检索结果-南通市图书馆

新材料产业 2017年第12期 71-71页

作者：无

美国伦斯勒理工学院的研究人员开发出一种全新的范德华外延法，首次实现了在云母基片上的锗外延，有望应用于先进集成电路和高效太阳电池的制造。伦斯勒理工学院研究团队是全球首个在云母基片上实现元素半导体材料无应力范德华外延的研... 详细信息

美国伦斯勒理工学院的研究人员开发出一种全新的范德华外延法，首次实现了在云母基片上的锗外延，有望应用于先进集成电路和高效太阳电池的制造。伦斯勒理工学院研究团队是全球首个在云母基片上实现元素半导体材料无应力范德华外延的研究团队。

关键词：薄膜外延基片云母应力美国大学锗半导体材料

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镓酸锌薄膜材料的制备及研究进展

微纳电子与智能制造 2023年第3期5卷 1-13页

作者：徐梦凡李阳谢佳慧穆文祥贾志泰陶绪堂山东大学晶体材料国家重点实验室新一代半导体材料研究院晶体材料研究院济南250100

镓酸锌(ZnGa_(2)O_(4))作为尖晶石双金属氧化物,禁带宽度可达4.9 eV,具有优异的荧光性质、良好的化学稳定性和热稳定性,具有广泛的应用前景。ZnGa_(2)O_(4)可应用于光电领域,制备深紫外光探测器、NO传感器、金属氧化物半导体场效应晶体... 详细信息

镓酸锌(ZnGa_(2)O_(4))作为尖晶石双金属氧化物,禁带宽度可达4.9 eV,具有优异的荧光性质、良好的化学稳定性和热稳定性,具有广泛的应用前景。ZnGa_(2)O_(4)可应用于光电领域,制备深紫外光探测器、NO传感器、金属氧化物半导体场效应晶体管,还可作荧光粉发光。为全面了解材料性质,本文详细介绍了ZnGa_(2)O_(4)的晶体结构、禁带宽度、光学等性能;相比块状、粉末,ZnGa_(2)O_(4)薄膜性能更加突出,因而本文重点介绍ZnGa_(2)O_(4)薄膜的制备及应用:总结了目前几种常见的外延ZnGa_(2)O_(4)薄膜的生长方法,讨论发展趋势、分析优劣的同时对比不同外延方法并探讨温度、氧分压、锌镓比等参数对制备高质量ZnGa_(2)O_(4)薄膜的影响;汇总讨论了目前ZnGa_(2)O_(4)薄膜制备的主流器件,对其未来前景进行展望,指出问题以期为后续的技术发展提供参考。

关键词： ZnGa_(2)O_(4) 薄膜外延超宽禁带半导体氧化物半导体

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国外红外材料的现状与展望

宇航材料工艺 1996年第3期26卷 1-6页

作者：王曼霞赵稼祥北京材料工艺研究所

本文介绍了国外红外探测材料和红外透过材料的现况和进一步研究发展的方向；强调发展薄膜外延技术，特别是金属有机化合物气相沉积技术和研究开发Ｈｇ（１－ｘ）ＺｎｘＴｅ以及Ｈｇ（１－ｘ）ＭｎｘＴｅ等高性能新红外材料的重要性；指... 详细信息

本文介绍了国外红外探测材料和红外透过材料的现况和进一步研究发展的方向；强调发展薄膜外延技术，特别是金属有机化合物气相沉积技术和研究开发Ｈｇ（１－ｘ）ＺｎｘＴｅ以及Ｈｇ（１－ｘ）ＭｎｘＴｅ等高性能新红外材料的重要性；指出ＺｎＳ是目前相对比较好的红外窗口和头罩候选材料；提出远红外材料和红外／毫米波双模复合制导用的材料应是今后研究的重点。

关键词：红外材料 HgCdTe 薄膜外延 MOCVD

Study of Phase Transition Properties in Epitaxial Ferroelectric Film

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Communications in Theoretical Physics 2010年第10期 756-762页

作者：王春栋滕保华居勇峰程登木章春来 School of Physical Electronics University of Electronic Science and Technology of China Center of Super-Diamond and Advanced Films(COSDAF) Department of Physics and Materials ScienceCity University of Hong Kong School of Optoelectronic Information State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated DevicesUniversity of Electronic Science and Technology of China

Based on the transverse Ising model and using decoupling approximation to the Fermi-type Green'sfunction, we study the phase transition properties of the epitaxial ferroelectric film with one substrate.A generalrecursive equation of the ferroelectric thin film with two n-layer materials is obtained, which enables us to study thephase transition properties for any number layers for epitaxial ferroelectric thin *** the help of this equation,we analyze the effect of the exchange interaction and the transverse field in the phase diagram, the influence to thepolarizations and Curie temperature *** results show that epitaxial ferroelectric film are able to inducea strong increase or decrease of Curie temperature to different exchange interactions and transverse fields within theepitaxial film *** theoretical results are in reasonable accordance with experimental data of different ferroelectricthin film.

关键词：铁电薄膜相变特性薄膜外延横向伊辛模型居里温度格林函数递归方程实验数据

Pt(100)表面上通过二聚物结构转移的自扩散现象

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中国科学（A辑） 2000年第8期30卷 740-745页

作者：庄军刘磊复旦大学物理系三束材料改性国家重点联合实验室上海200433

用分子动力学方法研究了Pt( 1 0 0 )表面上吸附原子的自扩散现象 ,其中相互作用势采用更适合于表面特点的表面嵌入势 (SEAM势 ) .结果发现除一般的协作交换扩散现象外 ,吸附原子还可以通过二聚物结构的转移而达到交换扩散的目的 .在这... 详细信息

用分子动力学方法研究了Pt( 1 0 0 )表面上吸附原子的自扩散现象 ,其中相互作用势采用更适合于表面特点的表面嵌入势 (SEAM势 ) .结果发现除一般的协作交换扩散现象外 ,吸附原子还可以通过二聚物结构的转移而达到交换扩散的目的 .在这种交换机制中 ,交换过程是有 3个原子的协作运动完成的 .重要的是这种新的交换扩散机制在一定条件下可以成为吸附原子扩散的主要原因 .

关键词：自扩散金属表面分子运动学薄膜外延