检索结果-南通市图书馆

大学物理 2024年第5期43卷 9-12,21页

作者：胡焱清苏州科技大学材料科学与工程学院江苏苏州215009

费米黄金定则是描述一个系统波函数由一个特征态变换为另一个特征态概率的理论,该理论可以很好地阐述固体发光材料的吸收和发射.然而费米黄金定则的推导过程比较复杂,学生对推导的结果不理解,这会影响后续的教学进度和整体的教学质量.... 详细信息

费米黄金定则是描述一个系统波函数由一个特征态变换为另一个特征态概率的理论,该理论可以很好地阐述固体发光材料的吸收和发射.然而费米黄金定则的推导过程比较复杂,学生对推导的结果不理解,这会影响后续的教学进度和整体的教学质量.本文回顾了费米黄金定则的推导过程,并基于该定则,推导出施主-受主系统电偶极子间的能量传递速率,证实电偶极子间的能量传递跟介电常数的平方和距离的六次方呈反比,该结果为调节电偶极子间的能量传递速率提供了理论依据.此外,根据费米黄金定则,建立了离子偶极子-原子偶极子能量传递模型,推导了发光中心离子偶极子-表面分子原子偶极子能量传递速率,阐明了发光中心激发态能量耗散机制,提出了增强发光中心发射效率的有效措施.这些应用举例能让学生更深入地理解费米黄金定则的物理意义.

关键词：费米黄金定则电偶极子固体物理

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

GaInAsP/InP阶梯量子阱中电子-电子的散射率

引用

发光学报 2016年第11期37卷 1408-1414页

作者：王海龙李正胡敏李士玲龚谦山东省激光偏光与信息技术重点实验室曲阜师范大学物理工程学院山东曲阜273165 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

在有效质量近似下,利用打靶法和费米黄金定则计算出GaxIn1-xAsyP1-y/In P阶梯量子阱中两个及多个电子从第一激发态子带到基态子带的散射率及平均散射率。计算结果表明,电子-电子的散射率和平均散射率随Ga组分和阱宽的增大而升高,随As组... 详细信息

在有效质量近似下,利用打靶法和费米黄金定则计算出GaxIn1-xAsyP1-y/In P阶梯量子阱中两个及多个电子从第一激发态子带到基态子带的散射率及平均散射率。计算结果表明,电子-电子的散射率和平均散射率随Ga组分和阱宽的增大而升高,随As组分的增大而降低。散射率随电子初态能和外加电场强度的增大而降低,平均散射率随载流子浓度的增大而升高。电子温度对平均散射率的影响不明显,平均散射率随着电子温度的升高而稍微降低。

关键词： GaxIn1-xAsyP1-y/InP 阶梯量子阱电子费米黄金定则散射率

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

CdTe/CdMnTe量子阱中电子散射率的研究

CdTe/CdMnTe量子阱中电子散射率的研究

引用

作者：贾召赛曲阜师范大学

学位级别：硕士

随着半导体材料生长技术的发展,可以制备出不同形状的量子阱(Quantum Wells,QWs)。逆抛物量子阱(Inverse Parabolic Quantum Wells,IPQWs)具有较大的斯塔克位移(Stark Shift),在光电器件中具有重要的应用价值。半导体材料CdMnTe中磁性离... 详细信息

随着半导体材料生长技术的发展,可以制备出不同形状的量子阱(Quantum Wells,QWs)。逆抛物量子阱(Inverse Parabolic Quantum Wells,IPQWs)具有较大的斯塔克位移(Stark Shift),在光电器件中具有重要的应用价值。半导体材料CdMnTe中磁性离子Mn的存在,使其同时具有半导体材料和磁性材料的性质,被认为是最有前途的室温辐射探测器材料之一。电子散射是影响半导体器件输运性能的重要因素之一,而关于CdMnTe逆抛物量子阱中电子散射规律的研究较少。本文基于有效质量包络函数近似理论,采用打靶法和费米黄金定则对CdMnTe/CdMnTe逆抛物量子阱中的电子散射率进行了计算和分析。并将其与方形量子阱(Square Quantum Well,SQW)、抛物量子阱(Parabolic Quantum Well,PQW)和三角量子阱(Triangular Quantum Well,TQW)中的计算结果进行了比较,主要内容如下:1.简单介绍了量子阱的概念和应用,以及逆抛物量子阱的性质。阐述了CdMnTe材料的性质、载流子散射机制及其研究意义。2.介绍了计算过程中所采用的理论方法,包括有效质量包络函数近似、打靶法和费米黄金定则,以及计算中所采用的量子阱模型。3.研究了CdMnTe/CdMnTe逆抛物量子阱中的电子-LO声子散射率,并分析了散射率随Mn组分、阱宽、温度、电子密度和外场的变化。结果显示,增加Mn组分和阱宽会导致第一激发态和基态之间的能级差减小。当能级差等于LO声子能量时,散射率达到峰值。随着能级差逐渐远离LO声子的能量,散射率降低。初态电子总能量的增加导致电子总能量与基态能量之间的能量差增加,电子跃迁到基态需释放的能量增加,散射率降低。当初态电子总能量不足以发射一个LO声子时,散射率降为零。LO声子密度随着温度的增加而增加,散射率上升。增加电子密度会导致基态中未被电子占据的量子态数量减少,电子跃迁到基态的概率降低,散射率下降。施加电场导致量子阱的限制势发生倾斜,电子溢出量子阱,散射率降低。施加磁场对散射率产生的影响较小。4.研究了CdMnTe/CdMnTe逆抛物量子阱中的电子-LA声子散射率,并分析了散射率随Mn组分、阱宽、温度、电子密度和外场的变化。结果表明,与LO声子相比,LA声子能量很小,散射率比电子-LO声子散射率小两个数量级。增加Mn组分时,散射率先下降后上升。这是因为在电子密度固定的情况下,当电子与LO声子之间的散射占据主导地位时,则与LA声子相互作用的电子数目减少,散射率下降;反之,散射率上升。量子阱对电子的束缚随着阱宽的增加而减弱,散射率降低。增加温度导致LA声子密度增加,散射率增加。基态中未被电子占据的量子态数量会随着电子密度的增加而减少,散射率降低。同样,施加电场导致限制势发生倾斜,电子溢出量子阱,散射率降低。磁场对散射率产生的影响较小。5.研究了CdMnTe/CdMnTe逆抛物量子阱中的电子-电子散射率,并分析了散射率随Mn组分、阱宽、温度、电子密度和外场的变化。结果表明,增加Mn组分和阱宽会导致第一激发态和基态之间的能级差减小,电子跃迁到基态需释放的能量减小,散射率增加。当温度较低时,电子动能较低,增加温度导致电子动能增加,电子之间碰撞的概率增加,散射率增加;当温度较高时,电子动能较高,导致电子跃迁到基态需释放的能量较大,散射率降低。增加电子密度导致电子之间的库仑相互作用增大,散射率增加。施加电场破坏了限制势的对称性,电子-电子对称散射率降低。磁场对散射率产生的影响较小。6.研究了CdTe/CdMnTe方形、抛物和三角量子阱中的电子散射率随Mn组分和阱宽的变化,并将其与逆抛物量子阱中的计算结果进行了比较。研究结果显示,与方形量子阱、抛物量子阱和三角量子阱相比,逆抛物量子阱中的电子基态能量和第一激发态能量较高,而逆抛物量子阱中第一激发态和基态之间的能级差较小,所以逆抛物量子阱中的电子更容易跃迁到基态,导致其电子散射率高于其他三种形状的量子阱。

关键词： CdMnTe 量子阱打靶法费米黄金定则散射率

来源：

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：