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主题

  • 1 篇 诱导pn结
  • 1 篇 富硅氧化硅
  • 1 篇 c-v测试
  • 1 篇 电荷俘获效应

机构

  • 1 篇 军事交通学院
  • 1 篇 department of el...
  • 1 篇 南开大学

作者

  • 1 篇 张加友
  • 1 篇 杜金会
  • 1 篇 aceves m
  • 1 篇 李长安
  • 1 篇 于振瑞

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=诱导pn结"
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Al/SRO/Si结构中横向电压作用下的电荷俘获效应
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Journal of Semiconductors 2003年 第11期24卷 1180-1184页
作者： 于振瑞 杜金会 张加友 李长安 Aceves M 南开大学光电子研究所 天津300071 军事交通学院基础部 天津300161 Department of Electronics
利用 Al/ SRO/ Si MOS,对富硅二氧化硅 (SRO)材料在横向电压作用下的电荷俘获效应进行了研究 .用L PCVD法在 n型 Si衬底上沉积 SRO材料 ,通过 C- V测量研究其电荷俘获性质 .发现对于 n型 Si衬底 ,在横向电压作用下 ,SRO层能够俘获正电... 详细信息
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