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辅助配位剂对丁二酰亚胺无氰镀银层性能的影响

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电镀与涂饰 2020年第21期39卷 1457-1460页

作者：甘鸿禹刘光明黄超华王洪火刘明瀚余辉赵文浩南昌航空大学材料科学与工程学院江西南昌330063 深圳市思源达科技有限公司广东深圳518105

以含羧基化合物A或其铵盐B,又或焦磷酸钾作为辅助配位剂进行无氰电镀银。镀液的基础组成和工艺条件为:硝酸银5 g/L,丁二酰亚胺60 g/L,硼砂5~10 g/L,pH=9.5±0.5,温度20~30℃,磁力搅拌,时间30 min。研究了3种辅助配位剂对无氰电镀银光亮... 详细信息

以含羧基化合物A或其铵盐B,又或焦磷酸钾作为辅助配位剂进行无氰电镀银。镀液的基础组成和工艺条件为:硝酸银5 g/L,丁二酰亚胺60 g/L,硼砂5~10 g/L,pH=9.5±0.5,温度20~30℃,磁力搅拌,时间30 min。研究了3种辅助配位剂对无氰电镀银光亮电流密度范围及银层光泽、结合力和表面形貌的影响。结果表明,采用化合物含羧基铵盐化合物B作为辅助配位剂时光亮电流密度范围为0.020~0.867 A/dm^2,所得银层的光泽高达579 Gs,结合力良好,组织结构受电流密度的影响较小。

关键词：无氰电镀银丁二酰亚胺辅助配位剂结合力光泽组织结构

焦磷酸盐低锡青铜合金电镀工艺及辅助配位剂的功能

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材料保护 2011年第8期44卷 34-37,89页

作者：冯绍彬苏畅程苏李会东郑州轻工业学院材料与化学工程学院河南郑州450002

为了提高焦磷酸铜-焦磷酸亚锡电镀低锡青铜合金工艺的性能,在其镀液中加入辅助配位剂柠檬酸盐。用电化学、X射线衍射、腐蚀膏试验等方法对镀液及镀层性能进行分析。结果表明:合金镀液具有良好的分散能力,可在较宽的电流密度范围内获得... 详细信息

为了提高焦磷酸铜-焦磷酸亚锡电镀低锡青铜合金工艺的性能,在其镀液中加入辅助配位剂柠檬酸盐。用电化学、X射线衍射、腐蚀膏试验等方法对镀液及镀层性能进行分析。结果表明:合金镀液具有良好的分散能力,可在较宽的电流密度范围内获得色泽一致、锡含量约为10%的低锡合金镀层;电镀初始过程可实现钢铁表面的电位活化,提高了镀层与铁基体的结合强度;镀层结晶良好;合金镀层与铜镀层、暗镍镀层相比具有更好的抗腐蚀性能;Cu-Sn合金/亮镍/装饰铬复合镀层具有良好的防护-装饰效果。该工艺具有较好的稳定性能,是实现节镍、代镍的较理想工艺。

关键词：铜锡合金电镀焦磷酸体系二价锡辅助配位剂抗腐蚀性

柠檬酸体系化学镀镍-磷合金辅助配位剂的筛选

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电镀与精饰 2017年第8期39卷 15-18页

作者：沈岳军刘宵周嵘刘定富曾庆雨叶涛贵州大学贵州贵阳550025 贵州省水利投资(集团)有限责任公司贵州贵阳550002 贵阳市第九中学贵州贵阳550002

配位剂在化学镀镍-磷合金工艺中具有不可替代的作用。以柠檬酸为化学镀镍-磷合金主配位剂,采用温度80~85℃进行施镀,以沉积速率、孔隙率为评价指标,通过实验考察乳酸、丁二酸、氨三乙酸和甘氨酸四种辅助配位剂对化学镀镍的络合作用,在... 详细信息

