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栅极氮化硅膜厚分布优化及产品性能的研究

通信与广播电视 2018年第2期 47-52页

作者：盛科王琨李广录南京中电熊猫液晶显示科技有限公司

氮化硅薄膜是一种重要的薄膜材料，具有优良的光电特性和物理性能，将在微电子、光电及薄膜晶体管等领域中有广泛的应用。本文采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）在1．8mx1．5m的基板上制备薄膜晶体管液晶显示器用的氮化硅薄膜。... 详细信息

氮化硅薄膜是一种重要的薄膜材料，具有优良的光电特性和物理性能，将在微电子、光电及薄膜晶体管等领域中有广泛的应用。本文采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）在1．8mx1．5m的基板上制备薄膜晶体管液晶显示器用的氮化硅薄膜。本文研究通过调整腔室电极间距（Spacing）来优化氮化硅薄膜的均匀性（Uniformity），以及优化后的氮化硅薄膜对产品的影响。

关键词：氮化硅薄膜 PECVD 膜厚均匀性电极间距

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外延CVD设备

微电子学 1982年第3期 51-60页

作者：吉见武夫櫔久?品?日立制作所孙伯祥辛永库日立制作所

CVD设备欲使器件具有高可靠性,则须实现器件的高性能与高密度化,若干年来,这项技术研究已达到了白热化的程度,而且这种白热状态今后仍将保持下去。特别是,由于微细加工技术的进步,半导体器件制造技术必将产生实质性的重大飞跃。如图1所... 详细信息

CVD设备欲使器件具有高可靠性,则须实现器件的高性能与高密度化,若干年来,这项技术研究已达到了白热化的程度,而且这种白热状态今后仍将保持下去。特别是,由于微细加工技术的进步,半导体器件制造技术必将产生实质性的重大飞跃。如图1所示,对于器件的动向

关键词： CVD 半导体器件绝缘膜 PSG 电子设备硅片化学气相沉积化学汽相淀积等离子体蒸发法外延反应炉电炉外延炉器件要求膜厚均匀性

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工件滚动蒸镀监控方法研究

红外与激光技术 1983年第1期 29-38页

作者：李福昇八三五八所

一、引言在真空镀膜技术中,当光学元件为平面或曲率半径较大的球面等形状时,镀制具有均匀膜厚等要求的膜层,技术上已有较成熟的途径:如使平面载盘公转或采用所谓“行星式”转动等方法。然而,另有一类光学元件,采用上述常用的镀制技术是... 详细信息

一、引言在真空镀膜技术中,当光学元件为平面或曲率半径较大的球面等形状时,镀制具有均匀膜厚等要求的膜层,技术上已有较成熟的途径:如使平面载盘公转或采用所谓“行星式”转动等方法。然而,另有一类光学元件,采用上述常用的镀制技术是不济于事的,而这类元件在系统应用上有独到之处,如在光机扫描的红外热成象系统中,折射式的锗扫描棱镜与反射的镜鼓相比,有其独特优越性,在固体激光器中,椭圆柱玻璃激光聚光腔与通常使用的金属聚光腔相比,有独特优越性,但是他们对镀制工艺要求很高,比如:锗棱镜要求扫描用到的

关键词：聚光腔法线椭圆柱聚光器蒸发源膜厚均匀性棱镜面元

在LPCVD型系统中采用SiHCl3——NH3体系制备Si3N4膜

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半导体光电 1984年第3期 50-54+56页

作者：许世光重庆光电技术研究所

一、前言低压化学汽相淀积（简称LPCVD）技术,近两年来,在国内半导体器件工艺中,特别是以MOS为主的大规模（LSI）和超大规模（VLSI）集成电路中引起了极大的重视。Si2N4作为纯化膜改善了器件的性能和提高了器件的可靠性。采用LPCVD技术... 详细信息

