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中国激光 1997年第4期24卷 307-310页

作者：郭凤珍于长泰小林哲郎浙江大学信息与电子工程学系大阪大学基础工学部

报道了一种具有周期性极性反转结构的ＬｉＴａＯ３电光相位调制器，在１６．２５ＧＨｚ调制频率下，实现了微波与光波的准速度匹配。在合成超短光脉冲实验中获得了１６．２５ＧＨｚ下５７ｒａｄ的调制度，调制带宽达１．８５ＴＨｚ（Ｆ... 详细信息

报道了一种具有周期性极性反转结构的ＬｉＴａＯ３电光相位调制器，在１６．２５ＧＨｚ调制频率下，实现了微波与光波的准速度匹配。在合成超短光脉冲实验中获得了１６．２５ＧＨｚ下５７ｒａｄ的调制度，调制带宽达１．８５ＴＨｚ（ＦＷＨＭ）

关键词：电光调制器调制度准速度匹配调制器

小数分频频率合成器中Σ-Δ调制器设计与实现

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湖南大学学报（自然科学版） 2014年第10期41卷 91-95页

作者：晏敏徐欢乔树山杨红官郑乾戴荣新程呈湖南大学物理与微电子科学学院湖南长沙410082 中国科学院微电子研究所北京100029

介绍了一种应用于小数分频频率合成器的Σ-Δ调制器的设计,该调制器采用三阶级联的MASH1-1-1结构,并利用流水线技术,提高了调制器的工作频率.电路设计采用Verilog HDL硬件描述语言实现,基于QuartusⅡ工具进行测试验证,结果表明,调制器... 详细信息

介绍了一种应用于小数分频频率合成器的Σ-Δ调制器的设计,该调制器采用三阶级联的MASH1-1-1结构,并利用流水线技术,提高了调制器的工作频率.电路设计采用Verilog HDL硬件描述语言实现,基于QuartusⅡ工具进行测试验证,结果表明,调制器最高工作频率为240.56MHz.最终采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,完成了电路版图设计.芯片面积为34 148.5μm2,芯片总功耗为1.284mW,与传统设计相比,面积降低了31.23%,功耗降低了46.14%.

关键词：调制器频率合成器 MASH1-1-1 流水线技术 CMOS

紧凑重频Tesla变压器型调制器的实验研究

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强激光与粒子束 2008年第8期20卷 1392-1396页

作者：张自成杨汉武张建德钱宝良孟志鹏李达王松松曹亦兵国防科学技术大学光电科学与工程学院长沙410073

采用所设计的紧凑Tesla变压器型重频调制器,对Tesla变压器子系统和调制器系统在单脉冲和重频两种模式下分别进行了实验研究,并对实验结果进行了分析讨论,结果表明:单脉冲和重频(50 Hz)两种模式下,Tesla变压器给形成线充电的峰值电压分... 详细信息

采用所设计的紧凑Tesla变压器型重频调制器,对Tesla变压器子系统和调制器系统在单脉冲和重频两种模式下分别进行了实验研究,并对实验结果进行了分析讨论,结果表明:单脉冲和重频(50 Hz)两种模式下,Tesla变压器给形成线充电的峰值电压分别可达380 kV和300 kV,且变压器充电稳定性能高;通过调整气体火花隙主开关的电极间距和工作气压,在调制器单脉冲运行中得到最高输出电压330 kV,脉宽7 ns,上升沿2 ns;在重复频率不超过40 Hz、调制器重频运行小于或等于300个脉冲数时,不需施加冷却系统和吹气系统,大大减小装置的体积和质量;在300个脉冲数以内,随着脉冲数目增加,调制器输出电压的平均值下降,输出电压的不稳定度变小,输出电压下降度增加,并在脉冲数达到50个以上时趋于稳定;随着重复频率增高,调制器输出电压的不稳定度增加,重复频率上升到40 Hz以上时,输出电压的平均值下降较大;调制器重复频率40 Hz下稳定运行输出300个脉冲,输出电压310 kV,电压不稳定度为6%,电压下降度为6%。

