检索结果-南通市图书馆

粉末冶金技术 1993年第2期11卷 95-102页

作者：吴贻琨赖和怡刘传习董颐重庆钢铁研究所重庆630025 北京科技大学北京100083

研究了碳、硅和铝合金元素对水雾化奥氏体不锈钢粉末烧结时的表面反应的影响。经实验发现,表面反应产物的形态及分布取决于合金元素的还原行为,这直接影响烧结材料的力学性能。

关键词：粉末冶金不锈钢表面反应

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Fe3Al与水汽及氧气的表面反应

金属学报 1995年第16期 183-187页

作者：万晓景朱家红黄胜标上海大学

用ＡＥＳ及ＳＰＳ研究了Ｆｅ３Ａｌ与水汽及氧气表面反应动力学。表明二者的反应速度都很快，且都在１．５×１０－６Ｐａ·ｓ反应即开始当暴露量达１×１０－４Ｐａ·ｓ，水汽与Ｆｅ３Ａｌ反应达到稳定值，反应产物为Ａｌ２Ｏ３．Ｆｅ... 详细信息

用ＡＥＳ及ＳＰＳ研究了Ｆｅ３Ａｌ与水汽及氧气表面反应动力学。表明二者的反应速度都很快，且都在１．５×１０－６Ｐａ·ｓ反应即开始当暴露量达１×１０－４Ｐａ·ｓ，水汽与Ｆｅ３Ａｌ反应达到稳定值，反应产物为Ａｌ２Ｏ３．Ｆｅ３Ａｌ与氧气的反应在１．５×１０－５Ｐａ·ｓ时达到稳定，此时主要是Ａｌ的氧化，当暴露量达３×１０－２Ｐａ·ｓ，Ｆｅ３Ａｌ与氧的反应达到第二阶段平衡，此时主要为Ｆｅ的氧化．上述表面反应动力学可用来圆满解释金属间化合物在不同环境气氛中的拉伸结果．

关键词： Fe3Al 表面反应 Auger能谱环境氢脆

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含铝、钛元素的镍基高温钎料的表面反应

焊接 2015年第9期 59-61,76页

作者：梁海侯万良中国航空工业集团公司北京航空材料研究院 100095 中国科学院沈阳金属研究所 110016

研究了硼、碳合金元素和钎焊温度对含铝、钛的镍基高温钎料的表面氧化反应的影响。试验发现,在只含以硅作降熔点元素的镍基活性钎料中,在2×10^(-2)Pa的真空环境下加热,表面氧化反应十分严重,钎料颗粒氧化发黑,不铺展、不润湿;在加入0.... 详细信息

研究了硼、碳合金元素和钎焊温度对含铝、钛的镍基高温钎料的表面氧化反应的影响。试验发现,在只含以硅作降熔点元素的镍基活性钎料中,在2×10^(-2)Pa的真空环境下加热,表面氧化反应十分严重,钎料颗粒氧化发黑,不铺展、不润湿;在加入0.15%碳元素后,表面氧化反应略有减弱;而在同时加入0.3%左右的硼元素后,钎料颗粒氧化发黑现象消失,表面脱氧化反应强烈,钎料的铺展和润湿性良好;而提高钎焊温度则对活性钎料的表面脱氧反应有利。

关键词：镍基高温钎料活性元素表面反应

吸附物准可逆表面反应示波极谱峰电流及其验证

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分析化学 1993年第8期21卷 950-952页

作者：宋淑玉金文睿王淑仁何佩鑫陈晓明复旦大学化学系复旦大学化学系济南 250100 山东大学化学系

本文讨论了吸附物在滴汞电极上的准可逆表面反应示波极谱峰电流表达式,并进行了实验验证。

关键词：表面反应示波极谱吸附

可逆、准可逆和不可逆表面反应循环伏安法的数字模拟

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高等学校化学学报 1991年第7期12卷 875-878页

作者：王川陈晓明何佩鑫金文睿复旦大学化学系上海200433 山东大学化学系济南250100

用数字模拟的方法研究了可逆、准可逆和不可逆表面反应的循环伏安法响应,与理论推导结果相一致,但数字模拟提供了更灵活、方便、通用性更强的研究表面反应机理的手段,本文建立了有关的数字模型,给出了不同动力学参数条件下的电流-电位... 详细信息

