色金属研究总院北京大学物理系

中子嬗变掺杂可以作为在GaAs材料中引进均匀的没有补偿的低掺杂的有用方法。当GaAs被热中子轰击时,其中所含的天然同位素;Ga,;Ga和;As发生如下的反应

关键词：光致发光 Cu Te GaAs 中子辐照退火特性

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Si-C混合非晶膜的退火特性分析

功能材料 1984年第5期 38-42页

作者：谭辉陶明德新疆物理所

用Si—C复合靶（单晶硅片和高纯石墨片拼成）高频溅射形成的Si;C;混合非晶膜是一种宽温区温度敏感材料。这种膜具有明显的退火特性.在不同温度下退火处理,其阻值相对变化随退火温度有一极性转变点。在低于极性转变点温度下退火,阻值升高... 详细信息

用Si—C复合靶（单晶硅片和高纯石墨片拼成）高频溅射形成的Si;C;混合非晶膜是一种宽温区温度敏感材料。这种膜具有明显的退火特性.在不同温度下退火处理,其阻值相对变化随退火温度有一极性转变点。在低于极性转变点温度下退火,阻值升高,高于此温度退火,阻值降低。该温度为薄膜淀积的最佳温度。退火时非晶膜的材料常数（B值）随退火温度的升高而下降;B值的温度特性符合B=nT+m的关系.n值随退火温度升高而降低。根据n值的大小可以解释混合非晶膜退火过程中其结构由非晶向多晶转化的机理.

关键词：退火温度退火特性晶膜 SIC 溅射薄膜复合靶烧结靶衬底温度高频溅射非晶

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B^+注入Si的辐射损伤和退火特性

辽宁大学学报（自然科学版） 1998年第3期25卷 253-257页

作者：马德录李淑侠蔡方韩宇高雅君关建新辽宁大学物理系

本文用ｘ射线衍射仪测出了Ｂ＋注入Ｓｉ的摇摆曲线，用阻尼最小二乘法模拟实验曲线，借助于“多层模型”和ｘ射线衍射的运动学理论，计算了Ｂ＋注入Ｓｉ后辐射损伤随注入深度、注入剂量的变化，并用不同的温度进行等时热退火，给出了辐... 详细信息

本文用ｘ射线衍射仪测出了Ｂ＋注入Ｓｉ的摇摆曲线，用阻尼最小二乘法模拟实验曲线，借助于“多层模型”和ｘ射线衍射的运动学理论，计算了Ｂ＋注入Ｓｉ后辐射损伤随注入深度、注入剂量的变化，并用不同的温度进行等时热退火，给出了辐射损伤恢复的退火特性．

关键词：离子注入辐射损伤退火特性硅硼离子