关键词：高功率微波调制器 Tesla变压器重复频率

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多通道声电光调制器及其在频谱分析中的应用

压电与声光 1998年第5期20卷 297-299页

作者：俞宽新赵启大何士雅顾志坚北京工业大学应用物理系

使用铌酸锂（ＬＮ）晶体制作了有三个声电光互作用通道的调制器，并进行了空分型声电光频谱分析实验。它可减小声光频谱分析器由于器件自身频率特性的限制而产生的分析误差，提高分析精度达３０％。

关键词：多通道声电光调制器频谱分析调制器

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高变比脉冲变压器固态调制器的研制

西南交通大学学报 2015年第1期50卷 72-76页

作者：王庆峰刘庆想张政权李相强西南交通大学物理科学与技术学院四川成都610031

固态半导体开关串联使用时要求均压和信号同步,导致固态半导体调制器的可靠性及稳定性降低.为解决该问题,对基于高变比脉冲变压器耦合全固态刚管调制器的设计原理、拓扑结构开展了研究.基于脉冲变压器等效电路模型,利用拉普拉斯变换法... 详细信息

固态半导体开关串联使用时要求均压和信号同步,导致固态半导体调制器的可靠性及稳定性降低.为解决该问题,对基于高变比脉冲变压器耦合全固态刚管调制器的设计原理、拓扑结构开展了研究.基于脉冲变压器等效电路模型,利用拉普拉斯变换法分析了脉冲变压器分布参数对输出波形的影响,并根据系统设计指标要求计算出过冲特征系数和上升时间系数,进而对脉冲变压器结构进行了优化设计.研究结果表明,输出波形的前沿与漏感和分布电容的乘积成正比,其过冲与漏感和分布电容的比值成正比;优化后脉冲变压器的变比从原来的1∶30提高到1∶70,其初级电压仅需1 k V即可达到设计要求,且保证了漏感和分布电容满足系统的需求.在此基础上研制的高变比脉冲变压器固态调制器在工作电压70 k V、负载阻抗1.4 kΩ、脉冲宽度100μs的条件下,实现输出脉冲前沿2.8μs、脉冲后沿2μs,达到系统设计要求,且在100 Hz满功率条件下实现长时间稳定运行.

关键词：调制器脉冲变压器分布电容漏感高变比前沿

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SDUV-FEL调制器远程控制系统

原子能科学技术 2012年第12期46卷 1508-1511页

作者：朱海君丁建国郑丽芳刘亚娟袁启兵中国科学院上海应用物理研究所上海201800

介绍了上海深紫外自由电子激光实验装置(SDUV-FEL)调制器的工作特性。调制器的本地控制采用PLC完成,调制器的远程控制采用EPICS完成。描述了远程控制系统的装置组成、软件设计、功能原理和实现方法。该系统具有数据传输高速、稳定可靠... 详细信息

介绍了上海深紫外自由电子激光实验装置(SDUV-FEL)调制器的工作特性。调制器的本地控制采用PLC完成,调制器的远程控制采用EPICS完成。描述了远程控制系统的装置组成、软件设计、功能原理和实现方法。该系统具有数据传输高速、稳定可靠、人机界面友好、直观等特点,成功实现了调制器的监视与控制。

关键词： EPICS SDUV-FEL 调制器远程控制

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一种固态调制器的设计分析

高电压技术 2006年第6期32卷 60-63页

作者：汪邦金袁同山张建华华东电子工程研究所合肥230031

按某气象雷达对发射系统的具体要求,在满足磁控管正常工作条件的情况下,给出了调制器的技术指标,形成了调制器实现的功能框图,并介绍了其各个部分的原理和功能。调制器的设计采用3只串联可控硅作为放电开关(固态调制器);其最大工作电压... 详细信息

按某气象雷达对发射系统的具体要求,在满足磁控管正常工作条件的情况下,给出了调制器的技术指标,形成了调制器实现的功能框图,并介绍了其各个部分的原理和功能。调制器的设计采用3只串联可控硅作为放电开关(固态调制器);其最大工作电压可达3 kV,实际工作有40%的冗余,有利于提高调制器的可靠性;高压电源采用回扫充电方式的开关电源,它使充电、放电分时进行,可以抗调制器连通,减少电源纹波对调制器指标的影响;1μs矩形脉冲采用双线PFN形成,并给出了严格的理论分析,得到了可靠的调制器设计参数。双线PFN的充电电压和输出电压相等,在调制器输出电压相同的情况下,双线PFN的充电电压比单线PFN减小一半,可以有效地减少串联SCR的数量,给使用和维护带来了方便。调制器监控是通过PLC(Programed Logic Controller)编程实现的。PLC具有很强的抗干扰性能,并有标准的422串行接口,有利于外部连接。调制器对所有的故障信号和状态信号实时监控,把故障信号与加高压信号互锁,保证人、机安全。该调制器具有体积小、重量轻的特点,便于安装、使用。结果证明文中的逻辑分析和参数选择是合理的,满足工程设计要求。目前该调制器已在多部气象雷达发射机中应用,工作安全、可靠,对今后这方面的相关工程设计具有一定的借鉴作用。

