检索结果-南通市图书馆

上海有色金属 1994年第2期15卷 65-72页

作者：柳襄怀中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室

作者在多年实验工作的基础上，论述了离子束增强沉积薄膜合成及其在材料表面优化中的应用、所用设备、膜的合成、表面优化技术与机理，并展望了前景。

关键词：离子束沉积薄膜合成表面优化

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离子束薄膜合成及材料表面优化

薄膜科学与技术 1995年第3期8卷 232-239页

作者：杨根庆柳襄怀

本文简略地回顾了离子束材料表面优化研究领域的发展及现状，着重介绍上海冶金研究所离子束开放研究实验室近年来在离子束薄膜合成及材料表面改性方面的研究工作。同时对离子束技术在工业中的应用进行了探讨。

关键词：离子束薄膜合成材料表面改性掺杂

脉冲直流偏压增强的高质量立方氮化硼薄膜的合成

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物理学报 2001年第11期50卷 2258-2262页

作者：田晶泽吕反修夏立芳北京科技大学材料科学与工程学院北京100083 哈尔滨工业大学材料科学与工程学院哈尔滨150001

采用磁增强活性反应离子镀系统成功地合成了立方氮化硼薄膜 .通过给基片施加脉冲直流偏压以代替传统的射频偏压 ,增强了立方氮化硼的成膜稳定性 ,研究了基片的直流脉冲偏压、等离子体放电电流、通入气体流量比 (Ar N2 )和基片温度沉积... 详细信息

采用磁增强活性反应离子镀系统成功地合成了立方氮化硼薄膜 .通过给基片施加脉冲直流偏压以代替传统的射频偏压 ,增强了立方氮化硼的成膜稳定性 ,研究了基片的直流脉冲偏压、等离子体放电电流、通入气体流量比 (Ar N2 )和基片温度沉积参数对立方氮化硼薄膜形成的影响规律 .结果表明 :随着基片负偏压和放电电流的增大 ,薄膜中立方氮化硼的纯度提高 ,当基片负偏压为 15 5V ,放电电流为 15A时 ,可获得几乎单相的立方氮化硼薄膜 .基片温度为 5 0 0℃和Ar N2 流量比为 10时 ,最有利于立方氮化硼的形成 .偏离这个值 ,都会促进薄膜中非立方相的形成 .

关键词：立方氮化硼活性反应离子镀脉冲直流偏压薄膜合成立方相

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高经度游离基束源及薄膜合成

等离子体应用技术快报 1999年第1期 13-15页

作者：容声

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离子束薄膜合成及其应用

功能材料与器件学报 2001年第2期7卷 113-115页

作者：柳襄怀李昌荣郑志宏杨根庆王曦邹世昌中国科学院离子束开放研究实验室上海200050

报道了中国科学院离子束开放研究实验室在离子束薄膜合成研究和应用方面的发展和现状。着重介绍离子束辅助沉积薄膜合成、真空磁过滤弧源沉积薄膜生长，以及离子注入 SOI材料合成的方法及其物理过程 ,同时也对离子束合成薄膜在工业及国... 详细信息

报道了中国科学院离子束开放研究实验室在离子束薄膜合成研究和应用方面的发展和现状。着重介绍离子束辅助沉积薄膜合成、真空磁过滤弧源沉积薄膜生长，以及离子注入 SOI材料合成的方法及其物理过程 ,同时也对离子束合成薄膜在工业及国防上的应用进行了探讨。

关键词：离子束辅助沉积真空磁过滤弧源沉积 SOI 薄膜合成

MPCVD 合成 β-C_3N_4 晶态薄膜

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真空 1999年第1期36卷 18-22页

作者：时东霞马立平张秀芳袁磊顾有松张永平段振军常香荣田中卓中科院物理所凝聚态物理中心北京真空物理实验室北京科技大学材料物理系

采用微波等离子体化学气相沉积法（ＭＰＣＶＤ），以Ｎ２、ＣＨ４作为反应气体合成碳氮膜。通过控制反应温度、气体流量、微波功率、反应气压等工艺条件，在Ｓｉ和Ｐｔ基片上，进行β－Ｃ３Ｎ４晶态薄膜的合成研究。扫描电镜（ＳＥＭ）... 详细信息

