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磁光-光致发光分析CdZnTe单晶带边浅杂质能级

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红外与毫米波学报 2017年第5期36卷 589-593页

作者：祁镇盛锋锋朱亮杨建荣陈熙仁邵军中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 中国科学院上海技术物理研究所红外材器中心上海200083

通过对Bridgeman方法生长的CdZnTe单晶样品进行光致发光(Photoluminescence,PL)光谱测量,发现CdZnTe样品表面Te沉淀物的存在明显影响能量低于1.5 eV的深能级发光过程.进一步对CdZnTe晶锭的不同位置取样进行低温变磁场光致发光光谱测试,... 详细信息

通过对Bridgeman方法生长的CdZnTe单晶样品进行光致发光(Photoluminescence,PL)光谱测量,发现CdZnTe样品表面Te沉淀物的存在明显影响能量低于1.5 eV的深能级发光过程.进一步对CdZnTe晶锭的不同位置取样进行低温变磁场光致发光光谱测试,获得高分辨光谱信息.拟合分析结果表明:(1)在不含Te沉淀物的CdZnTe样品内部存在应力分布,并因此导致轻、重空穴带分裂;(2)1.57 eV发光特征源于浅施主杂质与价带间的复合过程.

关键词： CdZnTe单晶磁光光致发光光谱应力轻空穴

超晶格微带电子态随电场演化过程的电解液电反射谱研究

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Journal of Semiconductors 1995年第6期16卷 401-406页

作者：刘伟江德生张耀辉王若桢中国科学院半导体研究所北京师范大学物理系

本文利用电解液电反射谱研究了Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ａｓ／ＧａＡｓ短周期超晶格中微带电子态随电场的演化过程，不仅清楚地观察到弱场Ｆｒａｎｚ－Ｋｅｌｄｙｓｈ效应和强场Ｗａｎｎｉｅｒ－Ｓｔａｒｋ局域化效应，而且观察到了从弱场... 详细信息

本文利用电解液电反射谱研究了Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ａｓ／ＧａＡｓ短周期超晶格中微带电子态随电场的演化过程，不仅清楚地观察到弱场Ｆｒａｎｚ－Ｋｅｌｄｙｓｈ效应和强场Ｗａｎｎｉｅｒ－Ｓｔａｒｋ局域化效应，而且观察到了从弱场过渡到强场过程中Ｆｒａｎｚ－Ｋｅｌｄｙｓｈ效应和Ｗａｎｎｉｅｒ－Ｓｔａｒｋ局域化效应互相竞争的现象．

关键词：电子态超晶格超点阵微带反射谱局域化电解液跃迁强度子波函数电场增强有效质量近似轻空穴演化过程

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半导体超晶格和量子阱中量子态的光谱研究

物理学进展 1988年第4期8卷 395-431页

作者：沈学础中国科学院上海技术物理研究所红外物理开放研究实验室

本文讨论半导体超晶格及量子阱导带和价带的量子化亚带或子能级之间的带间光跃迁过程。所讨论的光跃迁过程或光谱研究方法有吸收光谱、光电流谱、光荧光和荧光激发谱、调制光谱以及喇曼散射光谱。关于亚带能量状态将着重讨论量子阱中的... 详细信息

本文讨论半导体超晶格及量子阱导带和价带的量子化亚带或子能级之间的带间光跃迁过程。所讨论的光跃迁过程或光谱研究方法有吸收光谱、光电流谱、光荧光和荧光激发谱、调制光谱以及喇曼散射光谱。关于亚带能量状态将着重讨论量子阱中的激子效应和价带亚带混和及其对带间光跃迁的影响。

关键词： GaAs 价带能带结构激子峰跃迁过程量子阱空穴波函数半导体超晶格光跃迁声子散射结合能束缚能超晶格结构电子态轻空穴亚带量子态光谱研究

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磁场下超晶格的子带结构及光跃迁

物理学报 1988年第12期 1915-1924页

作者：项金真夏建白中国科学院半导体研究所清华大学物理系

用有效质量方法计算了磁场下超晶格的子带结构和光跃迁。详细地介绍了计算方法,计算了磁能级的能量随磁场和阱宽的变化。发现随磁场和阱宽的增加,轻空穴态的混入就越显著,只有最低的三个重空穴态还基本保持原来的特性。计算中还发现第... 详细信息

用有效质量方法计算了磁场下超晶格的子带结构和光跃迁。详细地介绍了计算方法,计算了磁能级的能量随磁场和阱宽的变化。发现随磁场和阱宽的增加,轻空穴态的混入就越显著,只有最低的三个重空穴态还基本保持原来的特性。计算中还发现第三轻空穴带对得到收敛的解是必不可少的。最后讨论了磁光跃迁几率和迴旋共振的有效质量。

关键词：空穴波函数轻空穴光跃迁阱宽超晶格超点阵有效质量近似磁场电磁场朗道能级

Hg0.656Cd0.344Te本征吸收光谱和Kane模型

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红外研究 1983年第2期 89-96页

作者：褚君浩中国科学院上海技术物理研究所

本文描述在80K到300K温度范围,利用PE580B型红外分光光度计测量厚度为6.5μm的Hg0.656Cd0.344Te薄样品的本征吸收光谱。测得最高吸收系数达104cm-1。由吸收曲线确定了该样品在不同温度下的禁带宽度以及吸收边所符合的规律,与参考文献[3... 详细信息

