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文献类型

  • 2 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 2 篇 电子文献
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日期分布

学科分类号

  • 2 篇 工学
    • 2 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 2 篇 膜开关
  • 2 篇 mems
  • 1 篇 射频微机械
  • 1 篇 单刀双掷开关
  • 1 篇 微波电路
  • 1 篇 隔离度
  • 1 篇 回波损耗
  • 1 篇 毫米波电路
  • 1 篇 砷化镓
  • 1 篇 插入损耗

机构

  • 2 篇 东南大学
  • 2 篇 南京电子器件研究...

作者

  • 1 篇 李拂晓
  • 1 篇 朱健
  • 1 篇 郑惟彬
  • 1 篇 廖小平
  • 1 篇 严捷
  • 1 篇 黄庆安

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=膜开关"
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基于砷化镓衬底的RF MEMS膜开关
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固体电子学研究与进展 2003年 第2期23卷 248-248页
作者： 郑惟彬 黄庆安 李拂晓 东南大学MEMS教育部重点实验室 南京210096 南京电子器件研究所
在低损耗的微波毫米波电路中，静电驱动的射频微机械（MEMS）开关表现出巨大的应用前景。和传统的半导体相比，由于在结构上消除了金属-半导体结和PN结，MEMS开关具有极其优越的高频特性，例如MEMS开关具有极低的插入损耗和较高的隔离度。
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
X-波段MEMS单刀双掷开关的研究
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电子器件 2006年 第1期29卷 92-94页
作者： 严捷 廖小平 朱健 东南大学MEMS教育部重点实验室 南京210096 南京电子器件研究所 南京210016
利用X波段MEMS单刀单掷膜开关和成熟的微带线技术设计了一种X波段MEMS单刀双掷膜开关,其模拟结果为:阈值电压为19V左右,工作频率为8～12GHz,在中心频率(10GHz)处,导通开关的插入损耗为-0.2dB,截止开关的隔离度为-21dB,开关的回波损耗为-... 详细信息
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