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非晶态Ni-W-P镀层退火晶化和激光晶化组织结构的演变

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中国有色金属学报 2011年第8期21卷 1936-1943页

作者：刘宏郭荣新李莎宗云何冰清山东轻工业学院机械工程学院轻工装备先进制造与测控技术实验室济南250353 淄博市新材料研究所淄博255040

用XRD定量分析法并结合扫描电镜形貌观察,研究化学沉积高磷（13.3%）含量的Ni-W-P镀层在不同热处理条件下的晶化程度、晶粒尺寸及晶格应变等组织结构的演变规律。结果表明：高磷非晶态镀层在退火晶化过程中,Ni3P相的体积分数始终高于Ni... 详细信息

用XRD定量分析法并结合扫描电镜形貌观察,研究化学沉积高磷（13.3%）含量的Ni-W-P镀层在不同热处理条件下的晶化程度、晶粒尺寸及晶格应变等组织结构的演变规律。结果表明：高磷非晶态镀层在退火晶化过程中,Ni3P相的体积分数始终高于Ni相的,700℃时,两相的体积分数之差显著增大,镀层仍有残存的非晶相;在400~500℃之间形成的Ni3P的晶粒尺寸大于Ni的;温度为500~700℃时,Ni相的尺寸大于Ni3P的,但均未超过纳米级。镀层晶格应变表现为随退火温度的升高而降低,镀态时晶格应变最大。激光晶化处理的非晶态Ni-W-P镀层的显微结构特征介于400~500℃之间退火的镀层晶化特征。随扫描速度增加,不仅Ni3P晶粒尺寸增大,而且两相的尺寸差变大。

关键词：激光晶化退火晶化化学沉积Ni-W-P 晶化程度晶粒尺寸晶格应变

退火晶化对化学沉积Ni-W-P合金镀层耐磨性的影响

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金属热处理 2012年第12期37卷 69-73页

作者：卞建胜郭荣新李莎刘宏山东轻工业学院机械与汽车工程学院山东济南250353 淄博新材料研究所山东淄博255040

用化学沉积法制备Ni-W-P合金镀层。利用扫描电镜(SEM)及X射线衍射(XRD)技术,并结合JADE软件定量分析镀层微观组织特征,研究了退火晶化前后显微组织对镀层耐磨性的影响。结果表明,化学沉积Ni-5.24wt%W-6.71wt%P镀层镀态下的晶化程度约为2... 详细信息

用化学沉积法制备Ni-W-P合金镀层。利用扫描电镜(SEM)及X射线衍射(XRD)技术,并结合JADE软件定量分析镀层微观组织特征,研究了退火晶化前后显微组织对镀层耐磨性的影响。结果表明,化学沉积Ni-5.24wt%W-6.71wt%P镀层镀态下的晶化程度约为24%,退火温度升高到700℃时,晶化程度约为94%,未达到完全晶化。在Ni3P相晶化反应温度下,Ni3P相的晶粒尺寸大于Ni相,高于其晶化温度时,Ni相晶粒尺寸大于Ni3P相。退火温度超过600℃时,两相的晶粒尺寸迅速粗化。镀层磨损率随退火温度的升高而减小,500℃时出现最小值,超过500℃时,磨损率又开始增大。镀层较高的耐磨性除了与其硬度有关外,还取决于适当的晶化程度和较小的晶粒尺寸。

关键词： Ni—W—P镀层退火晶化硬度耐磨性

SiN_X覆盖层厚度对非晶In-Ga-Zn-O薄膜退火晶化的影响研究

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人工晶体学报 2019年第5期48卷 907-912页

作者：胡浩威井津域李钦宋忠孝安徽建筑大学环境与能源工程学院合肥230601 西安交通大学材料强度国家重点实验室西安710049 安徽建筑大学材料与化学工程学院合肥230601