关键词：调制器回扫充电双线PFN可控硅设计

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MOSFET调制器的实验研究

强激光与粒子束 2006年第9期18卷 1569-1572页

作者：王相綦何宁冯德仁李一丁中国科学技术大学国家同步辐射实验室合肥230029

介绍了MOSFET调制器的基本原理,并对其并联分流和感应叠加两种开关结构进行了实验研究。基于可编辑逻辑器件设计了其触发电路,驱动电路采用高速MOSFET对管组成的推挽输出形式,加快了MOSFET的开关速度。利用Pspice软件对开关上有无剩余... 详细信息

介绍了MOSFET调制器的基本原理,并对其并联分流和感应叠加两种开关结构进行了实验研究。基于可编辑逻辑器件设计了其触发电路,驱动电路采用高速MOSFET对管组成的推挽输出形式,加快了MOSFET的开关速度。利用Pspice软件对开关上有无剩余电流电路(RCD)两种情况进行仿真,结果表明,加装RCD电路可以有效吸收MOSFET在关断瞬间产生的反峰电压。实验中,电流波形用Pearson线圈测量,用3个MOSFET并联作开关,当电容充电电压为450 V,负载为30Ω时,脉冲电流13 A,前沿20 ns,平顶约80ns;用3个单元调制器感应叠加,当电容充电电压为450 A,负载为30Ω时,脉冲电流强度为40 A,前沿25 ns,平顶约70 ns。

关键词： MOSFET 调制器复杂可编程逻辑器件感应叠加剩余电流

Si_2N_2O基体铌酸锂调制器有限元法研究

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光子学报 2006年第1期35卷 37-40页

作者：李九生浙江大学信息学院光及电磁波研究中心杭州310027

提出一种新型基于Si_2N_2O基体的Li NbO_3行波调制器,利用有限元方法对该调制器进行数值分析并获得调制器的优化结构尺寸·该新型调制器带宽达到120GHz,半波电压为3.5V,特性阻抗为50.2Ω.结果表明该调制器具有大的调制带宽和良好的阻抗... 详细信息

提出一种新型基于Si_2N_2O基体的Li NbO_3行波调制器,利用有限元方法对该调制器进行数值分析并获得调制器的优化结构尺寸·该新型调制器带宽达到120GHz,半波电压为3.5V,特性阻抗为50.2Ω.结果表明该调制器具有大的调制带宽和良好的阻抗匹配,在未来光通信中具有很好的应用前景·

关键词：有限元法调制器铌酸锂 Si2N2O

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体波光纤声电光调制器

压电与声光 2004年第5期26卷 360-363页

作者：俞宽新庞兆广何士雅蒋安恩郭明江范瑜晛北京工业大学应用数理学院北京100022

在体波光纤声光器件中使用了电光效应 ,制作出一种新型的体波光纤声电光调制器。这种器件附加了一个信息输入端口 ,使得器件在使用中更具有灵活性。并且可以使器件的中心频率通过所加的直流电压来改变 ,该器件在光纤通信领域内有应用前... 详细信息

在体波光纤声光器件中使用了电光效应 ,制作出一种新型的体波光纤声电光调制器。这种器件附加了一个信息输入端口 ,使得器件在使用中更具有灵活性。并且可以使器件的中心频率通过所加的直流电压来改变 ,该器件在光纤通信领域内有应用前景。该文从声光效应的耦合波方程出发 ,给出了声电光衍射效率的计算公式 ,并用铌酸锂晶体设计制作了体波光纤声电光调制器进行验证 ,测试了其相对衍射效率分别随电信号功率和直流电压变化的曲线。

关键词：体波光纤声电光效应调制器