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薄膜多层混合电路的计算机辅助布图设计

电子元件与材料 1995年第6期 45-47页

作者：孙一军孙承永刘秦杜磊黄继颇西安交通大学西安电子科技大学

根据薄膜多层混合电路的特点，以控制信号发生器为例，讨论了薄膜多层混合电路的计算机辅助布图设计。在２６ｍｍ×３６ｍｍ的陶瓷基片上，完成了薄膜四层布线的布图设计，布通率达到１００％，寄生电感和寄生电容分别为５２．５μＨ和... 详细信息

根据薄膜多层混合电路的特点，以控制信号发生器为例，讨论了薄膜多层混合电路的计算机辅助布图设计。在２６ｍｍ×３６ｍｍ的陶瓷基片上，完成了薄膜四层布线的布图设计，布通率达到１００％，寄生电感和寄生电容分别为５２．５μＨ和２．３２５ｆＦ。

关键词：薄膜电路多层布线计算机布图设计

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薄膜电路通孔结构光刻胶喷涂工艺

电子工业专用设备 2014年第4期43卷 42-45页

作者：魏晓旻柳龙华邱颖霞中国电子科技集团公司第三十八研究所安徽合肥230088

采用经稀释的光刻胶在喷胶机上对打孔的基片进行了雾化喷涂试验,在通孔结构表面实现了光刻胶的均匀涂覆。在同一基片上选取了十个通孔,采用扫面电镜对基片表面、通孔边缘及通孔侧壁中部和底部四处的光刻胶厚度进行了测量,得到的平均膜... 详细信息

采用经稀释的光刻胶在喷胶机上对打孔的基片进行了雾化喷涂试验,在通孔结构表面实现了光刻胶的均匀涂覆。在同一基片上选取了十个通孔,采用扫面电镜对基片表面、通孔边缘及通孔侧壁中部和底部四处的光刻胶厚度进行了测量,得到的平均膜厚分别为10.2、8.8、6.1和5.3μm,各处厚度均匀性均小于±10%。

关键词：薄膜电路通孔光刻胶喷涂

深亚微米薄膜CMOS／SOI电路的集成器件线路模拟

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电子学报 1996年第2期24卷 96-99页

作者：张兴石涌泉黄敞北京大学微电子学研究所陕西微电子学研究所

开发了适用于薄膜亚微米、深亚微米ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的集成器件线路模拟软件，该模拟软件采用集成数值模型，将薄膜ＳＯＩ器件的数值模拟与电路模拟有机地结合在一起，实现了薄膜亚微米、深亚微米ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的精确数值模... 详细信息

开发了适用于薄膜亚微米、深亚微米ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的集成器件线路模拟软件，该模拟软件采用集成数值模型，将薄膜ＳＯＩ器件的数值模拟与电路模拟有机地结合在一起，实现了薄膜亚微米、深亚微米ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的精确数值模拟，利用这一软件较为详细地分析了硅层厚度为５０～４００ｎｍ、沟道长度为０．１５～１．０μｍ的ＣＭＯＳ／ＳＯＩ环形振荡器电路，使我们对深亚微米薄膜ＣＭＯＳ／ＳＯＩ环振的特性及工作机理有了较为清晰的认识，模拟结果与实验结果进行了对照，两者吻合得较好。

关键词： CMOS/SOI 集成数值模型环振薄膜电路

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铝导带薄膜混合集成电路工艺

电子元件与材料 1997年第5期16卷 47-50页

作者：杨成刚国营四四三三厂

在薄膜混合集成电路中，以铝导带代替金导带不失为一种廉价而很有前景的工艺，但铝与银浆的黏接在一定的温度和时间下，会产生一种绝缘金属间化合物，需要一定的电压才能击穿，从而使最终产品失效。采用Ａｌ－Ｎｉ复合导带可以解决上述... 详细信息

在薄膜混合集成电路中，以铝导带代替金导带不失为一种廉价而很有前景的工艺，但铝与银浆的黏接在一定的温度和时间下，会产生一种绝缘金属间化合物，需要一定的电压才能击穿，从而使最终产品失效。采用Ａｌ－Ｎｉ复合导带可以解决上述问题，并得到满意的结果。

关键词：真空沉积刻蚀金属间化合物薄膜电路

基于T形阳极GaAs肖特基二极管薄膜集成电路工艺的664 GHz次谐波混频器

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红外与毫米波学报 2021年第5期40卷 634-637页

作者：牛斌钱骏范道雨王元庆梅亮戴俊杰林罡周明陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司江苏南京210016 南京安太芯电子有限公司江苏南京210016