一、前言低压化学汽相淀积（简称LPCVD）技术,近两年来,在国内半导体器件工艺中,特别是以MOS为主的大规模（LSI）和超大规模（VLSI）集成电路中引起了极大的重视。Si2N4作为纯化膜改善了器件的性能和提高了器件的可靠性。采用LPCVD技术制备的多晶硅、二氧化硅、氮化硅和磷硅玻璃无论在经济,均匀性,重复性和投片量上都比用常压CVD技术制备的膜优越得多。采用SiHCl3

关键词： LPCVD SIH NH3 淀积速率 Si3N4 氮化硅膜膜厚均匀性

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低压化学汽相淀积设备的设计研讨

微电子学 1981年第5期 30-36页

作者：徐平

LPCVD是用于固体器件工艺的新技术。在工艺试验的基础上设计、研制成一台ZLPCVD-01型低压化学汽相淀积设备。本文根据减压下薄膜生长的基理叙述了对该机的要求、工作原理、结构设计、技术性能以及一些工艺与试验成果。

关键词： LPCVD 抽速升/分膜厚均匀性淀积速率多晶硅薄膜

基片的运动方式对磁控溅射矩形靶镀膜均匀性的影响

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真空 2016年第4期53卷 1-5页

作者：张向秀张鹏飞赵瑾珠郭攀杜晓松电子科技大学光电信息学院四川成都610054

本文从理论上分析了磁控溅射镀膜中基片的运动方式对沉积薄膜厚度均匀性的影响。在考虑了溅射环内不同位置刻蚀权重的情况下,对静止、直线往复运动(以下简称平动)、平动结合转动、平动结合转动并在折返处停留自旋四种运动方式,根据余弦... 详细信息

本文从理论上分析了磁控溅射镀膜中基片的运动方式对沉积薄膜厚度均匀性的影响。在考虑了溅射环内不同位置刻蚀权重的情况下,对静止、直线往复运动(以下简称平动)、平动结合转动、平动结合转动并在折返处停留自旋四种运动方式,根据余弦定律对矩形靶在圆形基片上溅射的膜厚分布进行物理建模和仿真研究,并计算出相应的镀膜均匀度。研究结果表明,相比静止模式,平动时的膜厚均匀性有显著改善,平动结合转动的膜厚均匀性优于平动模式;但在前三种模式下,基片上的膜厚分布均为中心厚,边缘薄。而当采用第四种模式时,膜厚分布不再呈单调下降的趋势,延长停留时间会使膜厚分布发生翻转,变为中间薄、边缘厚,中间存在一个最佳的停留时间使得膜厚均匀性最好。

关键词：磁控溅射膜厚均匀性膜厚分布基片运动方式

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14kW电子枪

电子工业专用设备 1997年第1期26卷 30-34页

作者：唐惠平北京仪器厂

本文简要介绍了ＱＥ１４—４０／１Ａ电子枪的结构、性能和特点。

关键词：电子枪偏转磁场电子轨迹蒸发速率膜厚均匀性

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大口径半球形基底膜层均匀性的分析

长春理工大学学报（自然科学版） 2017年第2期40卷 53-56页

作者：高健付新华长春理工大学光电工程学院长春130022

针对半球面大口径球形光学元件的膜层均匀性进行了理论分析研究。通过建立半球形基底内表面的数学模型,运用膜厚理论公式表达出内表面的膜厚分布。推算了蒸发源不同位置对膜层均匀性的影响,同时对理想点源、小面源和实际蒸发特性对膜厚... 详细信息

针对半球面大口径球形光学元件的膜层均匀性进行了理论分析研究。通过建立半球形基底内表面的数学模型,运用膜厚理论公式表达出内表面的膜厚分布。推算了蒸发源不同位置对膜层均匀性的影响,同时对理想点源、小面源和实际蒸发特性对膜厚的影响进行了分析。该研究工作对大曲率半球膜层镀制工艺具有一定的指导意义,在改善此种表面膜层均匀性上提供了理论依据。

关键词：大口径光学元件真空镀膜膜厚均匀性内表面

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离子束辅助沉积大口径光学薄膜

离子束辅助沉积大口径光学薄膜