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    • 1 篇 教育学

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作者

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语言

  • 92 篇 中文
检索条件"主题词=膜厚均匀性"
92 条 记 录,以下是71-80 订阅
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在LPCVD型系统中采用SiHCl3——NH3体系制备Si3N4膜
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半导体光电 1984年 第3期 50-54+56页
作者: 许世光 重庆光电技术研究所
一、前言低压化学汽相淀积(简称LPCVD)技术,近两年来,在国内半导体器件工艺中,特别是以MOS为主的大规模(LSI)和超大规模(VLSI)集成电路中引起了极大的重视。Si2N4作为纯化膜改善了器件的能和提高了器件的可靠。采用LPCVD技术... 详细信息
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外延CVD设备
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微电子学 1982年 第3期 51-60页
作者: 吉见武夫 櫔久?品?日立制作所 孙伯祥 辛永库 日立制作所 日立制作所
CVD设备 欲使器件具有高可靠,则须实现器件的高能与高密度化,若干年来,这项技术研究已达到了白热化的程度,而且这种白热状态今后仍将保持下去。特别是,由于微细加工技术的进步,半导体器件制造技术必将产生实质的重大飞跃。如图1所... 详细信息
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工件滚动蒸镀监控方法研究
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红外与激光技术 1983年 第1期 29-38页
作者: 李福昇 八三五八所
一、引言在真空镀膜技术中,当光学元件为平面或曲率半径较大的球面等形状时,镀制具有均匀膜厚等要求的膜层,技术上已有较成熟的途径:如使平面载盘公转或采用所谓“行星式”转动等方法。然而,另有一类光学元件,采用上述常用的镀制技术是... 详细信息
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低压化学汽相淀积设备的设计研讨
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微电子学 1981年 第5期 30-36页
作者: 徐平
LPCVD是用于固体器件工艺的新技术。在工艺试验的基础上设计、研制成一台ZLPCVD-01型低压化学汽相淀积设备。本文根据减压下薄膜生长的基理叙述了对该机的要求、工作原理、结构设计、技术能以及一些工艺与试验成果。
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14kW电子枪
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电子工业专用设备 1997年 第1期26卷 30-34页
作者: 唐惠平 北京仪器厂
本文简要介绍了QE14—40/1A电子枪的结构、能和特点。
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基片的运动方式对磁控溅射矩形靶镀膜均匀性的影响
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真空 2016年 第4期53卷 1-5页
作者: 张向秀 张鹏飞 赵瑾珠 郭攀 杜晓松 电子科技大学光电信息学院 四川成都610054
本文从理论上分析了磁控溅射镀膜中基片的运动方式对沉积薄膜厚均匀性的影响。在考虑了溅射环内不同位置刻蚀权重的情况下,对静止、直线往复运动(以下简称平动)、平动结合转动、平动结合转动并在折返处停留自旋四种运动方式,根据余弦... 详细信息
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涂装喷涂仿形制作和应用全过程质量控制
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现代涂料与涂装 2023年 第5期26卷 69-72页
作者: 俞锋 占早华 吕正芳 张志山 奇瑞汽车股份有限公司 安徽芜湖241009
主要介绍了涂装新车型油漆外观调试过程中外表面车身机器人喷涂仿形制作流程,从工艺策划和设计、工艺实施、实物状态等全过程进行了介绍,包括车身喷涂均匀性和车身喷涂难点问题等.
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多次提拉法涂胶工艺及其过程仿真
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新技术新工艺 2015年 第1期 37-39页
作者: 张琼 李木军 沈连婠 叶回春 谢俊舰 中国科学技术大学精密机械与精密仪器系 安徽合肥230026
为在圆柱基底上制备一定厚度的均匀光刻胶膜层,进行了提拉法涂胶试验,并结合试验建立了数值模型,模拟仿真了不同工况下的液膜轮廓,仿真计算得到的膜厚与试验结果有很好的一致。仿真计算与试验结果表明,其提接速度越快,胶层厚度越大,... 详细信息
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晶体硅太阳电池SIN:H减反射层的大规模在线溅射镀膜
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太阳能 2005年 第6期 28-31页
作者: Winfried Wolke Alexander Jaeckle Ralf Preu Stephan Wieder Manfred Ruske
1引言大多数多晶硅太阳电池的减反射膜都是用增强的等离子化学气相沉积法(PECVD)沉积的掺氢氮化硅膜层(Sinx:H).和其它减反射膜(如二氧化钛)相比,Sinx:H的优点是它具有很好的表面和体钝化功能.除了这些优点之外,PECVD技术有几个显著的缺... 详细信息
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大口径半球形基底膜层均匀性的分析
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长春理工大学学报(自然科学版) 2017年 第2期40卷 53-56页
作者: 高健 付新华 长春理工大学光电工程学院 长春130022
针对半球面大口径球形光学元件的膜层均匀性进行了理论分析研究。通过建立半球形基底内表面的数学模型,运用膜厚理论公式表达出内表面的膜厚分布。推算了蒸发源不同位置对膜层均匀性的影响,同时对理想点源、小面源和实际蒸发特膜厚... 详细信息
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