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发展新质生产力,AI为PCB行业赋能

印制电路资讯 2024年第5期 36-38页

作者：谢万丽不详

随着AI技术在行业的推广应用,PCB行业也试图借助AI的力量实现智能化的转型,比如在提升产品良率、深入开展品质分析与工艺溯源、设备改造+AI升级等方面,让产线实现了轻量化与智能化。

关键词： PCB行业良率 AI 设备改造智能化品质分析轻量化生产力

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传送结构对晶硅电池性能影响的研究

山西化工 2021年第5期41卷 12-14页

作者：申开愉郭卫张波郭丽李雪方山西潞安太阳能科技有限责任公司山西长治046000

晶体硅电池生产过程中,需要各种传送结构传输硅片,如滚轮、皮带、吸盘等,这些传送结构直接接触硅片,不可避免的对硅片产生影响,这些影响通常会造成电池片外观或电性能异常而降级降档,因此,对这些降级电池片进行EL(电致发光),显微镜等测... 详细信息

晶体硅电池生产过程中,需要各种传送结构传输硅片,如滚轮、皮带、吸盘等,这些传送结构直接接触硅片,不可避免的对硅片产生影响,这些影响通常会造成电池片外观或电性能异常而降级降档,因此,对这些降级电池片进行EL(电致发光),显微镜等测试,分析其造成降级的可能原因,对有缺陷的传送结构进行优化改造等,不仅可以解决生产线出现的各类电学和外观异常问题,同时还能保持电池生产效率稳定,提高生产良率,降低生产成本等。

关键词：传送结构 EL 良率

研究并优化等离子体刻蚀工艺去静电步骤对晶片残存电荷的影响

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磁性元件与电源 2018年第12期 153-156,160页

作者：马宏潇厉渊徐昱电信科学技术研究院北京100191 中芯国际集成电路制造有限公司北京100176

本文研究并优化了等离子体刻蚀后、去静电过程中等离子体辅助晶片去静电的工艺步骤。通过数据模拟和实验设计,研究了极板间距、反应室压力、射频电源功率和射频电源关闭方式对晶片残存电荷的影响。首先采用基于蒙特卡罗随机数方法的应... 详细信息

本文研究并优化了等离子体刻蚀后、去静电过程中等离子体辅助晶片去静电的工艺步骤。通过数据模拟和实验设计,研究了极板间距、反应室压力、射频电源功率和射频电源关闭方式对晶片残存电荷的影响。首先采用基于蒙特卡罗随机数方法的应用软件PEGASUS对去静电过程中反应室内的等离子体分布进行了模拟,研究了等离子体能量分布图并分析了极板间距(Gap)与等离子体分布均一性的关系,得到了最佳极板间距范围。其次以反应室压力、射频电源功率与极板间距为实验变量,通过实验设计得到残余电荷量最少的实验组。最后以该实验组为基础,对射频电源的关闭方式进行了优化,通过检测晶片脱离吸附装置时的电势差,得到了最优射频电源关闭方式。本文研究结果可用于优化晶片去静电步骤,进而提高工艺可靠性和产品良率。

关键词：刻蚀去静电等离子体残存电荷良率

NAND Flash浮栅干法蚀刻工艺优化解决数据写入失效

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电子与封装 2016年第7期16卷 44-47页

作者：陈亮周朝锋李晓波上海交通大学上海200240 中芯国际(上海)集成电路股份有限公司上海201507

随着移动终端的大量普及,存储器市场需求得到大幅度提升。NAND Flash以其大容量和体积小的优点,在目前的存储器市场占据着越来越重要的地位。产品良率是影响NAND Flash发展的一个重要因素。其中NAND Flash读写操作中的写入失效是良率损... 详细信息

随着移动终端的大量普及,存储器市场需求得到大幅度提升。NAND Flash以其大容量和体积小的优点,在目前的存储器市场占据着越来越重要的地位。产品良率是影响NAND Flash发展的一个重要因素。其中NAND Flash读写操作中的写入失效是良率损失最主要的原因。经分析,整合工艺的复杂性以及蚀刻制程工艺的局限性,浮栅和控制栅物理结构不完善会产生数据写入失效。着眼于对浮栅的干法蚀刻工艺进行改进,改善浮栅和控制栅物理结构,防止写入失效,从而得到最佳的良率。

关键词： NAND Flash工艺制程浮栅控制栅干法蚀刻良率

尽精微方可致广大积跬步而能行千里——访杭州广立微电子股份有限公司

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中国中小企业 2023年第3期 46-49页

近年来,先进制程、光刻机等半导体领域专业词汇频频见诸媒体,成为科技投资领域热议的话题。但评判芯片的先进制程是否成功,良率(即一片晶圆上合格芯片与所有芯片的比例)才是最为重要的一个指标。对于芯片企业来说,良率直接影响了成本和... 详细信息