用数字模拟的方法研究了可逆、准可逆和不可逆表面反应的循环伏安法响应,与理论推导结果相一致,但数字模拟提供了更灵活、方便、通用性更强的研究表面反应机理的手段,本文建立了有关的数字模型,给出了不同动力学参数条件下的电流-电位关系曲线,讨论了动力学参数对电流函数的影响以及用于测定这些参数的方法。

关键词：表面反应循环伏安法数字模拟

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催化剂载体对噻吩吸附和表面反应的影响

石油学报（石油加工） 1992年第2期8卷 71-76页

作者：高荫本关春梅陈诵英中国科学院山西煤炭化学研究所

应用动态分析方法考察了噻吩在Mo/Al_2O_3、Mo/SiO_2、Mo/TiO_2三种催化剂上的吸附和表面反应速率常数,实验结果表明:(1)载体对吸附和反应性能都有影响,其中对吸附影响更加突出。在任一载体上,K_A·k_r/k_a远小于1,表面反应是噻吩氢解... 详细信息

应用动态分析方法考察了噻吩在Mo/Al_2O_3、Mo/SiO_2、Mo/TiO_2三种催化剂上的吸附和表面反应速率常数,实验结果表明:(1)载体对吸附和反应性能都有影响,其中对吸附影响更加突出。在任一载体上,K_A·k_r/k_a远小于1,表面反应是噻吩氢解的速率控制步骤,而吸附是平衡的;(2)由MoO_3载量对K_A及K_r的影响推测,对Mo/Al_2O_3催化剂,噻吩主要吸附于载体上,而氢解反应则发生在金属Mo上;对Mo/SiO_2催化剂,则吸附和反应都发生在Mo上;(3)用动态分析方法按两步反应机理获得的载体对K_p的影响规律与稳态法结果基本一致。

关键词：催化剂载体噻吩吸附表面反应

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激光促进了烷裂解表面反应过程中的能量传递

分子催化 1992年第1期6卷 23-31页

作者：钟顺和孙国良天津大学化学工程系天津300072

本文利用红外光谱、化学吸咐和激光表面反应技术,研究了丁烷在H-ZSM-5分子筛、SiO_2和γ-A1_2O_3表面上的激光表面反应规律;研究了不同激发模式、固体表面材料的红外特性及化学吸附能力、激光脉冲次数及脉冲间隔时间等因素对激光光能利... 详细信息

本文利用红外光谱、化学吸咐和激光表面反应技术,研究了丁烷在H-ZSM-5分子筛、SiO_2和γ-A1_2O_3表面上的激光表面反应规律;研究了不同激发模式、固体表面材料的红外特性及化学吸附能力、激光脉冲次数及脉冲间隔时间等因素对激光光能利用率的影响;证实了固体表面键激发模式的有效性,探讨了激光表面反应过程中能量吸收、积累、传递和损失的途径,提出了激光促进丁烷裂解的表面反应机理。

关键词：激光表面反应丁烷裂解能量传递

激光诱导Cl_2与Si(111)表面反应产物的角分布研究

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中国科学（A辑） 1994年第8期24卷 863-868页

作者：张抗战秦启宗复旦大学激光化学研究所

利用1064nm波长激光诱导Cl_2/Si(111)反应研究气-固表面反应的动力学,采用角分辨飞行时间质谱技术测得该反应的初始产物为SiCl_2,比较了1064和355nm不同波长激光诱导反应所得产物的通量及其平动温度的空间角分布,并认为它们之间的差异... 详细信息

利用1064nm波长激光诱导Cl_2/Si(111)反应研究气-固表面反应的动力学,采用角分辨飞行时间质谱技术测得该反应的初始产物为SiCl_2,比较了1064和355nm不同波长激光诱导反应所得产物的通量及其平动温度的空间角分布,并认为它们之间的差异是由于不同波长激光引起性质不同的脱附过程所致。

关键词：激光诱导表面反应氯硅角分布

基于表面反应的SERS传感器研制检测亚硝酸根离子

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基于表面反应的SERS传感器研制检测亚硝酸根离子

作者：杨涵茹上海师范大学

学位级别：硕士

拉曼光谱是一种收集分子振动指纹光谱的谱图,拉曼光谱作为一种快速、无损、安全的检测技术,具有快速准确、重现性好、样品前处理简单、紧凑便携、适用广泛等特点。表面增强拉曼光谱(SERS)是基于拉曼光谱加入增强基底一种分析技术,具有... 详细信息