采用射频磁控溅射在二氧化硅衬底上沉积一层厚度200nm的非晶In-Ga-Zn-O(IGZO)薄膜,并在IGZO膜层上沉积厚度分别为20nm、50nm、60nm、70nm、90nm的SiNX薄膜覆盖层,于350℃条件下N2气氛中退火1h。采用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电子显微... 详细信息

采用射频磁控溅射在二氧化硅衬底上沉积一层厚度200nm的非晶In-Ga-Zn-O(IGZO)薄膜,并在IGZO膜层上沉积厚度分别为20nm、50nm、60nm、70nm、90nm的SiNX薄膜覆盖层,于350℃条件下N2气氛中退火1h。采用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、能量色散谱仪(EDS)对IGZO薄膜的微观结构及成分进行研究。研究结果表明,退火后无覆盖层的IGZO膜层仍为非晶状态,70nm以上SiNX覆盖层下的IGZO薄膜不发生晶化。与此不同,20~60nm的SiNX覆盖层下IGZO膜层与SiNX覆盖层的界面处存在纳米凸起柱,使IGZO薄膜与SiNX覆盖层的接触界面脱离,此厚度的SiNX覆盖层具有诱导非晶IGZO薄膜晶化的作用,IGZO膜层内部的晶粒直径约10nm。成分分析结果表明,结晶处In原子含量增加,IGZO薄膜中In原子的局域团聚是IGZO薄膜发生晶化的原因。

关键词：非晶IGZO薄膜退火晶化 N2退火 SiNX

真空蒸积Ge-Au、Ge-Ag合金膜的退火晶化

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兰州大学学报（自然科学版） 1992年第2期28卷 76-81页

作者：李莉王天民张人佶兰州大学物理系兰州730000 兰州大学材料科学系兰州730000 清华大学机械系北京100084

本文通过透射电镜研究 Ge-Au、Ge-Ag 膜退火后的形貌与结构,根据合金膜自由能的变化得出计算晶化激活能的公式,提出了利用真空退火相图描述合金膜晶化行为的新方法.

关键词：非晶态合金膜退火晶化锗-金属

超细Ni—B非晶态合金的退火晶化及其催化性能

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北京同步辐射装置年报 2000年第1期 103-106页

作者：韦世强胡天斗等中国科学技术大学，国家同步辐射实验室、基础物理中心和物理系，合肥230026 中国科学院高能物理研究所同步辐

本文采用XAFS、XRD、DTA三种方法研究化学还原法制备的NiB超细非晶态合金在退火过程中的结构变化及结构与催化性能的关系。XRD和XAFS结果表明，NiB超细非晶态合金的退火晶化过程分两步进行，在325℃的退火温度下，NiB超细非晶态合金晶... 详细信息

本文采用XAFS、XRD、DTA三种方法研究化学还原法制备的NiB超细非晶态合金在退火过程中的结构变化及结构与催化性能的关系。XRD和XAFS结果表明，NiB超细非晶态合金的退火晶化过程分两步进行，在325℃的退火温度下，NiB超细非晶态合金晶化生成纳米晶Ni和NiB亚稳物相；在380℃或更高的退火温度下，绝大部分Ni3B进一步晶化分解生成金属Ni物相，其产物中Ni的局域环境结构与金属Ni箔的基本一致。我们发现纳米晶Ni比超细Ni-B非晶态合金或晶态金属Ni粉末有更好的苯加氢催化活性。

关键词：退火晶化催化性能 XAFS XRD DTA 超细Ni-B非晶态合金苯加氢性能催化剂

非晶合金Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9的激波晶化及其特征

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高压物理学报 2000年第4期14卷 257-263页

作者：刘佐权张远第吕毓松云南大学物理系云南昆明650091

研究了非晶合金Fe73 .5Cu1Nb3Si13 .5B9(FINEMET)的激波晶化。与退火晶化比较 ,激波晶化具有一系列鲜明特征 ,这些特征是固态下扩散性相变理论难以解释的 ,有深刻的物理内涵。

