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基于间接跃迁模型的p^+-GaAsSb费米能级研究

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发光学报 2013年第8期34卷 1057-1060页

作者：高汉超尹志军程伟王元许晓军李忠辉南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016

重p型掺杂GaAsSb广泛应用于InP HBT基区材料,重掺杂影响GaAsSb材料的带隙和费米能级等重要参数,这些参数对设计高性能HBT起着关键作用。本文通过间接跃迁模型研究了p+-GaAsSb材料的荧光性质,以及费米能级与Sb组分的关系。由于费米能级... 详细信息

重p型掺杂GaAsSb广泛应用于InP HBT基区材料,重掺杂影响GaAsSb材料的带隙和费米能级等重要参数,这些参数对设计高性能HBT起着关键作用。本文通过间接跃迁模型研究了p+-GaAsSb材料的荧光性质,以及费米能级与Sb组分的关系。由于费米能级与空穴有效质量mh和空穴态密度nh存在函数关系,我们通过荧光测量并计算了空穴有效质量mh和空穴态密度nh,研究结果表明mh和nh共同主导了费米能级的变化。

关键词： GaAsSb HBT 费米能级

线性化AlGaN/GaN HEMT费米能级与二维电子气密度关系的解析模型

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真空科学与技术学报 2011年第2期31卷 225-228页

作者：卢盛辉杜江锋周伟夏建新电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054

通过化简复杂非线性的费米能级EF与二维电子气密度ns关系,并利用化简后函数的一阶泰勒多项式建立了线性化AlGaN/GaN HEMT中EF与ns关系的解析模型。该模型可以根据二维电子气密度ns的范围及温度计算EF与ns非线性关系之线性近似的参数斜率... 详细信息

通过化简复杂非线性的费米能级EF与二维电子气密度ns关系,并利用化简后函数的一阶泰勒多项式建立了线性化AlGaN/GaN HEMT中EF与ns关系的解析模型。该模型可以根据二维电子气密度ns的范围及温度计算EF与ns非线性关系之线性近似的参数斜率a和截距EF0。计算结果表明,所述模型的线性EF-ns计算结果对非线性精确解近似效果较好,且基于该模型计算的ns-VG曲线与实验数据符合良好。

关键词：铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管费米能级线性近似二维电子气

重掺杂硅费米能级和少数载流子浓度的温度特性分析

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低温物理学报 1995年第2期17卷 101-109页

作者：肖志雄郑茳魏同立卓伟王明网东南大学微电子中心

费米能级和少数载流子浓度是硅半导体的重要物理参数，它们与半导体掺杂杂质种类、掺杂浓度和温度都密切相关，至今尚未有一统一的数学模型，特别是在杂质重掺杂条件下进行定量的计算。本文考虑了重掺杂引起的禁带变窄效应，建立了从７... 详细信息

费米能级和少数载流子浓度是硅半导体的重要物理参数，它们与半导体掺杂杂质种类、掺杂浓度和温度都密切相关，至今尚未有一统一的数学模型，特别是在杂质重掺杂条件下进行定量的计算。本文考虑了重掺杂引起的禁带变窄效应，建立了从７７Ｋ到３００Ｋ广为适用的数学模型，着重分析了重掺杂条件下它们的温度特性，获得的计算结果与文献数据较好吻合。这为低温半导体器件的设计提供了有益的理论基础。

关键词：费米能级禁带变窄效应载流子浓度载流子密度重掺杂温度特性

关于电化学极化能否改变电极内部费米能级位置的讨论

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物理化学学报 1986年第5期2卷 478-480页

作者：查全性武汉大学化学系

Khan等人近年一再发表关于电化学极化不能影响电极内部费米能级以及改变电极和溶液两相内部费米能级相对位置的观点。在[3]中更详细地阐述了这种观点。按照作者的意见,根据 E_F=h~2/8π~2m_■~*(3π~2n_e)~2/3 (1)(式中m_■~*为电子的... 详细信息

Khan等人近年一再发表关于电化学极化不能影响电极内部费米能级以及改变电极和溶液两相内部费米能级相对位置的观点。在[3]中更详细地阐述了这种观点。按照作者的意见,根据 E_F=h~2/8π~2m_■~*(3π~2n_e)~2/3 (1)(式中m_■~*为电子的有效质量,n_e是自由电子的浓度,见[3]中第309页,但原文中n_e误写作分母),由于在良电子导体中电场不能进入整体相内部,其中的剩余电荷只可能分布在距

关键词：费米能级电化学极化电子导体电极极化误写相对位置荷电金属接触 outer 金属相

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半导体电化学中的能量标度与溶液的费米能级

化学通报 1993年第8期 34-37页

作者：张天高童汝亭蔡生民河北师范大学化学系石家庄050016 北京大学化学系北京100871

在半导体(光)电化学的教学与研究中,仍有一些基本概念需要进一步加以澄清。本文仅就两个常见的容易混淆的问题进行讨论。一、能量基准点的选择 1.常用的能量标度在半导体(光)电化学中,能量标度基准点的选择是一个最基本的问题。

关键词：半导体电化学能量标度费米能级

Schottky势垒中的电中性能级、平均键能和费米能级

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厦门大学学报（自然科学版） 2003年第5期42卷 586-590页