配位剂在化学镀镍-磷合金工艺中具有不可替代的作用。以柠檬酸为化学镀镍-磷合金主配位剂,采用温度80~85℃进行施镀,以沉积速率、孔隙率为评价指标,通过实验考察乳酸、丁二酸、氨三乙酸和甘氨酸四种辅助配位剂对化学镀镍的络合作用,在此基础上对乳酸、丁二酸两种辅助配位剂进行复配,以求更好的沉积速率和耐蚀性。结果表明,在乳酸的体积分数为0.016,丁二酸的质量浓度为6 g/L时,复配效果最佳,沉积速率达到14.29μm/h,镀层孔隙率仅0.32个/cm2,镀层表观形貌平整、致密。

关键词：化学镀镍-磷合金柠檬酸体系辅助配位剂乳酸丁二酸

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辅助配位剂浓度与滴定酸度的定量关系研究

南京师大学报（自然科学版） 1990年第3期13卷 58-61,79页

作者：欧忠平南京师大化学系

本文着重研究了EDTA配位滴定中辅助配位剂存在时的适宜酸度计算问题,详细讨论了辅助配位剂的浓度与滴定的适宜酸度之间的定量关系,并由此首次提出了两者之间的关系曲线图。本文对实际工作具有一定的指导意义。

关键词：辅助配位剂 EDTA滴定酸度浓度

存在辅助配位剂时单一金属离子配位滴定曲线的绘制

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大学化学 2000年第1期15卷 19-21页

作者：杨铭枢李天增大庆职工大学化工系黑龙江163255

指出了分析化学教科书[1]在处理辅助配位剂存在时,游离金属离子浓度计算和EDTA滴定剂型体选择的不妥之处,提出了游离金属离子浓度计算方法,并绘制出滴定曲线。

关键词：配位滴定滴定曲线绘制金属离子辅助配位剂

存在辅助配位剂时单一金属离子配位滴定曲线的绘制

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德州高专学报 2000年第4期16卷 35-36页

作者：孔春燕

本文指出了现行分析化学教科书在处理辅助配位剂存在时，游离金属离子浓度计算的不足之处，提出了精确计算金属离子浓度的方法，并绘制出滴定曲线。

关键词：辅助配位剂金属离子浓度滴定曲线辅助配位剂配位滴定

ATMP作为辅助配位剂对HEDP体系铜电沉积行为的影响

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电镀与涂饰 2022年第17期41卷 1197-1202页

作者：喻岚廖志祥袁景追张娟王帅星杜楠中国航发贵州红林航空动力控制科技有限公司贵州贵阳550009 南昌航空大学材料科学与工程学院江西南昌330063 湖北三江航天江北机械工程有限公司湖北孝感432100

通过霍尔槽试验、电化学测试、扫描电镜分析和X射线衍射,研究了氨基三亚甲基膦酸(ATMP)作为辅助配位剂时对羟基乙叉二膦酸(HEDP)镀铜体系中铜电沉积行为及镀层结构的影响。结果表明,ATMP可以显著阻碍铜的电沉积,细化镀层晶粒,且具有一... 详细信息

通过霍尔槽试验、电化学测试、扫描电镜分析和X射线衍射,研究了氨基三亚甲基膦酸(ATMP)作为辅助配位剂时对羟基乙叉二膦酸(HEDP)镀铜体系中铜电沉积行为及镀层结构的影响。结果表明,ATMP可以显著阻碍铜的电沉积,细化镀层晶粒,且具有一定的整平作用,但不会改变Cu的形核方式。ATMP主要作用在高电流密度区,适量ATMP的加入有助于拓宽光亮电流密度范围,降低铜阳极的钝化,但ATMP过量会导致高电流密度区镀层烧焦。镀液中加入9 g/L ATMP时,所得的铜镀层结晶细致均匀,平均晶粒尺寸约为37.5 nm。

关键词：电镀铜氨基三亚甲基膦酸羟基乙叉二膦酸辅助配位剂电化学分析