采用微波等离子体化学气相沉积法（ＭＰＣＶＤ），以Ｎ２、ＣＨ４作为反应气体合成碳氮膜。通过控制反应温度、气体流量、微波功率、反应气压等工艺条件，在Ｓｉ和Ｐｔ基片上，进行β－Ｃ３Ｎ４晶态薄膜的合成研究。扫描电镜（ＳＥＭ）下观察到生长在Ｓｉ基底上的薄膜具有六角晶棒的密排结构。扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）下观察到在Ｐｔ基底上生长的碳氮薄膜由针状晶粒组成。ＥＤＸ分析表明，随沉积条件的不同，Ｓｉ基底上的氮碳薄膜中Ｎ／Ｃ在１．０到２．０之间；Ｐｔ基底上生长的碳氮薄膜Ｎ／Ｃ在０．８～１．３之间。Ｘ射线衍射分析（ＸＲＤ）发现薄膜中含有β－Ｃ３Ｎ４和α－Ｃ３Ｎ４。

关键词： MPCVD β-C3N4 碳氢薄膜晶态薄膜合成

滞止旋流火焰合成纳米TiO2薄膜的实验和理论研究

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滞止旋流火焰合成纳米TiO2薄膜的实验和理论研究

二维sp^(2)-碳共轭聚合物的结构设计、可控制备与应用研究

中国颗粒学会第七届学术年会暨海峡两岸颗粒技术研讨会

作者：邓思理张易阳李水清姚强清华大学热科学与动力工程教育部重点实验室

纳米TiO薄膜在污染物检测、降解以及染料敏化太阳能电池等方面有非常广泛的应用。利用火焰法开展纳米薄膜的合成具有颗粒粒径小、纯度高、薄膜空隙率高、一步合成,可控参数方便等优点,近年来成为了能源材料领域的研究热点。首先,本文基... 详细信息

纳米TiO薄膜在污染物检测、降解以及染料敏化太阳能电池等方面有非常广泛的应用。利用火焰法开展纳米薄膜的合成具有颗粒粒径小、纯度高、薄膜空隙率高、一步合成,可控参数方便等优点,近年来成为了能源材料领域的研究热点。首先,本文基于一种新型滞止旋流火焰来合成纳米TiO薄膜,通过控制前驱物浓度、火焰温度、基底温度、气流速度及合成时间等参数从而获得不同的薄膜,并利用BET、SEM和TEM等测试手段对薄膜的形貌进行表征。结果表明,空隙率为0.961-0.990、厚度为19-39μm、呈树枝状的分型结构的纳米TiO薄膜是由基本粒径5-10nm锐钛型的纳米颗粒沉积、烧结而成。通过比较火焰内基底上部旋转采样和基底板上所收集两类粉体的TEM图像,判定颗粒烧结过程主要是在颗粒沉积在基底后进行的。进而,本文建立了描述纳米TiO薄膜生长的物理模型,特别考虑了颗粒沉积过程和薄膜内基元颗粒烧结过程,开展了模拟计算。计算表明,随着合成时间的增加,薄膜前期近似线性增长,而后期生长速率逐渐减小。在沉积过程中颗粒间烧结的发生对薄膜的厚度造成了重要影响,该影响约为10%-30%。降低前驱物浓度拟或升高基底温度,均会增大烧结的影响。模型预测的纳米薄膜厚度与实验测量的量纲吻合良好。

关键词：纳米TiO2 滞止旋流火焰薄膜合成沉积过程

来源： cnki会议评论

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高分子学报 2024年第5期55卷 532-552页

作者：赵文凯李升旭付广恩张涛中国科学院宁波材料技术与工程研究所中国科学院海洋新材料与应用技术重点实验室宁波315201 中国科学院大学北京100049

二维sp^(2)-碳共轭聚合物是指通过碳碳双键将构筑单元连接起来的层状聚合物材料.因其具有可设计的周期性多孔结构、高比表面积、优异的结构稳定性和高载流子迁移速率等优点,被认为是最具前景的聚合物新材料之一.本文以作者课题组的研究... 详细信息

