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学科分类号

  • 1 篇 工学
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    • 1 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 1 篇 迁移率低
  • 1 篇 高洁净表面
  • 1 篇 磷化铟晶片
  • 1 篇 si残留

机构

  • 1 篇 云南鑫耀半导体材...

作者

  • 1 篇 杨绍楠
  • 1 篇 刘建良
  • 1 篇 赵茂旭
  • 1 篇 李晓宏
  • 1 篇 韦华
  • 1 篇 赵兴凯
  • 1 篇 杨春柳
  • 1 篇 刘汉保
  • 1 篇 孙清

语言

  • 1 篇 中文
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去除外延用掺Fe磷化铟晶片表面Si残留的清洗方法
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云南化工 2024年 第2期51卷 174-178页
作者： 赵茂旭 刘汉保 韦华 杨春柳 孙清 赵兴凯 刘建良 杨绍楠 李晓宏 云南鑫耀半导体材料有限公司 云南昆明650503
使用常规的清洗工艺清洗后磷化铟衬底晶片在外延后会出现迁移率低的表现,对缺陷的外延晶片进行分析,发现衬底与外延层界面Si元素的含量较大。针对该问题提出了优化的清洗工艺,对常规的SC1清洗工艺进行浓度优化并使用两步清洗,以及在过... 详细信息
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