拉曼光谱是一种收集分子振动指纹光谱的谱图,拉曼光谱作为一种快速、无损、安全的检测技术,具有快速准确、重现性好、样品前处理简单、紧凑便携、适用广泛等特点。表面增强拉曼光谱(SERS)是基于拉曼光谱加入增强基底一种分析技术,具有超高的灵敏度,广泛应用于检测痕量样品。通常我们把相界面上发生的化学反应成为表面反应,表面反应种类繁多。表面化学在20世纪40年代前发展迅猛,同时大量的研究成果被广泛应用。发展到60年代末70年代初,人们逐渐由宏观深入到微观研究表面反应,使表面化学得到飞速发展。我们选择简单快速的表面反应来检测被测物,具有高度选择性和特异性,不受其他物质干扰,这是其优势之一。本论文将表面反应与SERS结合,研制出新型传感器,在分析领域中将大有发展。本论文通过不同表面反应来分别检测自来水、唾液以及尿液中的亚硝酸根离子的浓度。传统检测亚硝酸根离子的方法有离子色谱(IC)、荧光法、电化学法、比色法和电泳法。而这些方法通常存在前处理繁琐复杂、检测时间长、灵敏度较高等不同的问题,而表面增强拉曼光谱技术(SERS)不需要复杂的前处理过程,检测快速时间短,灵敏度比拉曼光谱技术(RS)得到大幅度提升,同时检测限也更低,表面增强拉曼光谱提供了分子指纹信息,在痕量样品的分析检测中发挥了重要作用,因此我们选择将表面反应与表面增强拉曼光谱技术结合的方式检测亚硝酸根离子的浓度。表面增强拉曼光谱需要金银金属纳米粒子作为活性基底来增强SERS信号,其中金属纳米粒子有其固有的表面等离子体共振效应,银纳米粒子的增强效果更为明显。同时,我们也可以加入保护剂和稳定剂来阻止纳米粒子的团聚,提高纳米粒子的稳定性。本论文进行尝试性探究,将表面反应与表面增强拉曼光谱技术结合,分别检测自来水、唾液和尿液中的亚硝酸根离子,尝试建立快速简便的检测方法,进一步扩大应用范围。主要研究内容和结果如下:1.通过对巯基苯胺(PATP)与亚硝酸根离子在酸性条件下的偶氮反应,检测自来水中的亚硝酸根离子,反应前后的拉曼光谱有着明显变化,并分别对偶氮苯的三处特征峰1148 cm-1,1394 cm-1,1439 cm-1进行归属和归一化。可得亚硝酸根离子检测的线性范围为25 μM-125 μM,达到我国国家标准200 ppm及世界健康组织(WHO)214.2 μM。三处特征峰的相关性R2分别为0.98274、0.96771和0.98937。加标测得实际样品自来水的回收率范围在95.67-103.96%,回收率良好。2.通过尿素与亚硝酸根离子在酸性条件下的重氮化反应,检测唾液中的亚硝酸根离子。尿素的特征峰只有在1003 cm-1一处,反应后此处峰强明显减低,其特征峰进行归属和归一化。结果可得亚硝酸根离子的线性范围为20μM-120 μM,特征峰的相关性R2为0.96498。加标测实际样品唾液的回收率范围在83.23-89.93%,回收率良好。3.通过α-萘胺与对氨基苯磺酸和亚硝酸根离子在酸性条件下的偶氮反应,从肉眼上颜色的直观变化,更能直接看到反应的发生。测得亚硝酸根离子检测的线性范围为5 μM-100 μM,1118 cm-1和1332 cm-1两处新峰的相关性R2分别为0.97543和0.96822。加标测得实际样品尿液的回收率在93.5%-102.66%之间,回收率良好。本论文研究结果表明,将表面反应与表面增强拉曼光谱技术结合,能有效地检测亚硝酸根离子,该方法制得的表面反应传感器快速便捷、选择性专一,使基于表面反应的SERS传感器在食品环境领域得到大力发展。对人类的健康生活有了进一步的保障。

