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F^(3+)和Ne^(4+)离子的光电离截面的理论计算

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物理学报 2011年第5期60卷 208-215页

作者：孙长平王国利周效信西北师范大学物理与电子工程学院甘肃省原子分子物理与功能材料重点实验室兰州730070

利用R矩阵方法计算了F3+和Ne4+离子的基态2s22p2(3P)和激发态2s22p2(1D,1S),2s2p3(5So)的分波光电离截面、总光电离截面,分析辨认出了这些离子在自光电离过程中出现的自电离共振对应的跃迁,所得的总光电离截面的共振结构与最近的实验和... 详细信息

利用R矩阵方法计算了F3+和Ne4+离子的基态2s22p2(3P)和激发态2s22p2(1D,1S),2s2p3(5So)的分波光电离截面、总光电离截面,分析辨认出了这些离子在自光电离过程中出现的自电离共振对应的跃迁,所得的总光电离截面的共振结构与最近的实验和其他的理论计算进行了比较,计算结果与实验结果符合得很好.

关键词： F3+离子和Ne4+离子光电离自电离共振 R矩阵

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F原子光电离截面的理论计算

原子与分子物理学报 2006年第6期23卷 1128-1132页

作者：王国利周效信董晨钟西北师范大学物理与电子工程学院兰州730070

对F原子的光电离截面,人们已经做了大量实验研究,并观察到了大量的自电离共振结构.而与实验相比,理论计算仍存在一定的差异.本文通过对靶态的能量进行修正,利用R矩阵方法计算了F原子基态在3P-1D电离阈值能量范围内的分波光电离截面、总... 详细信息

对F原子的光电离截面,人们已经做了大量实验研究,并观察到了大量的自电离共振结构.而与实验相比,理论计算仍存在一定的差异.本文通过对靶态的能量进行修正,利用R矩阵方法计算了F原子基态在3P-1D电离阈值能量范围内的分波光电离截面、总光电离截面以及自电离共振2P4(1D)ns2D,2P4(1D)md2P和2P4(1D)md2D系列的共振位置,并与最新的多组态Hartree-Fock理论计算及实验结果进行了比较,我们的结果与实验符合得更好.

关键词： F原子光电离自电离共振 R矩阵

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N原子光电离截面的理论计算

原子与分子物理学报 2008年第2期25卷 330-334页

作者：孙长平王国利周效信西北师范大学物理与电子工程学院兰州730070

利用R-矩阵方法计算了N原子基态在光子能量为1-3Ry范围内的光电离截面,给出了自电离态2s2p3(5S0)np4P(n=3～10)的共振能量,我们的结果与已有的多组态Hartree-Fock理论计算(MCHF)及最近的实验结果相比符合得很好.

关键词： N原子光电离自电离共振 R-矩阵

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原子（离子）光电离过程的理论研究

原子（离子）光电离过程的理论研究

作者：孙长平西北师范大学

学位级别：硕士

原子(离子)的光电离过程普遍存在于各种天体系统、高层大气和不同类型的天体等离子体和实验室等离子体中,因而光电离截面对于研究许多物理过程是必需的基本数据,在了解天体系统和实验室等离子体的性质方面,光电离截面的理论计算是非常... 详细信息

原子(离子)的光电离过程普遍存在于各种天体系统、高层大气和不同类型的天体等离子体和实验室等离子体中,因而光电离截面对于研究许多物理过程是必需的基本数据,在了解天体系统和实验室等离子体的性质方面,光电离截面的理论计算是非常重要的。本论文在LS耦合下,利用R-矩阵方法对原子(离子)的光电离截面进行了理论研究。本论文所做的工作如下: 1、计算了N原子基态2s2p(4So)在光子能量为1-3Ry范围内的光电离截面,给出了自电离态2sp (S) npP ( n = 3 - 10)的共振能量,我们的结果与已有的多组态Hartree-Fock理论计算(MCHF)及最近的实验结果符合得很好。 2、计算了F原子基态2s2p(P)在光子能量为1D-1S电离阈值范围内的分波光电离截面、总光电离截面以及自电离2p(S)ns S, 2p(S)mdD系列、2s2p(S)激发态的共振位置,我们的长度和速度两种规范符合得较好。并与最新的多组态Hartree-Fock理论计算及实验结果相符合。 3、计算了类C离子:F和Ne的基态2s2p (P)和激发态2s2p (D、S)、2s2p (S)的L-壳层的分波光电离截面、总光电离截面及多个自电离共振系列的共振位置,并与最近的实验和最新的多组态Dirac-Fock(MCDF)理论计算进行了比较,我们的计算结果与实验值相符合。

