检索结果-南通市图书馆

2.5Gb/s低噪声差分交叉耦合跨阻放大器的设计与实现

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天津大学学报（自然科学与工程技术版） 2017年第6期50卷 656-660页

作者：谢生高谦毛陆虹吴思聪谷由之天津大学微电子学院天津300072

本文基于UMC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一款低噪声交叉耦合结构的跨阻放大器.该电路由优化的调节型共源共栅(RGC)结构和输出缓冲级构成,其中采用两级共源放大器作为RGC结构的辅助放大器,用于提升电路的等效跨导和带宽.此外,通过优化电... 详细信息

本文基于UMC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一款低噪声交叉耦合结构的跨阻放大器.该电路由优化的调节型共源共栅(RGC)结构和输出缓冲级构成,其中采用两级共源放大器作为RGC结构的辅助放大器,用于提升电路的等效跨导和带宽.此外,通过优化电路参数以及在输入端引入阶梯型无源匹配网络来进一步拓展带宽和降低电路噪声.测试结果表明,在探测器等效电容为300pF时,所设计跨阻放大器芯片的-3d B带宽为2.2GHz,跨阻增益为61.8d B?,平均等效输入噪声电流谱密度仅为9 pA/(Hz)^(1/2),成功实现了2.5Gb/s的传输速率.在1.8V电源电压下,芯片功耗为43m W,包括焊盘在内的芯片总面积为1×1mm^2.

关键词：光接收机调节型共源共栅跨阻放大器低噪声 CMOS

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跨阻放大器的带宽扩展技术

微电子学与计算机 2008年第12期25卷 41-44页

作者：韩良张兴宝王新胜赵富菊哈尔滨工业大学微电子中心黑龙江哈尔滨150001 哈尔滨工业大学(威海)微电子中心山东威海264209

提出了一种针对CMOS跨阻放大器的带宽扩展技术.基于此技术,采用应用于0.18μm 1.8V CMOS工艺,设计了一个RGC结构的跨阻放大器.仿真结果表明,该放大器具有66dB的跨阻增益,4.49GHz的带宽,输入等效噪声电流平均值为11.5pA/(Hz)～(1/2),该... 详细信息

提出了一种针对CMOS跨阻放大器的带宽扩展技术.基于此技术,采用应用于0.18μm 1.8V CMOS工艺,设计了一个RGC结构的跨阻放大器.仿真结果表明,该放大器具有66dB的跨阻增益,4.49GHz的带宽,输入等效噪声电流平均值为11.5pA/(Hz)～(1/2),该电路的功耗仅为15.4mW.

关键词： CMOS RGC 跨阻放大器容性退化

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跨阻放大器自动静噪电路的设计与实现

电子技术应用 2013年第6期39卷 46-48,52页

作者：张书磊莫太山叶甜春中国科学院微电子研究所北京100029

采用0.35μm CMOS工艺设计并实现了一种新的应用于光纤通信跨阻放大器的自动静噪电路。提出的系统结构包括信号强度检测模块、比较基准产生电路、迟滞比较器和静噪控制单元。当输入信号减小到低于静噪使能阈值时,静噪模块将产生静噪使... 详细信息

采用0.35μm CMOS工艺设计并实现了一种新的应用于光纤通信跨阻放大器的自动静噪电路。提出的系统结构包括信号强度检测模块、比较基准产生电路、迟滞比较器和静噪控制单元。当输入信号减小到低于静噪使能阈值时,静噪模块将产生静噪使能信号,关闭信号通路;而当输入信号增大到高于静噪解除阈值时,静噪模块将产生静噪解除信号,打开信号通路。仿真结果表明,对于误码率10-10、灵敏度-40 dBm(100 nA)的155 Mb/s跨阻放大器,静噪使能和静噪解除两个阈值分别为47 nA和85 nA,静噪迟滞宽度为2.57 dB,满足系统要求。

关键词：自动静噪跨阻放大器接收信号强度指示迟滞比较器

2.5Gb/s CMOS低噪声有源电感反馈跨阻放大器

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固体电子学研究与进展 2008年第3期28卷 415-419,454页