关键词：表面反应表面增强拉曼光谱技术亚硝酸根离子

MOVPE生长AlN及GaN的表面反应研究

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MOVPE生长AlN及GaN的表面反应研究

作者：孙巍江苏大学

学位级别：硕士

以AlN和GaN为基础的III族氮化物半导体材料,由于其在高亮度LED以及大功率电力电子器件中的应用而获得了广泛关注。金属有机化学气相外延(MOVPE)是生长AlN和GaN薄膜的主要技术,包括输运过程、气相反应和表面反应。前两者决定了气相前体(... 详细信息

以AlN和GaN为基础的III族氮化物半导体材料,由于其在高亮度LED以及大功率电力电子器件中的应用而获得了广泛关注。金属有机化学气相外延(MOVPE)是生长AlN和GaN薄膜的主要技术,包括输运过程、气相反应和表面反应。前两者决定了气相前体(如MMAl、NH、DMAlNH、MMGa等)到达衬底上方的速率和浓度分布,而后者决定了薄膜生长的表面形貌、杂质组分和缺陷。本文利用量子化学的密度泛函理论(DFT),考虑NH和H在AlN或GaN表面可能分解吸附为NH和H,分别研究了AlN-MOVPE中两种主要吸附物种MMAl、DMAlNH以及GaN-MOVPE中的主要吸附物种MMGa在NH与H混合覆盖的AlN(0001)-Al面(简称AlN表面)和GaN(0001)-Ga面(简称GaN表面)的吸附与扩散,观察其表面NH与H混合覆盖比例的变化对三种物种的表面吸附影响。通过比较不同覆盖度下吸附物种的表面吸附能、分波态密度、电荷变化以及表面扩散能垒,探讨AlN和GaN生长中的表面反应机理。主要的结论如下:(1)考虑在原子层外延(ALD)情况下,MMAl可能单独吸附在表面,研究了在NH与H混合覆盖表面下MMAl的吸附与扩散,通过比较不同覆盖度下吸附物种的表面吸附能、电荷变化以及表面扩散能垒等,发现MMAl在NH与H混合覆盖的AlN(0001)-Al面,随着NH与H的覆盖度变化,MMAl均稳定吸附在T4位和H3位,吸附概率相近。随着NH比例增多、H比例减少,MMAl吸附后都向AlN表面转移电荷,同时其吸附变得相对容易,扩散变得逐渐困难。与吸附前相比,吸附后MMAl中的Al-C键长缩短,键能增强,不利于CH的脱离,导致引入C杂质的概率增高,表明MMAl既可能是生长中主要反应物质之一,同时也是引入C杂质的主要来源之一。若AlN表面存在覆盖H,吸附后的MMAl会促使表面覆盖的H原子倾向于脱离AlN表面,有利于后续生长。(2)研究了在金属有机化学气相外延(MOVPE)下,AlN生长前体DMAlNH在NH和H混合覆盖AlN(0001)-Al面的吸附,发现随着覆盖在AlN(0001)-Al面的NH比例增多、H比例减少,DMAlNH吸附后都向AlN表面转移电荷。与吸附前相比,DMAlNH吸附后其中一个Al-C键长增长,键能变弱,倾向于脱离,并且在表面H和NH覆盖度为1:1时,在吸附过程中可能会脱离去一个CH后吸附到表面。DMAlNH吸附到表面后,会与表面生成新的Al-N键,并且表面原有Al-N键能会减弱,键长会增长,并且DMAlNH吸附后与表面生成的Al-N的强度随着与表面生成的Al-N的数量的增多,其强度逐渐减弱。(3)研究了在金属有机化学气相外延(MOVPE)下,GaN生长前体MMGa在NH和H混合覆盖GaN(0001)-Ga面的吸附,结果表明,在NH与H混合覆盖GaN(0001)-Ga面,随着NH与H的覆盖度变化,MMGa均稳定吸附在T4位和H3位,吸附概率相近。并且在表面同时覆盖75%的NH和25%的H时,MMGa的吸附能最大。结合态密度图与差分电荷密度图表明,MMGa中的Ga原子与表面NH中的N原子有相互作用,电荷从MMGa转移到表面,MMGa中的Ga的3s、3p轨道与NH的N的2s、2p轨道发生杂化,在吸附过程中形成Ga-N键。与吸附前相比,吸附后MMGa中的Ga-C键长缩短,键能增强,不利于CH的脱离,导致引入C杂质的概率增高,表明MMGa既可能是生长中主要反应物质之一,同时也是引入C杂质的主要来源之一。

关键词： AlN GaN MOVPE 密度泛函理论表面反应