关键词：光电离自电离共振 R-矩阵 N原子 F原子 F3+离子 Ne4+离子

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Ar原子(J=0)的高激发态结构

吉林大学自然科学学报 1991年第4期 62-66页

作者：姜晓梅王治文长春师范学院物理系吉林大学原子与分子物理研究所

本文依据多通道量子亏损理论对Ar原子J=0的高激发态结构进行了理论分析,确定了基本结构参量,得到Lu-Fano图和全部分立态能位、通道混合系数,预言了自电离共振结构。

关键词：氩原子高激发态 MQDT 自电离共振

用R矩阵方法研究电子与原子、离子的碰撞激发和原子的光电离问题

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用R矩阵方法研究电子与原子、离子的碰撞激发和原子的光电离问题

作者：王国利西北师范大学

学位级别：硕士

对电子与原子、离子的碰撞激发和原子的光电离过程进行了一些初步探讨,本文所作的工作主要有: 1、采用R矩阵方法计算了电子与类氢He、Li离子碰撞激发的碰撞强度,结果表明10态R矩阵计算可以得到精确的类氢离子的1s-2s和1s-2p跃迁的... 详细信息

对电子与原子、离子的碰撞激发和原子的光电离过程进行了一些初步探讨,本文所作的工作主要有: 1、采用R矩阵方法计算了电子与类氢He、Li离子碰撞激发的碰撞强度,结果表明10态R矩阵计算可以得到精确的类氢离子的1s-2s和1s-2p跃迁的碰撞强度。可以推测,对电子与类氢离子的碰撞,随着原子序数Z的增大,碰撞激发所需的能量也随之增大,但是碰撞强度的大小将会减小。 2、利用R矩阵方法在LS耦合下计算了光子能量在1-3Ry范围内N原子基态的光电离截面。我们计算的总截面在从电离阈值到1.7Ry的能量范围内要比实验值约高20%,这可能是因为在对实验测得的相对光电离截面校准过程中使用了不精确的振子强度所引起的。比较2s2p(S)np(P)自电离共振系列的能量,我们计算的结果与实验值符合得非常好。 3、利用R矩阵方法在LS耦合下计算了光子能量在P-D电离阈值能量范围内F原子基态的2p壳层光电离的分波及总光电离截面,给出了自电离共振2P(D)ns D,2P(D)md P和2P(D)md D系列的共振能量,其结果与实验值符合得很好。

关键词：碰撞强度光电离自电离共振 R矩阵

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类氖离子的自电离光谱研究

类氖离子的自电离光谱研究

作者：蒋雯先西安建筑科技大学

学位级别：硕士

在近代物理学的发展中,散射实验的作用非常重要,特别是在对原子和分子物理、原子核物理以及粒子物理的建立和发展上,散射实验起着举足轻重的作用。在等离子体物理中,电子碰撞激发是许多等离子体和实验室等离子体光谱线形成的主要机制。... 详细信息