二维sp^(2)-碳共轭聚合物是指通过碳碳双键将构筑单元连接起来的层状聚合物材料.因其具有可设计的周期性多孔结构、高比表面积、优异的结构稳定性和高载流子迁移速率等优点,被认为是最具前景的聚合物新材料之一.本文以作者课题组的研究工作为主,对二维sp^(2)-碳共轭聚合物的结构设计和合成方法、薄膜可控制备策略及其在盐差发电、海水提铀、光催化、荧光传感和质子传导等领域应用进行了总结,并从晶体结构的调控、新型合成方法的探索、通用性薄膜合成策略的设计以及相关应用的拓展等方面对二维sp^(2)-碳共轭聚合物的研究进行了展望.

关键词：二维sp^(2)-碳共轭共价有机框架拓扑结构设计薄膜合成光催化能源转化

过滤管道磁场对改进弧沉积系统弧放电和传输效率的影响

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北京师范大学学报（自然科学版） 2001年第2期37卷 187-190页

作者：王广甫张荟星北京师范大学分析测试中心北京师范大学低能核物理研究所

在 90°磁过滤管道和MEVVA源阴极之间加一 30～ 60V的正偏压 ,可使磁过滤管道起到阴极弧放电第二阳极的作用 .在此情况下对磁过滤管道磁场对MEVVA源阳极阴极以及磁过滤管道阴极 2个回路弧放电以及磁过滤管道等离子体传输效率的影响... 详细信息

在 90°磁过滤管道和MEVVA源阴极之间加一 30～ 60V的正偏压 ,可使磁过滤管道起到阴极弧放电第二阳极的作用 .在此情况下对磁过滤管道磁场对MEVVA源阳极阴极以及磁过滤管道阴极 2个回路弧放电以及磁过滤管道等离子体传输效率的影响进行了实验研究 .研究表明 ,磁过滤磁场升高 ,磁过滤管道和阴极之间的弧放电规模降低 ,系统的等离子体传输效率升高 ,但对MEVVA源阳极和阴极之间的弧放电规模影响不大 .

关键词：真空弧沉积磁过滤管道第二阳极作用磁过滤管道磁场传输效率薄膜合成

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1T’-MoTe_2原位生长关键工艺技术

半导体技术 2016年第8期41卷 625-630页

作者：熊丝纬孙清清复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

二元过渡金属硫族化合物碲化钼(MoTe_2),由于其室温下合适的禁带宽度和较高的理论迁移率,将作为沟道材料应用于下一代集成电路器件中,而受到普遍的关注。通过碲(Te)和钼(Mo)的原位固相反应,在真空环境中不同温度条件下退火得到1T’-MoT... 详细信息

二元过渡金属硫族化合物碲化钼(MoTe_2),由于其室温下合适的禁带宽度和较高的理论迁移率,将作为沟道材料应用于下一代集成电路器件中,而受到普遍的关注。通过碲(Te)和钼(Mo)的原位固相反应,在真空环境中不同温度条件下退火得到1T’-MoTe_2薄膜。利用喇曼光谱、X射线光电子能谱分析以及椭圆偏振光谱化对制备的MoTe_2薄膜进行表征分析,研究了不同退火温度对MoTe_2薄膜质量的影响。实验表明,在450℃退火条件下,薄膜喇曼峰强高,半峰宽较窄,结晶质量良好。但是,由于高温下单质和化合态Te的再蒸发效应,当退火温度从450℃上升到600℃时,薄膜喇曼峰强明显减小且半峰宽变宽,结晶质量显著变差。

关键词：二元过渡金属硫族化合物(TMD) 1T’-碲化钼(1T’-Mo Te2) 原位生长薄膜合成再蒸发效应