检索结果-南通市图书馆

国外科技动态 1998年第3期 7-9页

作者：杨蓉

在接近绝对零度的温度下，有些金属没有电阻。现在，运用能在更易达到的温度下失去其电阻的陶瓷，超导的大规模工业应用正在到来。

关键词：超导性超导体超导材料

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超导性

中国科教创新导刊 1998年第3期 7-9页

作者：杨蓉

在接近绝对零度的温度下，有些金属没有电阻。现在，运用能在更易达到的温度下失去其电阻的陶瓷，超导的大规模工业应用正在到来。

关键词：库珀对绝对零度超导体超导理论超导导线超导性

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超导性

物理 1960年第6期 247-249页

作者： B.T.马錫亚斯谢民生

約五十年以前,荷兰低溫物理学家翁那斯(***)将电流通过凝固了的水银时,得到了一个意外的发現:在絕对零度以上几度时,水銀对电流的阻力完全消失(見图1——水银电阻-溫度曲线)。这个奇异的现象和我們夙知有关大自然的基本观念是相抵触的,... 详细信息

約五十年以前,荷兰低溫物理学家翁那斯(***)将电流通过凝固了的水银时,得到了一个意外的发現:在絕对零度以上几度时,水銀对电流的阻力完全消失(見图1——水银电阻-溫度曲线)。这个奇异的现象和我們夙知有关大自然的基本观念是相抵触的,直到今天物理学家們仍在寻找它的解释。虽然我們还不够彻底地了解超导性,可是已将一些知道的加以应用了。这篇报告闡述一些这方面的最近工作,說明超导体可能作为低温电子学里的元件。首先談談一个通常金属是怎样导电的。我們知道

关键词：超导体化合物超导性导电性价电子

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碳族单质超导性的第一性原理研究

原子与分子物理学报 2025年第4期42卷 87-92页

作者：韩沛辰林永熠郑磊刘其军刘正堂高娟西南交通大学物理科学与技术学院成都610031 西北工业大学凝固技术国家重点实验室西安710072

同为第四主族的元素,碳、硅、锗、锡、铅具有相似的价电子排布,但超导性却并不相同.锡和铅在常压下即可实现超导,硅和锗则需要在高压下才具有超导性,而碳的常规晶体结构在常压和高压下均尚未发现其超导性.压力在很大程度上是通过改变晶... 详细信息

同为第四主族的元素,碳、硅、锗、锡、铅具有相似的价电子排布,但超导性却并不相同.锡和铅在常压下即可实现超导,硅和锗则需要在高压下才具有超导性,而碳的常规晶体结构在常压和高压下均尚未发现其超导性.压力在很大程度上是通过改变晶体结构和原子之间的位置进而影响其超导性,本论文基于密度泛函理论的第一性原理计算,对碳、硅、锗、锡、铅五种第四主族元素的单质的晶体结构、电子结构、声子性质以及超导性质进行系统地对比分析.计算结果表明费米能级附近的电子态密度越高,金属体系实现超导所需的压力越小.在具有金属性的体系中价带靠近费米能级处带隙的存在会使电子更容易局域在费米能级附近,从而增大费米能级附近电子态的数目并提高体系的超导性.此研究为探究超导机制并提高材料的超导性提供思路.

关键词：超导性第一性原理计算碳族元素电子结构

Ti_3SiC_2掺杂MgB_2块体的超导性研究(英文)

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稀有金属材料与工程 2012年第7期41卷 1135-1138页

作者：单迪闫果周廉李成山王庆阳张胜楠熊晓梅刘国庆西北工业大学凝固技术国家重点实验室陕西西安710072 西北有色金属研究院陕西西安710016

研究了Ti3SiC2掺杂对MgB2的晶格参数(a)、微观结构、超导转变温度(Tc)和临界电流密度(Jc)的影响。随着Ti3SiC2掺杂量的增加,晶格参数a逐渐变小,表明了C进入晶格代替B位的发生。随着掺杂量的增加,超导转变温度Tc从37.15K降低到36.55K。利... 详细信息