近年来,先进制程、光刻机等半导体领域专业词汇频频见诸媒体,成为科技投资领域热议的话题。但评判芯片的先进制程是否成功,良率(即一片晶圆上合格芯片与所有芯片的比例)才是最为重要的一个指标。对于芯片企业来说,良率直接影响了成本和利润;对于晶圆代工厂来说,良率更是他们赖以生存的根本。因此,一直以来,良率都是整个半导体产业链的核心问题和重要指标,它不仅反映了生产线的技术价值,也是持续改进工艺的量化依据。

关键词：晶圆代工厂半导体领域光刻机微电子良率专业词汇量化依据改进工艺

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国际要闻

电子工业专用设备 2007年第9期36卷 60-62页

AMD与奇梦达联手成立芯片仿真项目获德国政府财政支持微处理器供应商AMD和内存芯片厂商奇梦达(Qimonda)日前宣布,已联手成立32nm及以上

关键词：测试解决方案国际要闻罗门哈斯奇梦达瑞萨科技制程纳米电子内存芯片良率收发器 AMD 事业部低介电常数

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应用散射光源曝光机的内层虚光改善

印制电路信息 2020年第4期28卷 59-62页

作者：刘顺风谢国荣珠海杰赛科技有限公司广东珠海519170 广州杰赛科技股份有限公司广东广州510310

1问题描述大多数多层PCB厂内层生产采用湿膜制作线路的方式,相对干膜生产成本低,品质良率高,管控难度低。我司在应用全自动散射光源曝光机的湿膜制作过程中出现的虚光问题,即显影不净、有余胶,如图1,影响了PCB合格率。现对其产生原因进... 详细信息

1问题描述大多数多层PCB厂内层生产采用湿膜制作线路的方式,相对干膜生产成本低,品质良率高,管控难度低。我司在应用全自动散射光源曝光机的湿膜制作过程中出现的虚光问题,即显影不净、有余胶,如图1,影响了PCB合格率。现对其产生原因进行分析,并对可能的影响因素进行试板验证,便于后续的生产管控。

关键词：多层PCB 曝光机湿膜散射光良率内层显影不净生产管控

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中国IC设计公司的机会:创新和差异化

电子产品世界 2006年第12期 27-28页

最近中国IC设计产业受到“汉芯事件”的影响,可能总体受到一定冲击,使本已经比较艰难的IC设计有些雪上加霜的味道。但由于巨大的消费市场拉动,中国IC设计产业的成长将是不可阻挡的趋势。Synopsys公司董事长兼首席执行官AartdeGeus博士访... 详细信息

最近中国IC设计产业受到“汉芯事件”的影响,可能总体受到一定冲击,使本已经比较艰难的IC设计有些雪上加霜的味道。但由于巨大的消费市场拉动,中国IC设计产业的成长将是不可阻挡的趋势。Synopsys公司董事长兼首席执行官AartdeGeus博士访华,这里把他对产业发展的趋势和中国本地设计公司应该做的取舍等见解与大家分享。

关键词：产业中华人民共和国 IC 良率差异化芯片供应商芯片厂商创新

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基于GaAs背孔工艺监控研究

电子与封装 2021年第2期21卷 96-98页

作者：黄光伟马跃辉陈智广李立中林伟铭福联集成电路有限公司福建莆田351111

在GaAs背孔工艺制作中,通孔良率影响着后续溅镀、电镀金属层与正面金属互联,在该道关键制程中缺乏有效的监控方法。在背孔工艺中,采用FIB、SEM的方式对ICP蚀刻后的晶圆进行裂片分析,这无疑大大增加了研发成本,裂片分析也仅仅是当前晶圆... 详细信息

在GaAs背孔工艺制作中,通孔良率影响着后续溅镀、电镀金属层与正面金属互联,在该道关键制程中缺乏有效的监控方法。在背孔工艺中,采用FIB、SEM的方式对ICP蚀刻后的晶圆进行裂片分析,这无疑大大增加了研发成本,裂片分析也仅仅是当前晶圆的通孔良率,且分析孔洞数量有限,本身存在局限。提出在晶圆正面依次沉积Si3N4/PI/Si3N4=600 nm/1.6μm/800 nm,采用ICP蚀刻,蚀刻气体为Cl2/BCl3,在光学显微镜(OM)20倍率下便可观察到晶圆正面第一特征蚀刻通孔印记和印记尺寸较原始尺寸单边大10μm的第二通孔特征,该监控方式节省研发成本且统计良率直观,可及时反馈通孔良率,监控产品的可靠性、可再现性。

关键词：砷化镓背孔良率监控 ICP蚀刻