作者：韩良刘晓宁白涛李华哈尔滨工业大学微电子中心哈尔滨150001 哈尔滨工业大学(威海)微电子中心山东威海264209 中国兵器集团214研究所安徽蚌埠233042

分析各种结构前置放大器性能的基础上,给出了一个应用于2.5 Gbit/s光纤通信系统的,基于CMOS工艺的共栅结构跨阻放大器。为了减小输入等效噪声电流和提高带宽,采用了有源反馈和有源电感代替传统结构中的电阻反馈。测试结果表明,该电路具... 详细信息

分析各种结构前置放大器性能的基础上,给出了一个应用于2.5 Gbit/s光纤通信系统的,基于CMOS工艺的共栅结构跨阻放大器。为了减小输入等效噪声电流和提高带宽,采用了有源反馈和有源电感代替传统结构中的电阻反馈。测试结果表明,该电路具有61.8 dB的跨阻增益,2.01 GHz的带宽,输入等效噪声电流为9.5 pA/Hz～(1/2),核心电路功耗仅为3.02 mW。

关键词：互补型金属氧化物半导体跨阻放大器有源电感低噪声

基于CMOS工艺的并联双反馈跨阻放大器的设计与实现

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南开大学学报（自然科学版） 2018年第4期51卷 57-62页

作者：谢生吴思聪毛陆虹高谦谷由之李海鸥天津大学微电子学院天津市成像与感知微电子技术重点实验室天津300072 桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室广西桂林541004

针对传统调节型共源共栅(RGC)跨阻放大器在带宽和增益方面的不足,提出1种可拓展带宽和优化平坦度的并联双反馈结构的全差分跨阻放大器.另外,采用反相器替代共源极辅助放大器来提高增益,减小等效输入噪声电流.输出缓冲级的输入端引入无... 详细信息

针对传统调节型共源共栅(RGC)跨阻放大器在带宽和增益方面的不足,提出1种可拓展带宽和优化平坦度的并联双反馈结构的全差分跨阻放大器.另外,采用反相器替代共源极辅助放大器来提高增益,减小等效输入噪声电流.输出缓冲级的输入端引入无源电感形成π型网络,以抵消其寄生电容.基于UMC 0.18μm CMOS工艺,制备出所设计的跨阻放大器芯片,并将其压焊在FR-4基材的印刷电路板上.测试结果表明,差分跨阻放大器的-3 d B带宽为3.5 GHz,总跨阻增益达60 d BΩ,工作频带内的群延时波动小于25 ps,平均等效输入噪声电流密度为18.72 pA/√Hz.在1.8 V工作电压下,芯片功耗为32.4 mW,裸片面积为800μm×600μm.

关键词：跨阻放大器调节型共源共栅结构并联双反馈反相器 CMOS

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一种宽动态范围跨阻放大器的设计

半导体光电 2017年第3期38卷 386-391页

作者：杨赟秀邓世杰卢星西南技术物理研究所成都610042

针对光电探测器的光电流信号弱、变化范围大的特点,设计了一种全新的检测光电流信号的跨阻放大器(TIA)电路结构,其检测电流信号范围为1.6μA^1.6mA,动态电流检测范围达到60dB。通过在电路内部设计出两个增益可调、增益段不同的TIA,分别... 详细信息

针对光电探测器的光电流信号弱、变化范围大的特点,设计了一种全新的检测光电流信号的跨阻放大器(TIA)电路结构,其检测电流信号范围为1.6μA^1.6mA,动态电流检测范围达到60dB。通过在电路内部设计出两个增益可调、增益段不同的TIA,分别处理光电流的小电流段(1.6~50μA)和大电流段(50μA^1.6mA),增益可调范围为56~96dBΩ;通过外置输出电压饱和检测信号,选择所需工作的TIA及其增益段。该电路采用0.18μm标准CMOS工艺的PDK进行电路设计、版图设计和仿真验证等。测试结果表明:在检测电流为1.6μA时,输出电压为95mV;检测电流为1.6mA时,输出电压为915mV,与仿真结果相一致。电路瞬态特性良好,上升时间为5~10ns,3.3V电压下功耗小于2mW,各指标满足设计要求。

