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  • 2 篇 理学
    • 1 篇 物理学
    • 1 篇 天文学

主题

  • 3 篇 表面积累层
  • 1 篇 电子迁移率
  • 1 篇 定量迁移率谱
  • 1 篇 汞镉碲
  • 1 篇 汞镉碲器件
  • 1 篇 磁输运性
  • 1 篇 光导器件
  • 1 篇 红外探测器
  • 1 篇 中子带

机构

  • 3 篇 昆明物理研究所
  • 2 篇 中国科学院上海技...
  • 1 篇 上海技术物理研究...

作者

  • 3 篇 桂永胜
  • 3 篇 蔡毅
  • 3 篇 郑国珍
  • 3 篇 褚君浩
  • 2 篇 汤定元
  • 1 篇 郭少令

语言

  • 3 篇 中文
检索条件"主题词=表面积累层"
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n-HgCdTe表面积累层中子带电子迁移率的研究
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物理学报 1998年 第8期47卷 1354-1360页
作者： 桂永胜 褚君浩 蔡毅 郑国珍 汤定元 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 昆明物理研究所
利用定量迁移率谱技术，通过研究霍尔系数和电阻率与磁场强度的关系，获得了ｎＨｇＣｄＴｅ器件表面积累层中子带电子的浓度和迁移率随温度的变化趋势．由定量迁移率谱得到的结果与ＳｈｕｂｎｉｋｏｖｄｅＨａｓ测量结果以及理论计... 详细信息
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n-HgCdTe表面积累层的定量迁移率谱研究
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红外与毫米波学报 1998年 第3期17卷 182-186页
作者： 桂永胜 郑国珍 蔡毅 褚君浩 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 昆明物理研究所
利用定量迁移率谱技术，通过对霍尔系数和电阻率与磁场强度的关系，获得了ｎ－ＨｇＣｄＴｅ光导器件表面积累层中子带电子的浓度和迁移率，结果与Ｓｈｕｂｎｉｋｏｖ－ｄｅＨａｓｓ实验和理论计算的结果非常吻合．
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Hg_(1-x)Cd_xTe探测器表面积累层的磁输运特性
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引用
Journal of Semiconductors 1997年 第9期18卷 667-673页
作者： 桂永胜 郑国珍 褚君浩 郭少令 汤定元 蔡毅 上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 上海200083 昆明物理研究所 昆明650223
利用WKB近似对Hg1-xCdTe探测器表面积累层二维电子气的色散关系进行了计算，获得了不同表面电子浓度下，各子带的电子浓度、能级位置和有效质量．考虑了能带的非抛物性，由SdH振荡获得的结果与理论符合的很好．
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