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  • 2 篇 工学
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    • 1 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 3 篇 表面分凝
  • 2 篇 贮氢材料
  • 1 篇 表面催化
  • 1 篇 lani5
  • 1 篇 灵敏度因子
  • 1 篇 蓄热材料
  • 1 篇 氢密度
  • 1 篇 金属氢化物
  • 1 篇 贮氢合金
  • 1 篇 低能电子衍射
  • 1 篇 吸氢
  • 1 篇 inxga1-xn合金薄膜...
  • 1 篇 aes
  • 1 篇 ⅴ/ⅲ比
  • 1 篇 中子衍射
  • 1 篇 贮氢量

机构

  • 2 篇 中国科学院物理研...
  • 1 篇 南京大学

作者

  • 2 篇 虞心南
  • 1 篇 江若琏
  • 1 篇 刘斌
  • 1 篇 叶建东
  • 1 篇 顾书林
  • 1 篇 郑有炓
  • 1 篇 张荣
  • 1 篇 谢自力
  • 1 篇 陈敦军
  • 1 篇 王荣华
  • 1 篇 李亮
  • 1 篇 周建军
  • 1 篇 文博
  • 1 篇 张青哲
  • 1 篇 林彰达
  • 1 篇 刘成祥
  • 1 篇 韩平
  • 1 篇 施毅
  • 1 篇 张禹
  • 1 篇 符凯

语言

  • 3 篇 中文
检索条件"主题词=表面分凝"
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InxGa1-xN合金薄膜In的表面分凝现象
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Journal of Semiconductors 2006年 第Z1期27卷 97-100页
作者： 刘成祥 谢自力 韩平 刘斌 李亮 符凯 周建军 叶建东 文博 王荣华 张禹 陈敦军 江若琏 顾书林 施毅 张荣 郑有炓 南京大学物理系 江苏省光电信息功能材料重点实验室南京210093
用MOCVD方法在α-Al2O3(0001)衬底上外延生长了InxGa1-xN合金薄膜.测量结果显示:所制备的InxGa1-xN样品中In的组分随外延生长温度而改变,生长温度由620℃升高到740℃,In的组分由0.72降低到0.27.这是由于衬底温度越高,In进入InxGa1-xN薄... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 评论
贮氢材料LaNi5的表面分凝
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真空科学与技术学报 1984年 第1期 33-38页
作者： 虞心南 张青哲 林彰达 中国科学院物理研究所
本文报告了贮氢材料LaNi5的表面分凝及其影响因素。AES的深度剖面分析发现,气氛中的氧引起镧的表面分凝,在LaNi5表层中,镧扩散到表面并且氧化。与此同时,镍以金属态析出,最表层为富镧贫镍层;次表层为富镍贫镧层。表面分凝层的厚度与分... 详细信息
来源： 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
国外贮氢材料研究及其应用
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引用
物理 1985年 第7期 403-409页
作者： 虞心南 中国科学院物理研究所
氢是一种理想的二次能源.它作为未来世界的新能源而占有重要地位.最引人注目的是氢产自于水,燃烧产物仍旧是水,其单位重量热值为汽油的三倍.因此,氢作为清洁能源,受到世界各国广泛重视. 氢能利用包括生产、贮存和运输三方面.用高压钢瓶... 详细信息
来源： 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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