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日期分布

学科分类号

  • 1 篇 工学
    • 1 篇 材料科学与工程（可...
    • 1 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 1 篇 多晶硅薄膜
  • 1 篇 低温制备与退火
  • 1 篇 自缓释
  • 1 篇 金属诱导横向晶化

机构

  • 1 篇 香港科技大学
  • 1 篇 南开大学

作者

  • 1 篇 刘召军
  • 1 篇 熊绍珍
  • 1 篇 孟志国
  • 1 篇 郭海成
  • 1 篇 赵淑云
  • 1 篇 吴春亚

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=自缓释"
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用镍硅氧化物源横向诱导晶化的多晶硅薄膜
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物理学报 2010年 第4期59卷 2775-2782页
作者： 刘召军 孟志国 赵淑云 郭海成 吴春亚 熊绍珍 南开大学信息学院光电子薄膜器件与技术研究所 天津300071 香港科技大学电子及计算机工程系
采用磁控溅射法,以镍硅合金为靶,制备了一种适用于金属诱导横向晶化的氧化物镍源——自缓释镍源.该镍源在内部构成和晶化现象上都不同于纯金属镍源.采用该镍源制备低温多晶硅材料,晶化速率不明显依赖于镍源薄膜的厚度,且晶化多晶硅膜内... 详细信息
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