关键词：非晶合金激波晶化退火晶化纳米材料 X射线衍射差热分析 FINEMET 透射电镜检测

溅射制备不同厚度Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3薄膜结晶态的研究

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人工晶体学报 2017年第6期46卷 1002-1008页

作者：朱彦旭王岳华宋会会邹德恕李莱龙石栋北京工业大学光电子技术教育部重点实验室北京100124

研究了射频磁控溅射的Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3(PZT52/48)薄膜在退火晶化时,厚度对其结晶态及表面形貌的影响。首先利用Materials Studio软件对PZT分子进行了模拟,并模拟了X射线衍射(XRD)得到PZT的特征峰图;实验上,采用退火炉对不同... 详细信息

研究了射频磁控溅射的Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3(PZT52/48)薄膜在退火晶化时,厚度对其结晶态及表面形貌的影响。首先利用Materials Studio软件对PZT分子进行了模拟,并模拟了X射线衍射(XRD)得到PZT的特征峰图;实验上,采用退火炉对不同厚度的PZT(52/48)薄膜进行了不同温度及时间的退火;接着采用XRD对各样片薄膜进行了结晶物相分析;采用FIB对部分样片薄膜表面形貌进行了观察。实验结果显示,薄膜的厚度及退火条件在一定程度上对其结晶态的影响是一致的;对于一定厚度的薄膜,合适且相同的退火(650℃)条件都可以使其形成单一的PZT(52/48)物相;二次退火对较厚薄膜结晶化有一定的作用,但随着溅射薄膜厚度的增加而累加了内应力,退火后形成有PZT(52/48)物相的较厚薄膜表面出现裂纹越明显。

关键词： PZT(52/48)薄膜射频磁控溅射退火晶化 X射线衍射(XRD)

非晶硅薄膜的激光晶化及深度剖析喇曼光谱研究

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发光学报 2003年第4期24卷 426-430页

作者：徐晓轩林海波武中臣李洪波俞钢朱箭张存洲张光寅南开大学光子学中心天津300071 南开大学光电子器件与薄膜研究所天津300071 美国Dupont公司南开大学讲座教授天津300071

利用共焦显微喇曼光谱仪,对采用PECVD方法制备的非晶硅薄膜进行了退火晶化。晶化后薄膜的喇曼光谱表明,薄膜由非晶硅结构转变为微晶硅结构,同时根据微晶硅结构的喇曼光谱的晶化峰位的移动,可以计算出晶化后微晶硅晶粒尺寸为5nm左右。在... 详细信息

利用共焦显微喇曼光谱仪,对采用PECVD方法制备的非晶硅薄膜进行了退火晶化。晶化后薄膜的喇曼光谱表明,薄膜由非晶硅结构转变为微晶硅结构,同时根据微晶硅结构的喇曼光谱的晶化峰位的移动,可以计算出晶化后微晶硅晶粒尺寸为5nm左右。在对晶化后的薄膜进行深度剖析喇曼光谱研究中,对光谱进行分峰拟合,根据晶化峰的积分强度和非晶峰的积分强度的深度剖析曲线,可以看出晶化程度最高的部分位于薄膜中央,也就是在薄膜上层和接近衬底底部材料结构仍是非晶硅结构,而位于薄膜中间的材料结构转变为微晶硅结构。

关键词：非晶硅薄膜激光晶化深度剖析喇曼光谱共焦显微喇曼光谱仪 PECVD 退火晶化制备

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非晶态Fe-B-Si合金系激波晶化研究

云南大学学报（自然科学版） 1998年第S1期20卷 147-150,153页

作者：刘应开周效峰刘佐权云南师范大学曲靖高等师范专科学校云南大学

以大量非晶态ＦｅＢＳｉ合金系晶化实验为基础，研究了非晶合金激波晶化的特点，并把激波晶化与常压、静态高压下非晶退火晶化作对比．

关键词： Fe-B-Si非晶合金系激波晶化退火晶化高压变态缺位固溶体