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主题

  • 7 篇 衰减相移掩模
  • 3 篇 光刻
  • 1 篇 编码
  • 1 篇 交替相移掩模
  • 1 篇 相移器
  • 1 篇 光学邻近效应校正
  • 1 篇 精密工程
  • 1 篇 相移掩模
  • 1 篇 混合相移掩模
  • 1 篇 激光光刻技术
  • 1 篇 刻蚀技术
  • 1 篇 灰阶编码掩模
  • 1 篇 单层材料
  • 1 篇 分辨力
  • 1 篇 微机械构件
  • 1 篇 灰阶掩模
  • 1 篇 教育学院
  • 1 篇 光学邻近效应
  • 1 篇 新方法
  • 1 篇 校正机理

机构

  • 4 篇 中国科学院光电技...
  • 1 篇 中国科学院微电子...
  • 1 篇 中科院光电所微细...
  • 1 篇 四川大学

作者

  • 5 篇 冯伯儒
  • 5 篇 张锦
  • 4 篇 侯德胜
  • 3 篇 周崇喜
  • 2 篇 孙方
  • 2 篇 陈芬
  • 1 篇 苏平
  • 1 篇 姚汉民
  • 1 篇 郭永康
  • 1 篇 刘明
  • 1 篇 宗德蓉
  • 1 篇 刘娟
  • 1 篇 陈宝钦

语言

  • 7 篇 中文
检索条件"主题词=衰减相移掩模"
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衰减相移掩模光刻技术研究
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光电工程 1999年 第5期26卷 4-8,12页
作者： 冯伯儒 张锦 侯德胜 周崇喜 陈芬 中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室 四川成都610209
论述了衰减相移掩模光刻技术的原理和曝光实验研究，给出了光刻曝光实验部分结果。
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衰减相移掩模及其编码制作方法研究
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光学学报 1999年 第8期19卷 1110-1113页
作者： 周崇喜 冯伯儒 侯德胜 张锦 中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室 成都610209
在霍普金斯（ Ｈｏｐｋｉｎｓ）理论的基础上， 对方孔的传统透射掩模、衰减相移掩模以及加入光学邻近效应校正的衰减相移掩模在硅片表面光强分布的计算表明， 衰减相移掩模有提高光刻分辨率的显著功能。提出一种制作衰减相移掩模的编... 详细信息
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一种简单的衰减相移掩模
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激光杂志 2000年 第3期21卷 64-64,66页
作者： 张锦 冯伯儒 侯德胜 周崇喜 姚汉民 郭永康 陈芬 孙方 苏平 四川大学物理系 成都610064 中科院光电所微细加工光学技术国家重点实验室 成都双流610209
:本文介绍了一种与传统Cr掩模制作工艺相兼容的单层衰减相移掩模的结构、原理和制作方法 ,提供了部分实验结果。
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用光致抗蚀剂膜层制作衰减相移掩模
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微细加工技术 2001年 第2期 6-8,34页
作者： 侯德胜 冯伯儒 孙方 张锦 中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室 成教610209
提出一种用光致抗蚀剂膜层制作单层结构衰减相移掩模的新方法 ,介绍这种方法的原理和制作工艺 ,并给出这种方法制作的衰减相移掩模用于准分子激光光刻实验 ,得到显著提高光刻分辨力的实验结果。
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用于100nm节点ArF准分子激光光刻的相移掩模技术
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光电工程 2004年 第1期31卷 1-4,39页
作者： 冯伯儒 张锦 宗德蓉 刘娟 陈宝钦 刘明 中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室 四川成都610209 中国科学院微电子中心 北京100029
用于100nm节点ArF准分子激光光刻的相移掩模(PSM)技术主要有无铬相移掩模(CPM),交替相移掩模(APSM)、衰减相移掩模(AttPSM)和混合相移掩模技术。对这些掩模的基本原理、制作方法及性能比较进行了分析研究。研究表明,无铬相位光刻(CPL)PS... 详细信息
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微细加工技术与设备
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中国光学 2001年 第1期15卷 96-96页
TN305.7 2001010649用灰阶编码掩模实现邻近效应精细校正的研究=Finecorrection of optical proximity effect by usinggray-tone coding mask[刊,中]/杜惊雷,粟敬钦,张怡霄,郭永康(四川大学物理系.四川,成都(610064)),罗克俭,崔铮(内... 详细信息
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微细加工技术与设备
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中国光学 2000年 第3期14卷 100-100页
TN30.5.7 2000032167准分子激光刻蚀技术在微机械中的应用研究=Applicationof the excimer laser etching technologyin micromachine[刊,中]/梁静秋,姚劲松(中科院长春光机所.吉林,长春(130022))//光学精密工程.—1999,7(5).—63-66准... 详细信息
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