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  • 1 篇 转移特性
  • 1 篇 蒙特卡罗器件
  • 1 篇 输出特性
  • 1 篇 源漏硅化物区深度
  • 1 篇 栅氧化层厚度

机构

  • 1 篇 北京大学

作者

  • 1 篇 孙雷
  • 1 篇 刘晓彦
  • 1 篇 刘弋波
  • 1 篇 杜刚
  • 1 篇 韩汝琦

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=蒙特卡罗器件"
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n沟肖特基势垒隧穿晶体管特性研究
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固体电子学研究与进展 2004年 第1期24卷 10-14页
作者： 杜刚 刘弋波 孙雷 刘晓彦 韩汝琦 北京大学微电子所 北京100871
利用自主开发的蒙特卡罗器件模拟软件 ,对 n沟肖特基势垒隧穿晶体管 (SBTT)的输出特性和转移特性进行了模拟 ,详细分析了沟道区掺杂浓度 ,源漏硅化物区深度以及栅氧化层厚度对 SBTT特性的影响。
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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