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机构

  • 3 篇 天津大学
  • 1 篇 school of electr...
  • 1 篇 北京大学

作者

  • 4 篇 郭维廉
  • 3 篇 郑云光
  • 2 篇 李树荣
  • 1 篇 weilian guo
  • 1 篇 余道衡
  • 1 篇 shilin zhang
  • 1 篇 xin yu
  • 1 篇 朱照宣
  • 1 篇 luhong mao
  • 1 篇 sheng xie
  • 1 篇 yan chen

语言

  • 6 篇 中文
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检索条件"主题词=负阻晶体管"
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光电负阻晶体管(PNEGIT)的研制和特性分析
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电子学报 1998年 第8期26卷 105-107,128页
作者： 郑云光 郭维廉 李树荣 天津大学电子工程系 天津300072
考虑到负阻晶体管NEGIT的特性，设计和制造了在光强度100lx和1000lx的白炽灯光照射下输出光电流可分别达到0．6mA和18mA的光电负阻晶体管PNEGIT。
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
光电负阻晶体管 PNEGIT 的研制
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天津大学学报 1998年 第5期31卷 545-550页
作者： 李树荣 郑云光 郭维廉 天津大学电子信息工程学院
考虑到负阻晶体管ＮＥＧＩＴ的特点，设计和制造了在光照度１００ｌｘ和１０００ｌｘ的白炽灯光照射下输出光电流可分别达到０．６ｍＡ和１８ｍＡ的光电负阻晶体管ＰＮＥＧＩＴ并测量了其特性．
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双向负阻晶体管张弛振荡器分频锁相特性的研究
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电子科学学刊 1989年 第5期11卷 551-556页
作者： 余道衡 朱照宣 北京大学
本文用简单模型描述了双向负阻晶体管(BNRT)张弛振荡器在周期冲激作用下的分频锁相特性。对于任何分数p/q,给出了在参数空间中分频锁相区的普遍的分析表达式。对于BNRT张弛振荡器进行了分频锁相实验,实验结果与计算相符,说明理论分析是... 详细信息
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功率“∧”双极负阻晶体管（LBT）的研制
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半导体杂志 1993年 第2期18卷 21-25页
作者： 郭维廉 郑云光
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三端电压控制型负阻器件（6）
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半导体杂志 1995年 第2期20卷 34-43页
作者： 郭维廉 天津大学电子工程系
三端电压控制型负阻器件（６）郭维廉（天津大学电子工程系３０００７２）第六章新型“∧”负阻晶体管［２１］新型“∧”负阻晶体管（ＮｅｗＬａｍｂｄａＮｅｇａｔｉｖｅ－ＲｅｓｉｓｔａｎｃｅＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ），简称ＮＬＮＲ... 详细信息
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A novel lambda negative-resistance transistor in the 0.5 μm standard CMOS process
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Chinese Science Bulletin 2012年 第7期57卷 716-718页
作者： Yan Chen LuHong Mao WeiLian Guo Xin Yu ShiLin Zhang Sheng Xie School of Electronic Information Engineering Tianjin University Tianjin 300072 China
A novel negative-resistance transistor (NRT) with a Lambda shaped I-V characteristic is demonstrated in the 0.5 μm standard CMOS process. To save on the number of component devices, this device does not use standard ... 详细信息
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位相共轭、自聚焦等相关效应
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中国光学 1999年 第6期13卷 27-28页
O437 99063681用硅光电负阻器件产生光学双稳态=Optical bista-bility created by using silicon optoelectronicnegative resistance devices[刊,中]/郭维廉,张培宁,郑云光,李树荣(天津大学电子信息工程学院.天津(300072)),郭钢(天津... 详细信息
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