作者：李书平王仁智厦门大学物理学系福建厦门361005

基于第一原理赝势能带计算,采用电中性能级和平均键能方法计算了7种不同半导体的Schottky接触势垒高度,结果表明2种方法都可用于计算金属本征半导体的接触势垒高度.文中用于确定接触势垒高度的"本征半导体基态费米能级ESF,i"不同于半... 详细信息

基于第一原理赝势能带计算,采用电中性能级和平均键能方法计算了7种不同半导体的Schottky接触势垒高度,结果表明2种方法都可用于计算金属本征半导体的接触势垒高度.文中用于确定接触势垒高度的"本征半导体基态费米能级ESF,i"不同于半导体物理中所指的"本征费米能级Ei".n型半导体接触势垒、p型半导体接触势垒和本征半导体势垒,三者在接触界面附近的费米能级都是"钉扎"于本征半导体基态费米能级ESF,i,是此三者的接触势垒高度大致相同的原因.

关键词： Schottky势垒电中性能级平均键能费米能级半导体接触势垒高度第一原理赝势能带计算

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金属/Ⅲ-Ⅴ族半导体界面费米能级的位移

电子学报 1991年第1期19卷 50-54页

作者：邵丙铣复旦大学

本文详细地叙述了金属/GaAs和金属/GaSb界面,在极低复盖度(亚单层至几个单层)下的费米能级位移的实验结果,并应用缺陷能级密度随金属复盖度的增加而增加的模型进行理论计算,计算结果与实验曲线相吻合。

关键词： Ⅲ-V族半导体界面费米能级位移

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自由电子能带中的平均键能与费米能级

固体电子学研究与进展 2002年第1期22卷 1-4页

作者：李书平王仁智郑永梅蔡淑惠何国敏厦门大学物理学系 361005

根据半导体自由电子能带模型 ,文中在面心立方 (fcc)晶体、体心立方 (bcc)晶体和 6角密堆积 (hcp)晶体中研究自由电子能带的平均键能 Em 和费米能级 EF 的关系 ,并得出自由电子能带的平均键能 Em 相当于费米能级 EF 的研究结果。其结果... 详细信息

根据半导体自由电子能带模型 ,文中在面心立方 (fcc)晶体、体心立方 (bcc)晶体和 6角密堆积 (hcp)晶体中研究自由电子能带的平均键能 Em 和费米能级 EF 的关系 ,并得出自由电子能带的平均键能 Em 相当于费米能级 EF 的研究结果。其结果有助于了解平均键能 Em 的物理实质 ,同时也为自由电子系统提供一种通过自由电子能带计算费米能级 EF(或费米半径 k F)

关键词：费米能级平均键能异质结自由电子能带

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石墨烯的热化学修饰及其费米能级依赖研究

石墨烯的热化学修饰及其费米能级依赖研究

作者：刘丹丹哈尔滨工业大学

学位级别：硕士

石墨烯是零带隙纳米材料,其导带与价带在布里渊区Dirac点接触,表现为金属性质;为了提高石墨烯的应用价值,制造石墨烯半导体器件,需要将石墨烯的带隙打开,将金属性质的石墨烯转换成半导体。已有理论和实验表明化学修饰可以打开石墨烯带... 详细信息

石墨烯是零带隙纳米材料,其导带与价带在布里渊区Dirac点接触,表现为金属性质;为了提高石墨烯的应用价值,制造石墨烯半导体器件,需要将石墨烯的带隙打开,将金属性质的石墨烯转换成半导体。已有理论和实验表明化学修饰可以打开石墨烯带隙。本文采用固相热化学修饰反应对石墨烯进行化学修饰,并利用半导体工艺对石墨烯进行图案化修饰,同时本文探究了石墨烯的热化学修饰对费米能级的依赖。首先,采用固相热化学反应方法实现了石墨烯的化学修饰。利用化学气相沉积法(CVD)生长单层石墨烯,并利用纳米转移技术将单层石墨烯转移至硅基底上,利用拉曼光谱对得到的石墨烯进行表征,确认得到单层石墨烯,再利用过氧化苯甲酰(BPO)对其进行热化学修饰研究。化学修饰后通过共聚焦拉曼光谱进行表征,确定单层石墨烯与BPO反应。BPO在不同溶剂中的溶解度不同,导致热化学修饰对石墨烯引入的掺杂浓度也不同,所以本文探究溶质为BPO,分别以丙酮、乙醇、水为溶剂配置不同的溶液对石墨烯的热化学修饰并得到不同程度的热化学修饰。然后,结合半导体工艺及固相热化学反应方法制备了图案化修饰的石墨烯。我们在石墨烯表面进行光刻,得到条纹状光刻胶覆盖的石墨烯,然后再通过热化学修饰的方法实现过氧化苯甲酰对石墨烯表面的图案化修饰。利用该方法可以简便、快捷、精准地在石墨烯表面实现图案化修饰。最后,研究了石墨烯的化学修饰对费米能级的依赖。我们利用拉曼光谱确定栅极电压引起的石墨烯费米能级变化。探究了三个分别处于不同费米能级的石墨烯的化学修饰情况。研究发现,在石墨烯上施加正偏压时,产生较高比例的反应的碳原子,而在石墨烯上施加负偏压时,产生较低比例的反应的碳原子。

关键词：石墨烯拉曼光谱热化学修饰图案化费米能级