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850 nm Implant-confined VCSEL Temperature Characteristics
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Semiconductor Photonics and Technology 2004年 第1期10卷 35-37页
作者: LILin ZHONGJing-chang LIUWen-li ZHAOYing-jie ZHANGYong-ming SUWei Nation.KeyLab.ofHighPowerSemiconductorLasers ChangchunUniversityofSci.andTechnol.Changchun130022CHN
The temperature characteristics of VCSEL using proton implantation are described,compared with its edge-emitting ***-confined VCSEL operation has been realized up to 120 ℃.These records of high operating temperature ... 详细信息
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