研究了Ti3SiC2掺杂对MgB2的晶格参数(a)、微观结构、超导转变温度(Tc)和临界电流密度(Jc)的影响。随着Ti3SiC2掺杂量的增加,晶格参数a逐渐变小,表明了C进入晶格代替B位的发生。随着掺杂量的增加,超导转变温度Tc从37.15K降低到36.55K。利用Bean模型通过M-H磁滞回线计算了样品的Jc值。结果表明,在低场区域,未掺杂样品的Jc值高于Ti3SiC2掺杂样品的Jc值。然而随着磁场的进一步增大,适量掺杂的样品Jc值得到提高。

关键词： MgB2块体 Ti3SiC2掺杂超导性

添加Cu_2S对 Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O体系超导性的影响(英文)

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物理化学学报 1994年第8期10卷 704-709页

作者：陈学安陈德俊徐翠英张金彪朱道本杨德亮中国科学院化学所北京100080

本文对Cu2S添加的Bi－Pb－Sr－Ca－Cu－O体系进行了低温电阻、X射线衍射和XPS研究．实验结果表明，加入少量的Cu2S能够降低高Tc相的形成温度，改善超导性能，加入Cu2S引起了Cu2P3／2谱的主峰向低结合能方向移动，并减少其卫星峰的面积... 详细信息

本文对Cu2S添加的Bi－Pb－Sr－Ca－Cu－O体系进行了低温电阻、X射线衍射和XPS研究．实验结果表明，加入少量的Cu2S能够降低高Tc相的形成温度，改善超导性能，加入Cu2S引起了Cu2P3／2谱的主峰向低结合能方向移动，并减少其卫星峰的面积．这表明Cu2S的加入减少了Cu2＋的量，即导致空穴载流子浓度的减小．

关键词：超导性硫化铜铋-铅-锶钙-铜-氧

T1系单相超导材料的高氧压合成及压力对超导性的影响

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高压物理学报 1995年第1期9卷 29-33页

作者：刘振兴孟宪仁沈德元林明柱涂清云林振金桑丽华彭志强中国科学院物理研究所北京师范大学物理系

系统地研究了在０～３ＭＰａ氧压下Ｔ１系超导材料的制备过程及其超导性质。结果表明：０．２５～０．９０ＭＰａ氧压下所制备的样品为纯２２２３相，Ｔ＿（ｃ０）最高可达１２５．３Ｋ；１．４５～３．００ＭＰａ氧压下样品为纯２２１... 详细信息

系统地研究了在０～３ＭＰａ氧压下Ｔ１系超导材料的制备过程及其超导性质。结果表明：０．２５～０．９０ＭＰａ氧压下所制备的样品为纯２２２３相，Ｔ＿（ｃ０）最高可达１２５．３Ｋ；１．４５～３．００ＭＰａ氧压下样品为纯２２１２相，Ｔ＿（ｃ０）在９５～１００Ｋ之间；０．９０～１．４５ＭＰａ氧压下样品为２２２３及２２１２两相共存。对两种单相样品的高压研究结果表明，２２２３相样品比２２１２相样品有着较强的压力效应，在０～０．５２ＧＰａ压力下分别为４．０Ｋ／ＧＰａ及２．０Ｋ／ＧＰａ。

关键词：氧压压力效应 TBCO 超导合金超导性

电子型超导体(Ln_(1.85)Ce_(0.15))CuO_(4-y)的结构和超导性

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物理化学学报 1991年第6期7卷 641-645页

作者：张玉芬林勤刘尊孝北京大学物理化学研究所应用物化研究室北京100871 北京大学物理系

自La-Ba(Sr)-Cu-O高温超导体发现以来,已经得到了许多含铜的氧化物超导体,这些超导体中都含有一个Cu以八面体或四方锥配位的CuO_2平面,载流子是空穴。1989年初日本Tokura等人首先发现了电子型超导体(Ln_(1.85)Ce_(0.15))CuO_(4-y),Ln=Pr... 详细信息

