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  • 1 篇 理学
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    • 1 篇 化学
  • 1 篇 医学
    • 1 篇 特种医学

主题

  • 2 篇 表面费米能级
  • 1 篇 ni插入层
  • 1 篇 间接跃迁辐射
  • 1 篇 荧光发光谱
  • 1 篇 牺牲ni处理
  • 1 篇 si掺杂
  • 1 篇 ag/p-gan接触
  • 1 篇 ingaas量子点
  • 1 篇 时间分辨荧光光谱

机构

  • 1 篇 河北大学
  • 1 篇 南昌大学
  • 1 篇 南昌黄绿照明有限...

作者

  • 1 篇 徐帅
  • 1 篇 刘景涛
  • 1 篇 王颖
  • 1 篇 郭颖楠
  • 1 篇 王淑芳
  • 1 篇 傅广生
  • 1 篇 江风益
  • 1 篇 刘军林
  • 1 篇 刘晓辉
  • 1 篇 吴小明
  • 1 篇 梁宝来
  • 1 篇 郭醒
  • 1 篇 郭庆林
  • 1 篇 王光绪

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=表面费米能级"
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引入Si掺杂层调控InGaAs/GaAs表面量子点的光学特性
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人工晶体学报 2023年 第1期52卷 73-82页
作者： 刘晓辉 刘景涛 郭颖楠 王颖 郭庆林 梁宝来 王淑芳 傅广生 河北大学物理科学与技术学院 保定071002
在InGaAs/GaAs表面量子点(SQDs)的GaAs势垒层中引入Si掺杂层,以研究Si掺杂对InGaAs/GaAs SQDs光学特性的影响。荧光发光谱(PL)测量结果显示,InGaAs/GaAs SQDs的发光强烈依赖于Si掺杂浓度。随着掺杂浓度的增加,SQDs的PL峰值位置先红移后... 详细信息
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Ni插入层对Ag/p-GaN界面接触性能的影响机理
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发光学报 2019年 第7期40卷 865-870页
作者： 徐帅 王光绪 吴小明 郭醒 刘军林 江风益 南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心 江西南昌330096 南昌黄绿照明有限公司 江西南昌330096
采用“牺牲Ni处理”的方法研究了Ni对Ag/p-GaN界面接触性能的影响机理。利用传输线法(TLM)、紫外分光光度计、X射线光电子能谱(XPS)以及二次离子质谱仪(SIMS)等表征方式对Ag/p-GaN界面层光电性能进行了研究。结果表明,牺牲Ni处理后p-Ga... 详细信息
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