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TiN薄膜的循环制备和电学性质
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材料研究学报 2006年 第2期20卷 213-216页
作者: 易万兵 张文杰 吴瑾 邹世昌 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海200050 上海宏力半导体制造有限公司 上海201203
用金属有机物化学气相淀积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition,MOCVD)制备了 TiN 薄膜,通过不同循环制备的、厚度相同的平面薄膜电阻率的比较研究了 TiN 薄膜的电学性质.结果表明,多次循环会引入界面而增大电阻率, 与薄膜成分... 详细信息
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氮化钛薄膜二次电子发射特性研究
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表面技术 2018年 第5期47卷 9-14页
作者: 王丹 贺永宁 崔万照 西安交通大学微电子学院 西安710049 中国空间技术研究院西安分院空间微波技术国防科技重点实验室 西安710100
目的研究氮化钛薄膜的部分物理特性及真空中的电子发射特性,验证氮化钛薄膜具有相对较好的电导特性及较低的电子发射系数,证明氮化钛薄膜在空间大功率微波器件表面处理中有良好的应用前景。方法使用射频磁控溅射技术在单晶硅及玻璃片表... 详细信息
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24Gb/s 0.2μm PHEMT激光器/激光调制器驱动电路
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高技术通讯 2004年 第5期14卷 48-50页
作者: 黄颋 王志功 朱恩 夏春晓 东南大学射频与光电集成电路研究所,南京210096
研制成功一种应用于高速光纤通信系统的激光器/激光调制器驱动集成电路。该电路采用具有薄膜电阻、MIM(Metal-Insulator-Metal)电容和螺旋电感的栅长为0.2 μm的AlGaAs/InGaAs/GaAsPHEMT(Pseudomorphic Hish Electron Mobihty Trans... 详细信息
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微阴极电弧推力器放电寿命特性研究
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中国空间科学技术 2021年 第3期41卷 24-30页
作者: 王雯倩 刘向阳 王帅 陈世昌 赵子靖 耿金越 沈岩 王宁飞 北京理工大学宇航学院 北京100081 北京控制工程研究所 北京100190 中山大学航空航天学院 广州510275
微阴极电弧推力器(micro-cathode arc thruster,μCAT)在微纳卫星空间任务中有良好的应用前景,但寿命问题是目前制约其发展的重要因素。研制了自动数据采集系统,进行了不同放电频率下全寿命试验,观察分析了失效后阴极材料及导电薄膜的... 详细信息
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Vishay公司MIL级薄膜片式电阻
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电子产品世界 2005年 第01B期12卷 50-50页
Vishay Intercechnoloy公司发布其E/HMil级片式电阻,共有3种尺寸,紧凑型0402、0603和0502型,这为需要可靠性得到保证的设计师们在器件选择方面提供了更大自由度。Vishay薄膜电阻针对性能要求严格的军事应用,可满足Mil-PRF55342规... 详细信息
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机械电触点接触电阻的计算和可靠性分析
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仪表技术与传感器 1983年 第3期 19-24+42页
作者: 李振庭 阚道普 苏州仪表元件厂
本文对机械斩波器、键盘开关、电子连接器等弱电元件产品中所采用的机械电触点的接触电阻、可靠性的计算公式加以推导,并做了部分实验验证。通过实例说明了这些方法在实际应用中是比较方便的。图7,表4,参10。
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JBW-1型精密数字铂电阻测温仪
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计量技术 1990年 第1期 9-10页
作者: 柯亭正 张彦明 河北省计量测试研究所 邢台市电子仪表研究所
JBW-1型精密数字铂电阻测温仪是最近研制成功的一种新型精密微机测温仪器。本文介绍了该仪器的技术指标、基本原理、特点和测试结果。该仪器使用标准铂电阻温度计(SPRT)作测温传感器。仪器的测温范围为-180~+630℃;分辨率为0.01℃;准... 详细信息
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GaAs MMIC用无源元件的模型
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Journal of Semiconductors 2006年 第10期27卷 1872-1879页
作者: 申华军 陈延湖 严北平 杨威 葛霁 王显泰 刘新宇 吴德馨 中国科学院微电子研究所 北京100029
制作了不同结构参数的GaAsMMIC无源元件,包括矩形螺旋电感、MIM电容和薄膜电阻,建立了无源元件的等效电路模型库,采用多项式公式表征无源元件的模型参数和性能参数,便于电路设计的应用.并提取得到MIM电容的单位面积电容值,约为195pF/mm2... 详细信息
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高频溅射法制备Bi-Sr-Ca-Cu-O超导薄膜
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低温物理学报 1989年 第6期11卷 464-469页
作者: 刘卫 王继红 杨治平 何友昭 赵化桥 陈祖耀 钱逸泰 张民健 张涛 张其瑞 中国科技大学应用化学系 中国科技大学物理系 中国科技大学物理系 合肥
以单晶 YSZ、YAG 为衬底,用高频溅射法制备了 Bi-Sr-Ca-Cu-O 超导薄膜,膜厚为0.5—1μm,其中两个样品的超导性能为 T;(onset)=92K,T;(mid)=78K,T;=42K 和T;(onset)=95K,T;(mid)=78K,T;=36.5K,经分析,后者的组成近似地为Bi;Sr;Ca... 详细信息
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PTFE埋电阻多层印制板制造技术
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印制电路信息 2010年 第S1期18卷 225-231页
作者: 赖涵琦 彭勤卫 深南电路有限公司
随着电子产品技术的发展,无源器件集成技术与聚四氟乙烯(PTFE)材料在多层印制电路板制造中扮演着越为重要的角色。论文在无源器件集成技术之一的薄膜电阻技术的基础上对PTFE埋薄膜电阻多层印制板制造工艺过程进行了讨论。
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