本文描述在80K到300K温度范围,利用PE580B型红外分光光度计测量厚度为6.5μm的Hg0.656Cd0.344Te薄样品的本征吸收光谱。测得最高吸收系数达104cm-1。由吸收曲线确定了该样品在不同温度下的禁带宽度以及吸收边所符合的规律,与参考文献[3]的经验公式一致。本文还利用Kane模型计算了吸收系数的理论曲线,取动量矩阵元P=8×10-8eV-cm,重空穴有效质量mhh=0.55m0时,理论曲线与实验曲线符合较好。但Kane理论不能解释吸收边。根据指数吸收边可以推测,在导带底存在一个指数型带尾。

关键词：本征吸收不同温度导带底联合态密度 Kane 吸收边轻空穴 Hg

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超晶格中空穴子带的理论

Journal of Semiconductors 1987年第1期 1-10页

作者：汤蕙黄昆中国科学院半导体研究所

一般半导体超晶格(如GaAs-AlGaAs)中的空穴在垂直于界面方向(z 方向)的运动与XY面内的运动不是相互独立的,因此空穴子带具有复杂的性质.本文在Luttinger-Kohn有效质量理论基础上,提出一种计算空穴子带的方法.它实质上就是以L-K有效质量... 详细信息

一般半导体超晶格(如GaAs-AlGaAs)中的空穴在垂直于界面方向(z 方向)的运动与XY面内的运动不是相互独立的,因此空穴子带具有复杂的性质.本文在Luttinger-Kohn有效质量理论基础上,提出一种计算空穴子带的方法.它实质上就是以L-K有效质量方程的轻重空穴本征解为基,按超晶格倒格矢展开,直接解久期方程的方法.采用这种方法不需要作各向同性化等简化假设,而计算收敛又很快,倒格矢只要计算到三、四级已可达到适当的精度.文中报道了具体计算结果,包括最低几个子带的色散曲线(包括各向异性).典型的波函数,并着重指出空穴子带如何区别于一般习惯的若干有关子带的概念,如轻重空穴子带的区分等.

关键词：空穴波函数计算结果色散关系子带超晶格超点阵轻空穴势垒高度

电场引起的ZnSe/(ZnMn)Se超晶格中激子发光的移动

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液晶与显示 1988年第4期 9-11页

作者：关郑平

在ZnSe/(Zn、Mn)Se量子阱材料中加入中等强度的电场可以产生明显的复合激子发光的光谱位移。这表明在这个异质结构中限制作用可以有效地增加激子的离化阈值。在低温和外界高场中,来自n~+型GaAs/ZnSe衬底/过渡层异质结的热电子注入使ZnM... 详细信息

在ZnSe/(Zn、Mn)Se量子阱材料中加入中等强度的电场可以产生明显的复合激子发光的光谱位移。这表明在这个异质结构中限制作用可以有效地增加激子的离化阈值。在低温和外界高场中,来自n~+型GaAs/ZnSe衬底/过渡层异质结的热电子注入使ZnMnSe层中的Mn离子发生内部跃迁而激发出黄色的发光。

关键词：激子轻空穴离化准粒子 ZnMn)Se 量子阱异质结构单量子阱结构 ZnSe 超晶格超点阵电场电磁场

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光电功能材料

中国光学 2003年第6期17卷 66-67页

O471.3 2003064436半导体微腔中腔模、重空穴激子模和轻空穴激子模耦合=Coupling between cavity mode and heavy-hole exciton andlight-hole exciton in semiconductor microcavity[刊,中]/刘文楷(中科院半导体研究所集成光电子国家重点实验室.北京(100083)),林世鸣…∥物理学报.-2002,51(9).-2052-2056采用传输矩阵方法利用半经典的线性色散模型,计算半导体微腔内同时存在重空穴激子、轻空穴激子时,在不同入射角度下的反射谱,同时。

关键词：半导体微腔重空穴轻空穴激子国家重点实验室传输矩阵方法光电子技术物理学报腔极化激元铁电半导体

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P型Ge的光子牵引效应

红外研究 1984年第4期 282-282页

作者：王晓谦王学忠曹树石朱印康甘子钊北京大学物理系、固体物理所

本文报道了我们对P型Ge光子牵引效应理论和实验的系统研究。红外激光通过P型Ge样品时,发生空穴带间的跃迁。分别考虑重、轻空穴带在k空间的分布函数f1（k）和f2（k）,引入散射弛豫时间τ1（k）和τ2（k）,可以得到光场作用下稳态的分布... 详细信息

本文报道了我们对P型Ge光子牵引效应理论和实验的系统研究。红外激光通过P型Ge样品时,发生空穴带间的跃迁。分别考虑重、轻空穴带在k空间的分布函数f1（k）和f2（k）,引入散射弛豫时间τ1（k）和τ2（k）,可以得到光场作用下稳态的分布函数。具体分析表明,这是一个k空间上的不对称分布,因而半导体中将有轻、重空穴电流产生,即光子牵引电流。

关键词：光子玻色子牵引电流轻空穴 Ge