在近代物理学的发展中,散射实验的作用非常重要,特别是在对原子和分子物理、原子核物理以及粒子物理的建立和发展上,散射实验起着举足轻重的作用。在等离子体物理中,电子碰撞激发是许多等离子体和实验室等离子体光谱线形成的主要机制。当前,在天体物理、聚变研究、X射线研究等方面,电子与原子离子的碰撞参数,原子和离子的光谱数据,都有着相当广泛的应用。由于高Z类氖离子的光电离研究对于X射线激光器的研究具有非常重要的指导意义,因此本课题选择类氖离子为研究对象,研究了类氖钛离子的光电离,另外研究KrⅡ离子的高Rydberg态结构：(1)在最弱受约束电子势模型的理论框架下,通过对最弱受约束电子的识别,将Martin关于单价原子量子亏损公式应用于实为开壳层的多价原子(离子)系统,并且保留了能量对量子数亏损的高次依赖关系,计算了KrⅡ离子的4s24p4(1D)nd2D3/2(n≥5),4s24p4(1D)nd2D5/2(n≥4),4s24p4(1D)nd2S1/2(n≥6)和4s24p4(3P)np(n≥15)四个Rydberg系列的能级结构,理论计算值与现有的实验值符合很好,两者的相对误差除了个别数据外,不超过8.24×10-4,达到了很高的精度,理论预言了这4个Rydberg系列的60多个能态的位置。(2)根据R矩阵理论研究了类氖钛离子的光电离截面。由于R矩阵理论不能计算各个自电离共振态的位置,我们将R矩阵理论与QB方法相结合,对类氖钛离子的1s22s2p5(2p1/2)ns(n=3～27),1s22s2p5(2p1/2)nd(n=3～27),1s22s2p6(2S1/2)np(n=3～30)和1s2s2p(2S1/2)np+(n=3～28)的四个自电离共振系列的能态位置及自电离宽度进行了研究,并且使用Ti XIV离子的2p5,2s2p6的精细结构能量的理论值和实验值的差别,对计算出的自电离共振能量值做了修正,使得理论值与实验值更加接近。首次将类氖钛离子的上述4个组态的能量值计算到n=30左右,这在以前是没有的。

关键词：光电离自电离共振 Rydberg系列最弱受约束电子势模型 Kr II离子 R矩阵 QB程序类氖Ti XIII离子

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原子双光子电离截面的理论计算

物理学报 1985年第7期 933-940页

作者：巫英坚李家明中国科学院物理研究所

我们在Hartree-Slater自洽场理论的基础上,以Cs,Xe原子为例,具体计算了其双光子电离截面。本文的理论方法可容易地应用于其它双光子过程的计算,同时还可推广到更多光子过程的计算。将计算结果和相应的实验以及其它理论结果作了比较和讨... 详细信息

我们在Hartree-Slater自洽场理论的基础上,以Cs,Xe原子为例,具体计算了其双光子电离截面。本文的理论方法可容易地应用于其它双光子过程的计算,同时还可推广到更多光子过程的计算。将计算结果和相应的实验以及其它理论结果作了比较和讨论。明确了本文理论计算的精确程度,对碱金属元素(例如Cs)本文的理论值与最近的精确实验符合得较好。

关键词：双光子电离原子分子子波函数实验室坐标系自电离共振双光子跃迁理论计算

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半导体中杂质的自电离态的理论

Journal of Semiconductors 1983年第2期 105-116页

作者：甘子钊韩汝琦北京大学

本文的第一部份,发展了一个描述半导体中杂质自电离态的形式理论,它是类似于原子自电离态的组态相互作用模型.从这个理论得到了杂质自电离态的能级位置、能级宽度和波函数的表达式,并说明了在连续吸收谱上,杂质自电离态表现为一个非对称... 详细信息

本文的第一部份,发展了一个描述半导体中杂质自电离态的形式理论,它是类似于原子自电离态的组态相互作用模型.从这个理论得到了杂质自电离态的能级位置、能级宽度和波函数的表达式,并说明了在连续吸收谱上,杂质自电离态表现为一个非对称的Fano型的峰. 本文的第二部份发展了一种计算半导体中杂质自电离态的具体方法,称做复坐标方法.作为一个例子,计算了硅中具有Γ;对称性的受主自电离态的能级和宽度.

关键词：自电离态甘子钊连续谱能级自电离共振