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  • 2 篇 电子文献
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学科分类号

  • 2 篇 工学
    • 2 篇 材料科学与工程（可...
    • 2 篇 电子科学与技术（可...
    • 1 篇 信息与通信工程
    • 1 篇 计算机科学与技术...

主题

  • 2 篇 负偏温度不稳定性
  • 1 篇 pmos器件
  • 1 篇 栅氧化层电场
  • 1 篇 沟道载流子浓度
  • 1 篇 氧化层电荷
  • 1 篇 反应-扩散模型
  • 1 篇 可靠性
  • 1 篇 界面态
  • 1 篇 衬底偏置效应
  • 1 篇 空穴捕获-释放模型...

机构

  • 1 篇 东南大学
  • 1 篇 华润上华科技有限...
  • 1 篇 复旦大学

作者

  • 1 篇 刘斯扬
  • 1 篇 张艺
  • 1 篇 苏巍
  • 1 篇 何骁伟
  • 1 篇 孙伟锋
  • 1 篇 刘玉伟
  • 1 篇 胡久利
  • 1 篇 罗勇
  • 1 篇 张春伟
  • 1 篇 张爱军

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=负偏温度不稳定性"
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pMOSFET的NBTI退化机理及内在影响因素
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东南大学学报（自然科学版） 2015年 第4期45卷 663-667页
作者： 张春伟 刘斯扬 张艺 孙伟锋 苏巍 张爱军 刘玉伟 胡久利 何骁伟 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心 南京210096 华润上华科技有限公司 无锡214028
研究了P型MOSFET的NBTI效应退化机理,以及栅氧化层电场和沟道载流子浓度对NBTI效应的影响.首先,通过电荷泵实验对NBTI应力带来的p M OSFET的界面损伤进行了测试,并利用TCAD仿真软件对测试结果进行分析,结果表明该器件的NBTI退化主要由... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
纳米CMOS器件的NBTI效应及其物理模型
纳米CMOS器件的NBTI效应及其物理模型
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引用
作者： 罗勇 复旦大学
学位级别：硕士
随着CMOS器件尺寸的缩小,栅介质厚度已经减薄到接近其物理极限。然而,电源电压减小的相对滞后导致的强电场引发了各种可靠性问题。其中负偏温度不稳定性(NBTI)是限制纳米CMOS器件寿命的主要因素之一。研究NBTI退化现象,提高器件可靠性... 详细信息
来源： 同方学位论文库 同方学位论文库 评论
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