报道了用于冰云探测的基于0.5μm T形阳极砷化镓肖特基二极管薄膜集成电路工艺664 GHz次谐波混频器。为降低器件寄生参数,提升太赫兹频段电路性能,设计并分析了了T形阳极GaAsSBD器件结构,开发了厚度仅5μm的薄膜电路工艺。混频器芯片组... 详细信息

报道了用于冰云探测的基于0.5μm T形阳极砷化镓肖特基二极管薄膜集成电路工艺664 GHz次谐波混频器。为降低器件寄生参数,提升太赫兹频段电路性能,设计并分析了了T形阳极GaAsSBD器件结构,开发了厚度仅5μm的薄膜电路工艺。混频器芯片组装成664 GHz接收模块,经测试室温下664 GHz最小双边带变频损耗达到9.9 dB。

关键词：砷化镓肖特基二极管薄膜电路次谐波混频器

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功率器件在薄膜混合集成电路上的应用

电子元件与材料 1995年第4期14卷 29-32页

作者：陶世杰北京半导体器件一厂

把大功率器件用于薄膜混合集成大电流顺序开关电路，成功地将复杂的工艺设想改进为简单实用而又适合大批量生产的工艺，以性能优越的线路设计，取代了比较复杂且工艺难度较大的线路设计，为我厂薄膜混合集成电路在大功率输出、低功耗领... 详细信息

把大功率器件用于薄膜混合集成大电流顺序开关电路，成功地将复杂的工艺设想改进为简单实用而又适合大批量生产的工艺，以性能优越的线路设计，取代了比较复杂且工艺难度较大的线路设计，为我厂薄膜混合集成电路在大功率输出、低功耗领域开创了先例。

关键词：混合集成电路薄膜电路功率器件应用

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薄膜混合集成电路关键电阻的确定方法

电子元件与材料 1995年第5期14卷 35-37页

作者：刘秦孙承永西安电子科技大学

利用电路的计算机仿真技术对薄膜混合集成电路进行数／模仿真，确定其关键电阻，以便于薄膜多层布线版图设计时对元器件进行合理布局。并对电路的功能微调提供指导。

关键词：混合集成电路薄膜电路电阻计算机仿真

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铁氧体隔离器薄膜电路制备工艺研究

电子与封装 2014年第1期14卷 34-37页

作者：魏晓旻柳龙华中国电子科技集团公司第38研究所合肥230088

文中采用磁控溅射方式在铁氧体基片上制备了微带隔离器的多层膜结构。通过带金属掩模版溅射电阻层,避免了对薄膜电阻的光刻和刻蚀;通过使用铜靶和湿法刻蚀,克服了对溅射用金靶、反应离子刻蚀等工艺技术和设备的依赖。该新型工艺方法简... 详细信息

文中采用磁控溅射方式在铁氧体基片上制备了微带隔离器的多层膜结构。通过带金属掩模版溅射电阻层,避免了对薄膜电阻的光刻和刻蚀;通过使用铜靶和湿法刻蚀,克服了对溅射用金靶、反应离子刻蚀等工艺技术和设备的依赖。该新型工艺方法简化了镍铬薄膜电阻的制作,降低了薄膜电路的制造成本,可应用于集成电阻的薄膜电路基板的研制。

关键词：铁氧体微带隔离器薄膜电路磁控溅射

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采用光刻胶牺牲层技术改善薄膜电路制备工艺

电子工艺技术 2019年第3期40卷 153-156页

作者：陈帅赵文忠赵志平张飞中国电子科技集团公司第二十研究所

通过对薄膜电路制备工艺系统的研究,将传统的薄膜电路制备工艺与牺牲层技术相结合,提出了一种新型的薄膜电路制备方法。克服了对反应离子刻蚀及离子束刻蚀等干法刻蚀设备的依赖,同时取消了湿法刻蚀,避免了其对图形精度的影响。通过优化... 详细信息

通过对薄膜电路制备工艺系统的研究,将传统的薄膜电路制备工艺与牺牲层技术相结合,提出了一种新型的薄膜电路制备方法。克服了对反应离子刻蚀及离子束刻蚀等干法刻蚀设备的依赖,同时取消了湿法刻蚀,避免了其对图形精度的影响。通过优化光刻胶配比,调节喷胶速率和采用溅射后退火等手段解决了牺牲层线条模糊、孔洞出现和膜基结合力差等问题。采用光刻胶牺牲层技术可以制备出高精度薄膜电路。

关键词：薄膜电路光刻胶牺牲层