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文献类型

  • 2 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 2 篇 电子文献
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日期分布

学科分类号

  • 2 篇 工学
    • 2 篇 电子科学与技术（可...
    • 1 篇 材料科学与工程（可...

主题

  • 2 篇 自然氧化层
  • 1 篇 化学机械研磨
  • 1 篇 界面氧化层
  • 1 篇 多晶硅发射极晶体...
  • 1 篇 集成电路制造
  • 1 篇 电流增益
  • 1 篇 多晶硅
  • 1 篇 线宽
  • 1 篇 后清洗

机构

  • 1 篇 上海华虹宏力半导...
  • 1 篇 重庆中科渝芯有限...
  • 1 篇 中国电子科技集团...

作者

  • 1 篇 阚玲
  • 1 篇 程君
  • 1 篇 李儒兴
  • 1 篇 刘建
  • 1 篇 李协吉

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=自然氧化层"
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多晶硅发射极晶体管电流增益工艺稳定性研究
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微电子学 2020年 第4期50卷 589-592页
作者： 阚玲 刘建 中国电子科技集团公司第二十四研究所 重庆400060 重庆中科渝芯有限公司 重庆401332
针对多晶硅发射极晶体管实际工艺中出现的电流增益异常波动问题,首先从原理上进行了分析,其次通过与正常批次PCM数据进行对比,发现基极电流Ib存在一个量级的差异。设计了较为完整的DOE工艺试验,进行了对比和验证。结果表明,多晶硅/硅界... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
多晶硅CMP制程后清洗工艺研究与改善
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集成电路应用 2021年 第7期38卷 48-51页
作者： 李儒兴 程君 李协吉 上海华虹宏力半导体制造有限公司 上海201203
阐述嵌入式非易失性存储器芯片制造流程中的多晶硅化学机械研磨(CMP)后清洗工艺对随后的多晶硅蚀刻工艺的影响。研究发现CMP的后清洗过程对多晶硅表面的自然氧化层的生长具有显著的影响,从而成为蚀刻后多晶硅源线线宽(CD)的重要影响因... 详细信息
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