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电子技术 1965年第2期 19-20+23页

作者：毛善根

随着电子科学技术的飞跃发展,对电阻组件提出了更高的要求.如要求温度系数小,稳定性好,单位额定功率高等;因而常用的炭质合成实心电阻和热分解炭膜电阻已不能适应各方面的需要.采用纯金属铬材料,以真空蒸发法制成的金属铬薄膜电阻,其性... 详细信息

随着电子科学技术的飞跃发展,对电阻组件提出了更高的要求.如要求温度系数小,稳定性好,单位额定功率高等;因而常用的炭质合成实心电阻和热分解炭膜电阻已不能适应各方面的需要.采用纯金属铬材料,以真空蒸发法制成的金属铬薄膜电阻,其性能此炭质电阻和炭膜电阻有显着的提高.且成本低廉,适宜于大量生产,该电阻的制造工艺基本上与目前大量生产的碳膜电阻相同,本文不一一介绍,现就其中重点工序叙述如下.

关键词：电阻温度系数炭膜电阻炭质金属薄膜薄膜电阻阻值

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真空变温薄膜电阻测试仪器的设计与应用

真空变温薄膜电阻测试仪器的设计与应用

第六届全国高等学校物理实验教学研讨会

作者：朱亚彬魏敏建何帆刘依真王保军陈志杰北京交通大学理学院

本文介绍一种自制真空变温薄膜电阻测试仪器,可以实现粗真空（0＜P＜1atm）条件下,从室温到300℃的四探针法薄膜电阻测试。适用于开展薄膜物性与电阻和温度相关的实验,例如,金属与半导体薄膜的温度—电阻特性实验,二氧化钒薄膜热滞效应... 详细信息

本文介绍一种自制真空变温薄膜电阻测试仪器,可以实现粗真空（0＜P＜1atm）条件下,从室温到300℃的四探针法薄膜电阻测试。适用于开展薄膜物性与电阻和温度相关的实验,例如,金属与半导体薄膜的温度—电阻特性实验,二氧化钒薄膜热滞效应实验等。

关键词：真空变温薄膜电阻

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微型热敏传感器的薄膜电阻设计研究

微型热敏传感器的薄膜电阻设计研究

ROS高精度Cr-Si薄膜电阻网络及其应用

中国微米、纳米技术第七届学术会年会

作者：刘奎苑伟政邓进军马炳和姜澄宇西北工业大学西北工业大学西北工业大学西北工业大学西北工业大学

应用微型热敏传感器薄膜电阻的电阻温度系数设计方法,得到基于热敏电阻的电阻温度系数的计算和设计参数。结合针对流体壁面剪应力测量的应用要求,分析多晶硅和铂金属热敏电阻的优缺点,并且对试验电阻进行电阻温度系数和时间常数的分析计... 详细信息

应用微型热敏传感器薄膜电阻的电阻温度系数设计方法,得到基于热敏电阻的电阻温度系数的计算和设计参数。结合针对流体壁面剪应力测量的应用要求,分析多晶硅和铂金属热敏电阻的优缺点,并且对试验电阻进行电阻温度系数和时间常数的分析计算,依据计算结果确定微型热敏传感器薄膜电阻的基体材料、薄膜材料和特征尺寸等参数,为微型热敏传感器的实际应用提供参考依据和分析方法。

关键词：微型传感器热敏元件薄膜电阻电阻温度系数

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半导体技术 1988年第4期 23-27页

作者：王家楫付丽珍复旦大学微电子研究所

硅上高精度薄膜电阻(ROS)不仅是一种新型的混合集成电路电阻元件,而且,由于其工艺能与双极型和CMOS工艺相兼容,因而也是单片集成电路中高精度电阻网络制作的理想技术.本文介绍了ROS工艺及其在12位硅栅CMOS D/A转换器中的应用.

关键词：薄膜电阻 Cr-Si 电阻网络 ROS 电阻薄膜高精度

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高稳定薄膜电阻技术及其应用

微处理机 2008年第4期29卷 44-45页

作者：张丽姜立娟中国电子科技集团公司第四十七研究所沈阳110032

首先对有关薄膜电阻的理论作了一定的探讨,得出薄膜电阻随电阻率的增加,其温度系数将会减小;在一定厚度范围内薄膜厚度减小,其温度系数减小;适当的成膜工艺能控制和改善电阻的温度系数的结论。给出了制备薄膜电阻的试验方法(调整薄膜的... 详细信息

首先对有关薄膜电阻的理论作了一定的探讨,得出薄膜电阻随电阻率的增加,其温度系数将会减小;在一定厚度范围内薄膜厚度减小,其温度系数减小;适当的成膜工艺能控制和改善电阻的温度系数的结论。给出了制备薄膜电阻的试验方法(调整薄膜的淀积条件以获得高质量的薄膜,再通过热处理激活)及试验结果,对影响电阻特性及稳定性的一些条件进行了讨论,并探讨了高稳定薄膜电阻技术在集成电路中的应用前景。该工艺现已在双极和MOS电路中得到了很好的应用,拥有更快、更好的发展前景。

关键词：薄膜电阻高精度高稳定

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基于图像识别的薄膜电阻自动测试系统

设备管理与维修 2020年第23期 109-110页

作者：何文灿杜尚勇中国电子科技集团公司第29研究所四川成都610036

基于图像识别技术的薄膜电阻自动测试设备结构组成及工作原理。系统的应用,提升了测试效率,减轻了劳动强度,达到了设计目标。

关键词：图像识别薄膜电阻自动测试系统

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应用国产激光微调机修正单片十二位D/A转换器中CrSi薄膜电阻

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微处理机 1988年第3期 13-17页

作者：吴玮黄跃庆电子工业部东北微电子研究所电子工业部东北微电子研究所

本文主要讨论激光修正对硅上薄膜电阻稳定性的影响。文章通过对激光修正原理的分析,介绍了应用国产激光微调机修正CrSi 薄膜电阻的一些试验和试验方法。回答了激光修正 CrSi 薄膜电阻所能达到什么容限,激光修正速率是多少,激光修正采用... 详细信息

本文主要讨论激光修正对硅上薄膜电阻稳定性的影响。文章通过对激光修正原理的分析,介绍了应用国产激光微调机修正CrSi 薄膜电阻的一些试验和试验方法。回答了激光修正 CrSi 薄膜电阻所能达到什么容限,激光修正速率是多少,激光修正采用哪几种几何形状,使修正后的电阻结构具有经受激光损伤的能力。文章对从事于激光微调机使用的人员有参考意义。

关键词：激光微调 CrSi薄膜 D/A 薄膜电阻几何形状电阻片脉冲激光激光作用脉冲宽度试验方法

采用扩散掺铝方法提高Cr－SiO薄膜电阻热稳定性

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电子元件与材料 1994年第4期13卷 31-33页

作者：王爱云航天工业总公司771所

采用扩散掺铝方法可以显著降低Ｃｒ－ＳｉＯ薄膜电阻的温度系数，１～５ｋΩ／□，ＴＣＲ≤±５００×１０（－６）℃（－１）；１０ｋΩ／□，ＴＣＲ≤±１００×１０（－６）℃（－１）。该方法尤其适用于设备较为简单的蒸发镀膜工艺。

关键词：扩散掺铝 Cr-SiO 薄膜电阻

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