关键词：光电探测器跨阻放大器检测范围增益可调

一种用于生物信号采集的CMOS全差分前置跨阻放大器设计

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半导体光电 2018年第2期39卷 201-205,215页

作者：石丹高博龚敏四川大学物理科学与技术学院微电子系微电子技术四川省重点实验室成都610064

针对生物信号微弱、变化范围大等特点设计了一种用于检测微弱电流的全差分跨阻放大器(TIA)电路结构。不同于传统电路的单端输入,该结构采用高增益的全差分两级放大器实现小信号输入及轨到轨输出。基于CSMC 0.18μm CMOS工艺,采用1.8V电... 详细信息

针对生物信号微弱、变化范围大等特点设计了一种用于检测微弱电流的全差分跨阻放大器(TIA)电路结构。不同于传统电路的单端输入,该结构采用高增益的全差分两级放大器实现小信号输入及轨到轨输出。基于CSMC 0.18μm CMOS工艺,采用1.8V电源电压对设计的电路进行了仿真,仿真结果表明:TIA输入电流动态范围为100nA^10μA,最大跨阻增益达到104.38dBΩ,-3dB带宽为4MHz,等效输入噪声电流为1.26pA/Hz。对电路进行跨阻动态特性仿真表明,在输入电流为100nA时,输出电压的动态摆幅达到3.24mV,功耗仅为250μW,总谐波失真(THD)为-49.93dB。所设计的高增益、低功耗、宽输入动态范围TIA适用于生物医疗中极微小生物信号的采集,可作为模块电路集成在便携设备中。

关键词：生物信号采集健康监测宽输入动态范围高增益跨阻放大器

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用于PDIC的跨阻放大器的优化设计

半导体光电 2009年第5期30卷 660-662,668页

作者：安杰邳雪松李挥马建设程雪岷林家用北京大学深圳研究生院集成微系统科学与工程重点实验室广东深圳518055 清华大学深圳研究生院光盘国家研究分中心广东深圳518055

提出了一种用于PDIC的跨阻放大器。电路由三级相同的推挽放大器级联而成,每级均采用一动态电阻对负载进行补偿,以提高放大器的相位裕度。反馈电阻由一栅极受控的PMOS管替代,避免了大尺寸多晶硅电阻引入的附加相移,增加了电路的稳定性。... 详细信息

提出了一种用于PDIC的跨阻放大器。电路由三级相同的推挽放大器级联而成,每级均采用一动态电阻对负载进行补偿,以提高放大器的相位裕度。反馈电阻由一栅极受控的PMOS管替代,避免了大尺寸多晶硅电阻引入的附加相移,增加了电路的稳定性。采用XFAB0.6μm CMOS工艺提供的PDK,在Cadence Spectre环境下进行电路设计、仿真验证。仿真结果表明,电路的增益、带宽及稳定性均得到满意结果。

关键词：跨阻放大器 CMOS工艺 PDIC

1.25Gb/s CMOS高灵敏度宽动态范围跨阻放大器

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半导体光电 2013年第5期34卷 833-837页

作者：张书磊莫太山叶甜春中国科学院微电子研究所北京100029

采用0.35μm CMOS工艺设计并实现了一种新的应用于1.25Gb/s光纤通信接收机的高灵敏度、宽动态范围跨阻放大器电路。引入电流注入技术提高输入管跨导、优化噪声性能、提高灵敏度。自带直流反馈实现直流消除功能,同时采用自动增益控制机制... 详细信息

采用0.35μm CMOS工艺设计并实现了一种新的应用于1.25Gb/s光纤通信接收机的高灵敏度、宽动态范围跨阻放大器电路。引入电流注入技术提高输入管跨导、优化噪声性能、提高灵敏度。自带直流反馈实现直流消除功能,同时采用自动增益控制机制,提高动态范围。仿真结果表明,该电路具有82.02dBΩ的跨阻增益、872.7MHz的带宽、23.74kHz的低频截止频率,输入等效噪声电流为4.08pA/Hz(1/2),最大输入光信号为+3dBm(2mA),在3.3V的电源电压下,芯片功耗为43.4mW。

关键词：跨阻放大器灵敏度动态范围自动增益控制直流消除电流注入