自La-Ba(Sr)-Cu-O高温超导体发现以来,已经得到了许多含铜的氧化物超导体,这些超导体中都含有一个Cu以八面体或四方锥配位的CuO_2平面,载流子是空穴。1989年初日本Tokura等人首先发现了电子型超导体(Ln_(1.85)Ce_(0.15))CuO_(4-y),Ln=Pr,Nd,Sm。相继报导了这一系列的其他几个超导体:(Pr_(1.85)Th_(0.15))CuO_(4-y)和(Eu_(1.85)Ce_(0.15))CuO_(4-y)(Nd_(1.85)Th_(0.15))CuO_(4-y),Nd_2CuO_(4-y)Fy。这类超导体的Tc都在20K左右,载流子是电子,CuO_2面内的Cu为四方形配位。将这一类超导体的结构称为T′相结构,相应地称K_2NiF_4型的La_(2-x)Sr_xCuO_4的结构为T相结构。两种晶体结构示于图1。两年多来,寻找更高T_c的电子型超导体是超导界所关心的问题之一。

关键词：电子型超导体结构超导性

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奇异金属中的超导性

Science Bulletin 2023年第9期68卷 851-853页

作者：吴颉 Ivan Bozovic Key Laboratory for Quantum Materials of Zhejiang Province School of ScienceWestlake UniversityHangzhou 310024China Brookhaven National Laboratory Upton NY 11973-5000USA Department of Chemistry Yale UniversityNew Haven CT 06520USA

In a gas of charged particles with the density n,mass m,and charge e,the electrical conductivityσis given by the Drude formula:σ=ne^(2)/mΓ,whereΓis the scattering *** metals are well described by Landau’s Fermi L... 详细信息

关键词： particles. 超导性 Fermi

超导性超过130K的Hg-Ba-Ca-Cu-O体系

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北京大学学报（自然科学版） 2002年第B12期38卷 89-92,142-143页

作者： A.西林 M.坎托尼郭建栋 H.R.奥特韩汝珊瑞士联邦高等工业大学

最近发现HgBa2CuO4+δ具有转变温度(Tc)接近94K的超导性[1],进而扩大到对所有(层状)结构中含有铜氧面的高Tc超导体的研究。根据过去进行的含有铋和铊而不是汞的类似化合物的实验,估计单胞中CuO2层多于一个的汞基化合物有可能达到甚至更... 详细信息

最近发现HgBa2CuO4+δ具有转变温度(Tc)接近94K的超导性[1],进而扩大到对所有(层状)结构中含有铜氧面的高Tc超导体的研究。根据过去进行的含有铋和铊而不是汞的类似化合物的实验,估计单胞中CuO2层多于一个的汞基化合物有可能达到甚至更高的转变温度。本文对这种推测提供了证据,因为发现高于130K的超导性存在于含有HgBa2Ca2Cu3O8+x1)(每个晶胞含有3个CuO2层)和HgBa2CaCu2O6+x(每个晶胞含有2个CuO2层)的材料中,而且这两相的晶胞以确定的序列形成超结构。无论是磁性测量还是电阻测量都表明最大转变温度为～133K,明显高于过去在Tl2Ba2Ca2Cu3O10[2,3]中观测到的记录值125—127K。HgBa2CuO4+δ(Hg12012))[1]与铊系铜氧化物TlBa2CuO5(Tl1201)在结构上的相似使人们想到,可能存在组成通式为HgBa2Can-1CunO2n+2+δ的化合物。类似的含铊化合物TlBa2Can-1CunO2n+3的转变温度范围从

关键词：超导体温度铜氧化物超导电性超导性 Hg-Ba-Ca-Cu-O体系